CoolSiC MOSFET 1200V G2

7mΩ分立器件采用TO-247 4pin

高爬電距離封裝

英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-247 4pin CoolSiC MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技術(shù)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)顯著提升，為更高性價(jià)比、高效率、緊湊型、易設(shè)計(jì)且可靠的系統(tǒng)提供先進(jìn)解決方案。該器件在硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲芯宫F(xiàn)出優(yōu)異性能，廣泛適用于各類AC-DC、DC-DC及DC-AC功率級(jí)組合。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMZC120R007M2H

產(chǎn)品特性

在VGS=18V、Tvj=25°C條件下導(dǎo)通電阻典型值7.5mΩ

極低的開關(guān)損耗

更寬的柵極電壓VGS范圍-10V至+25V

支持最高結(jié)溫200℃過載運(yùn)行

行業(yè)標(biāo)桿級(jí)柵極閾值電壓VGS(th)=4.2V

強(qiáng)抗寄生導(dǎo)通能力，支持0V柵壓關(guān)斷

適用于硬換流的體二極管

應(yīng)用價(jià)值

更優(yōu)能效表現(xiàn)

冷卻系統(tǒng)優(yōu)化

更高功率密度

新增魯棒特性

高可靠性設(shè)計(jì)

易于并聯(lián)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

增強(qiáng)性能：開關(guān)損耗更低與效率更高

.XT擴(kuò)散焊技術(shù)：優(yōu)化熱阻，降低MOSFET工作溫度

業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)導(dǎo)通電阻性能

獨(dú)特的魯棒性設(shè)計(jì)

應(yīng)用領(lǐng)域

通用變頻驅(qū)動(dòng)器

在線式/工業(yè)UPS