onsemi NXH80B120MNQ0SNG碳化硅模塊:高效與可靠的新選擇
在電力電子設(shè)計領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)憑借其卓越的性能優(yōu)勢,正逐漸成為工程師們的首選。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)的 NXH80B120MNQ0SNG 碳化硅模塊,看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些驚喜。
文件下載:NXH80B120MNQ0-D.PDF
產(chǎn)品概述
NXH80B120MNQ0SNG 是一款包含雙升壓級的功率模塊,集成了 SiC MOSFET 和 SiC 二極管,具有低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的特點,能夠幫助設(shè)計師實現(xiàn)高效率和卓越的可靠性。該模塊采用 Q0 封裝,適用于太陽能逆變器、不間斷電源等典型應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
高性能器件
- SiC MOSFET:具備 1200V、80mΩ 的參數(shù),為電路提供了穩(wěn)定的功率輸出。
- SiC 二極管:具有低反向恢復(fù)和快速開關(guān)的特性,有效降低了開關(guān)損耗。
- 旁路和反并聯(lián)二極管:耐壓達(dá) 1600V,增強(qiáng)了模塊的穩(wěn)定性。
其他特性
- 低電感布局:減少了電磁干擾,提高了電路的穩(wěn)定性和效率。
- 可焊接引腳:方便進(jìn)行電路板的組裝和焊接。
- 熱敏電阻:可實時監(jiān)測模塊的溫度,確保其在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。
環(huán)保特性
該模塊為無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了安森美對環(huán)保的重視。
電氣特性
絕對最大額定值
在 $T_{J}=25^{circ}C$ 的條件下,該模塊的一些關(guān)鍵絕對最大額定值如下:
- 連續(xù)漏極電流($V{GS}=20V$,$T{C}=80^{circ}C$):未明確給出具體數(shù)值。
- 脈沖漏極電流($T{C}=80^{circ}C$,$T{J}=175^{circ}C$):69A。
- 最小工作結(jié)溫: -40°C。
- 峰值重復(fù)反向電壓:1200V。
- 最大結(jié)溫:150°C。
推薦工作范圍
模塊的工作結(jié)溫范圍為 -40°C 至 ($T_{JMAX}$ – 25)°C,超出此范圍可能會影響器件的可靠性。
電氣參數(shù)
在 $T_{J}=25^{circ}C$ 的條件下,部分關(guān)鍵電氣參數(shù)如下:
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻:4.3mΩ。
- 每脈沖導(dǎo)通開關(guān)損耗:13.7μJ。
- 每脈沖關(guān)斷開關(guān)損耗:29.56μJ。
- 熱阻(芯片到散熱器):1.33K/W。
典型特性
文檔中給出了 MOSFET、升壓二極管和旁路二極管的典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、正向特性等,這些曲線可以幫助工程師更好地了解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
開關(guān)特性
- MOSFET 開關(guān)特性:展示了典型的導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗、導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間與漏極電流、柵極電阻的關(guān)系曲線。
- 升壓二極管開關(guān)特性:包括反向恢復(fù)能量損耗、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)電荷、反向恢復(fù)峰值電流等與漏極電流、柵極電阻的關(guān)系曲線。
瞬態(tài)熱阻抗特性
給出了 MOSFET、升壓二極管和旁路二極管的瞬態(tài)熱阻抗曲線,有助于工程師進(jìn)行熱設(shè)計和散熱方案的優(yōu)化。
其他特性
還包括柵極電荷、電容電荷、安全工作區(qū)(SOA)和熱敏電阻特性等曲線,為工程師提供了全面的設(shè)計參考。
機(jī)械尺寸和安裝信息
文檔提供了模塊的機(jī)械外殼輪廓和封裝尺寸,以及推薦的安裝模式和安裝孔細(xì)節(jié)。這些信息對于電路板的布局和模塊的安裝至關(guān)重要,工程師可以根據(jù)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行精確的設(shè)計。
總結(jié)
NXH80B120MNQ0SNG 碳化硅模塊憑借其高性能的 SiC 器件、低損耗特性和豐富的電氣參數(shù),為太陽能逆變器、不間斷電源等應(yīng)用提供了一個可靠的解決方案。工程師在設(shè)計過程中,可以根據(jù)文檔中的各項特性和參數(shù),結(jié)合實際應(yīng)用需求,充分發(fā)揮該模塊的優(yōu)勢,實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計。你在實際應(yīng)用中是否使用過類似的碳化硅模塊?遇到過哪些問題?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
發(fā)布評論請先 登錄
探索 onsemi NXH40B120MNQ0SNG 雙升壓功率模塊的卓越性能
探索NXH80B120MNQ0SNG雙升壓電源模塊:高效與可靠的完美結(jié)合
3 Channel Boost Q1 Power Module NXH40B120MNQ1SNG產(chǎn)品解析
onsemi NXH80B120MNQ0SNG碳化硅模塊:高效與可靠的新選擇
評論