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探索onsemi NXV08H350XT1汽車(chē)功率MOSFET模塊:性能與應(yīng)用解析

lhl545545 ? 2026-04-24 11:15 ? 次閱讀
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探索onsemi NXV08H350XT1汽車(chē)功率MOSFET模塊:性能與應(yīng)用解析

汽車(chē)電子領(lǐng)域,功率MOSFET模塊的性能對(duì)于系統(tǒng)的效率、可靠性和小型化起著關(guān)鍵作用。今天,我們將深入探討onsemi的NXV08H350XT1汽車(chē)功率MOSFET模塊,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

文件下載:NXV08H350XT1-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

NXV08H350XT1是一款2相MOSFET模塊,在客戶(hù)端,通過(guò)組合2相輸出功率端子,它可以用作1/2橋MOSFET模塊。該模塊具有諸多特點(diǎn),使其在汽車(chē)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

特性亮點(diǎn)

  1. 電氣隔離的DBC基板:具備低熱阻Rthjc,有助于熱量的有效散發(fā),提高模塊的熱性能。
  2. 緊湊設(shè)計(jì):降低了模塊的總電阻,減少了功率損耗,提高了系統(tǒng)效率。
  3. 模塊序列化:實(shí)現(xiàn)了完整的可追溯性,方便生產(chǎn)管理和質(zhì)量控制。
  4. 模塊級(jí)AQG324認(rèn)證:內(nèi)部組件符合AEC Q101(MOSFET)和AEC Q200(無(wú)源元件)標(biāo)準(zhǔn),保證了產(chǎn)品在汽車(chē)環(huán)境下的可靠性。
  5. UL 94 V - 0合規(guī):表明模塊的材料具有良好的阻燃性能,提高了系統(tǒng)的安全性。
  6. 無(wú)鉛和RoHS合規(guī):符合環(huán)保要求,適應(yīng)綠色電子發(fā)展趨勢(shì)。
  7. ESD測(cè)試:按照AEC Q101、JS - 001、JS - 002標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行HBM和CDM測(cè)試,增強(qiáng)了模塊的抗靜電能力。

二、應(yīng)用場(chǎng)景

NXV08H350XT1主要應(yīng)用于48V逆變器和48V牽引系統(tǒng)。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)功率模塊的性能要求較高,而該模塊能夠滿(mǎn)足這些需求,為系統(tǒng)提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

  1. 降低油耗和排放:有助于設(shè)計(jì)小型、高效和可靠的系統(tǒng),從而減少車(chē)輛的燃油消耗和CO?排放。
  2. 簡(jiǎn)化車(chē)輛組裝:模塊的設(shè)計(jì)使得車(chē)輛組裝過(guò)程更加簡(jiǎn)單,提高了生產(chǎn)效率。
  3. 低熱阻:通過(guò)在模塊外殼和散熱器之間直接安裝熱界面材料,實(shí)現(xiàn)了低的結(jié)到散熱器的熱阻,保證了模塊在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。
  4. 低電感:降低了電路中的電感,減少了開(kāi)關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)的效率。

三、產(chǎn)品規(guī)格

1. 訂購(gòu)信息

部件編號(hào) 封裝 無(wú)鉛和RoHS合規(guī) 工作環(huán)境溫度范圍 包裝方式
NXV08H350XT1 APM17 - MDC -40~125 °C 管裝

2. 引腳配置

詳細(xì)的引腳配置信息如下表所示: 引腳編號(hào) 描述 備注
1 Q2 Gate
2 Q2 Source Sense
3 B+ #2 Sense
4 Q4 Gate
5 Q4 Source Sense
6 NTC1
7 Phase Out2 對(duì)于3相電機(jī)逆變器,這2個(gè)引腳可作為一相輸出
8 Phase Out1
9 NTC2
10 Q3 Source Sense
11 Q3 Gate
12 B+ #1 Sense
13 Q1 Source Sense
14 Q1 Gate
15 B+ #1
17 B+ #2

3. 絕對(duì)最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 最大值 單位
VDS(Q1~Q4) 漏源電壓 80 V
VGS(Q1~Q4) 柵源電壓 ± 20 V
EAS(Q1~Q4) 單脈沖雪崩能量(注1) 1946 mJ
T J 最大結(jié)溫 175 °C
T STG 存儲(chǔ)溫度 125 °C

注1:起始溫度$T{J}=25^{circ}C$,$L = 0.47 mH$,$I{AS}=91 A$,$V{DD}=72 V$(電感充電時(shí)),$V{DD}=0 V$(雪崩期間)。

4. 電氣特性

特性 條件 最小值 典型值 最大值 單位
BVDSS $I{D}=1 mA, V{GS}=0 V$
VGS(th) 2 4.6 V
VSD $I{SD}=160 A, V{GS}=0 V$ 1.1 V
Measured $V{GS}=12 V, I{D}=160 A, T_{J}=25^{circ}C$ 0.757 1.039
$V{GS}= pm 20 V, V{DS}=0 V, T_{J}=25^{circ}C$ -100 nA
$V{DS}=80 V, V{GS}=0 V, T_{J}=25^{circ}C$ 2 μA
Module RDS(ON) for Q1 and Q2 1.024 1.355
Module RDS(ON) for Q3 and Q4 $V{GS}=12 V, I{D}=160 A, T_{J}=25^{circ}C$ 1.270

5. 電阻測(cè)量方法

+ Force Pin# - Force Pin# + Sense Pin# - Sense Pin#
FET Rdson Q1 B1+ Phase1 B1+ Sense Q1 Source Sense
FET Rdson Q2 B2+ Phase2 B2+ Sense Q2 Source Sense
FET Rdson Q3 Phase1 GND Q1 Source Sense Q3 Source Sense
FET Rdson Q4 Phase2 GND Q2 Source Sense Q4 Source Sense
Module Rdson Q1 B1+ Phase1 B1+ Phase1
Module Rdson Q2 B2+ Phase2 B2+ Phase2
Module Rdson Q3 Phase1 GND Phase1 GND
Module Rdson Q4 Phase2 GND Phase2 GND

6. 溫度感測(cè)(NTC熱敏電阻)

參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
電壓 電流 = 1 mA,溫度 = 25 °C 7.5 12 V

7. 熱阻

參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位
Rthjc : 熱阻結(jié)到外殼,單逆變器FET Q1, Q2, Q3, Q4熱阻J - C 0.21 °C/W

8. 隔離電壓

測(cè)試 測(cè)試條件
泄漏 @ 隔離電壓(高壓測(cè)試) VAC 時(shí)間 250 μA

9. 動(dòng)態(tài)和開(kāi)關(guān)特性

符號(hào) 參數(shù) 條件 典型值 單位
Coss 輸出電容 24350 pF
柵極電阻
Qgs 柵源柵極電荷 VGS = 0 to 10 V, ID = 160 A 320 nC
Qgd 柵漏“米勒”電荷 54
導(dǎo)通延遲時(shí)間 $V{DD}=48 V, I{D}=400 A$ ns
tr 298 ns
關(guān)斷延遲時(shí)間
tf 196 ns
toff 關(guān)斷時(shí)間 ns
RR 反向恢復(fù)時(shí)間 55 ns
QRR 2005

10. 組件信息

組件 描述 類(lèi)型 數(shù)量 規(guī)格
MOSFET $7,874 times 5,588 mu m$ 80 V
NTC 分立元件 B - 常數(shù)B25/50 = 3380K,B25/85 = 3435K,B25/100 = 3455K
電容器(緩沖器) 1,600 x 800 μm 2 15 nF
2,000 x 1,250 μm

四、典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān)能力、飽和特性、RDSON與柵極電壓和溫度的關(guān)系、歸一化柵極閾值電壓與溫度的關(guān)系、歸一化漏源擊穿電壓與結(jié)溫的關(guān)系、電容與漏源電壓的關(guān)系、柵極電荷與漏源電壓的關(guān)系、安全工作區(qū)、傳輸特性和體二極管電流等。這些曲線有助于工程師更好地了解模塊在不同條件下的性能表現(xiàn)。

五、機(jī)械特性和額定值

參數(shù) 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
器件平整度 參考封裝尺寸 0 150 μm
安裝扭矩 安裝螺絲:M3,推薦0.7 N ? m 0.4 1.4(注5) N ? m
重量 23.6 g

注5:最大扭矩額定值可能因螺絲類(lèi)型(如螺絲頭直徑、是否使用墊圈)而異。如果采用特殊的螺絲安裝方法,請(qǐng)聯(lián)系onsemi獲取正確的安裝條件信息。

六、總結(jié)

onsemi的NXV08H350XT1汽車(chē)功率MOSFET模塊憑借其出色的特性、廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和詳細(xì)的規(guī)格參數(shù),為汽車(chē)電子工程師提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合模塊的特性和參數(shù),優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),提高系統(tǒng)的性能和可靠性。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似的功率MOSFET模塊?你認(rèn)為哪些特性對(duì)你的設(shè)計(jì)最為重要呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和看法。

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