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單結晶體管的特性舉及簡單測試,Single-junction transistors

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單結晶體管的特性舉及簡單測試

單結晶體管是近幾年發(fā)展起來的一類新型電子器件，它具有一種重要的電氣性能——負阻特性，可以使自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器及定時電路等多種脈沖產(chǎn)生單元電路的結構大為簡化，故而應用十分廣泛。

圖1為單結晶體管的特性檢測電路。在兩基極之間外加固定的正向偏壓VBB，調節(jié)發(fā)射極的電壓VE，根據(jù)IE與VE的變化關系，可以繪出單結晶體管的伏安特性曲線如圖2。

當VE=0時，PN結反偏截止，只有微小的反向電流IEO流過發(fā)射極，隨著VE的升高，當VE=ηVBB時IE=0。VE續(xù)升高，IE將變?yōu)檎?，但PN結仍未導通，故正向的漏電流也很小，在P點左側單結晶體管處于截止區(qū)。

VE繼續(xù)升高，當VE=ηVBB+VD時，PN結由截止變?yōu)閷ǎ@個轉折點稱為峰點P(VP，IP)，對應的發(fā)射極電壓稱為峰點電壓VP(VP=ηVBB+VD)，發(fā)射極電流稱為峰點電流IP。IP代表了使單結晶體管導通所需的最小電流。PN結導通后，P區(qū)的空穴大量注入N區(qū)，使E與B1之間的空穴濃度增加，導電性能增強，RB1的阻值減小，隨著IE的增加，VE逐漸減小，單結晶體管呈現(xiàn)出明顯的負阻特性。從P到V這一段為單結晶體管特性的負阻區(qū)。

隨空穴的注入量達到一定程度，E與B1之間的基區(qū)由電中性轉變?yōu)檎娦裕o空穴的進一步注入增加了阻力，相當于RB1不再下降，反而增大了，這個轉折點稱為谷點V(VV，Iv)此后，VE將隨IE的增加而緩慢增加，單結晶體管進入飽和區(qū)。谷點電壓是維持單結晶體管導通的最小發(fā)射極電壓，VE

1．單結晶體管極間電阻的測試

發(fā)射極開路時，極間電阻RBB基本上是一個常數(shù)，用萬用表的Rx1k或Rx100擋測量即可，國產(chǎn)的單結晶體管的RBB值在3~10kΩ范圍內。測量發(fā)射極和兩基極間的正向電阻，用萬用表的電阻擋，黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接兩基極即可。測量發(fā)射極和兩基極間的反向電阻，同樣把萬用表調到電阻擋，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆分別接兩基極，由于單結晶體管反向電流非常小，所以測得結果應為∞，否則證明管子質量不好。

2.單結晶體管負阻特性的檢測

用萬用表的Rx1或Rx100擋，黑表筆接發(fā)射極，紅表筆接第一基極，這就相當于在發(fā)射極和第一基極之間加上了一個固定的1.5V的電壓VE，在第二基極與第一基極之間外加+4.5V電源，萬用表指示應為∞，表示單結晶體管性能良好。若指針發(fā)生偏轉，表示管子無負阻特性或分壓比值太低，不能正常使用。