安森美NTLJD3115P P溝道MOSFET：低電壓應(yīng)用的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來(lái)深入了解安森美（onsemi）的NTLJD3115P，一款專為低電壓應(yīng)用優(yōu)化的雙P溝道MOSFET。

文件下載：NTLJD3115P-D.PDF

產(chǎn)品特性

封裝優(yōu)勢(shì)

NTLJD3115P采用WDFN 2x2 mm封裝，這種封裝具有暴露的漏極焊盤，能夠提供出色的熱傳導(dǎo)性能。其2x2 mm的占位面積與SC - 88相同，并且是2x2 mm封裝中具有最低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的解決方案。同時(shí)，它的低外形（<0.8 mm）使得它能夠輕松適應(yīng)薄型環(huán)境。

低電壓驅(qū)動(dòng)

該MOSFET具有1.8V的RDS(on)額定值，適用于低電壓柵極驅(qū)動(dòng)邏輯電平操作，這使得它在電池供電的便攜式設(shè)備中具有很大的優(yōu)勢(shì)。

雙向電流流動(dòng)

采用共源極配置，支持雙向電流流動(dòng)，增加了其在電路設(shè)計(jì)中的靈活性。

環(huán)保設(shè)計(jì)

NTLJD3115P是無(wú)鉛器件，符合環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

電池和負(fù)載管理

在便攜式設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦等，NTLJD3115P可用于電池和負(fù)載管理，優(yōu)化電池的使用效率，延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

鋰電池充電和保護(hù)

在鋰電池充電和保護(hù)電路中，它能夠提供可靠的開關(guān)功能，確保電池的安全充電和使用。

高端負(fù)載開關(guān)

作為高端負(fù)載開關(guān)，NTLJD3115P可以有效地控制負(fù)載的通斷，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓V(BR)DSS為 -20V（VGS = 0 V，ID = -250 μA），其溫度系數(shù)為9.95 mV/°C。零柵壓漏電流IDSS在TJ = 25°C時(shí)為 -1.0 μA，TJ = 85°C時(shí)為 -10 μA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓VGS(TH)在 -0.4 V到 -1.0 V之間，其溫度系數(shù)為2.44 mV/°C。不同柵源電壓下的漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)有所不同，如VGS = -4.5 V，ID = -2.0 A時(shí)，RDS(on)為75 - 100 mΩ。
• 電荷、電容和柵極電阻：輸入電容CISS為531 pF，輸出電容COSS為91 pF，反向傳輸電容CRSS為56 pF。總柵極電荷QG(TOT)為5.5 - 6.2 nC。
• 開關(guān)特性：在不同的測(cè)試條件下，開關(guān)時(shí)間有所不同。例如，VGS = -4.5 V，VDD = -5.0 V，ID = -1.0 A，RG = 6.0 Ω時(shí)，導(dǎo)通延遲時(shí)間td(ON)為6.0 ns，上升時(shí)間tr為11 ns，關(guān)斷延遲時(shí)間td(OFF)為21 ns，下降時(shí)間tf為8.0 ns。
• 漏源二極管特性：正向恢復(fù)電壓VSD在TJ = 25°C時(shí)為 -0.75 - -1.0 V，TJ = 125°C時(shí)為 -0.64 V。反向恢復(fù)時(shí)間tRR為12.6 ns。

典型性能曲線

導(dǎo)通區(qū)域特性

從圖1可以看出，不同柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓的變化情況。隨著柵源電壓的降低，漏極電流也相應(yīng)減小。

傳輸特性

圖2展示了不同結(jié)溫下，漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。結(jié)溫的變化會(huì)影響MOSFET的傳輸特性。

導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵源電壓的關(guān)系

圖3和圖4顯示了導(dǎo)通電阻RDS(on)隨漏極電流和柵源電壓的變化。在不同的柵源電壓下，導(dǎo)通電阻隨漏極電流的增加而變化。

導(dǎo)通電阻隨溫度的變化

圖5表明，導(dǎo)通電阻RDS(on)會(huì)隨著結(jié)溫的升高而增大。

漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系

圖6顯示了漏源泄漏電流隨漏源電壓的變化情況。

電容變化

圖7展示了輸入電容CISS、輸出電容COSS和反向傳輸電容CRSS隨柵源電壓和漏源電壓的變化。

柵源和漏源電壓與總電荷的關(guān)系

圖8顯示了柵源和漏源電壓與總柵極電荷的關(guān)系。

電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化

圖9表明，開關(guān)時(shí)間會(huì)隨著柵極電阻的變化而變化。

二極管正向電壓與電流的關(guān)系

圖10展示了二極管正向電壓與電流的關(guān)系。

最大額定正向偏置安全工作區(qū)

圖11顯示了在不同脈沖時(shí)間下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系，以及RDS(on)限制、熱限制和封裝限制。

熱響應(yīng)

圖12展示了瞬態(tài)熱阻隨時(shí)間和占空比的變化情況。

封裝和訂購(gòu)信息

封裝

NTLJD3115P采用WDFN6封裝，其機(jī)械尺寸和引腳連接在文檔中有詳細(xì)說(shuō)明。

訂購(gòu)信息

需要注意的是，該器件已停產(chǎn)。如果需要相關(guān)信息，請(qǐng)聯(lián)系安森美代表，最新信息可在www.onsemi.com上查詢。

總結(jié)

安森美NTLJD3115P雙P溝道MOSFET以其出色的熱傳導(dǎo)性能、低導(dǎo)通電阻和低電壓驅(qū)動(dòng)能力，在便攜式設(shè)備的電池和負(fù)載管理、鋰電池充電和保護(hù)等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。盡管該器件已停產(chǎn)，但它的設(shè)計(jì)理念和性能特點(diǎn)仍值得我們?cè)陔娮釉O(shè)計(jì)中借鑒。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求，合理選擇MOSFET，并注意其最大額定值和電氣參數(shù)，以確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用MOSFET時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。