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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體SGT MOSFET產(chǎn)品在5G基站電源中的應(yīng)用

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 來源:MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 2026-04-29 15:18 ? 次閱讀
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01 5G基站電源概述

5G基站是實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無線終端之間信號(hào)傳輸?shù)暮诵脑O(shè)備,主要包括宏基站和小基站。由于5G通信設(shè)備功耗較大,通常采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜進(jìn)行供電。因此,5G電源即指專為5G通信設(shè)備設(shè)計(jì)的電源系統(tǒng)。

02 5G基站電源發(fā)展趨勢(shì)

目前,5G基站供電系統(tǒng)主要分為兩大類:

UPS供電系統(tǒng)、HVDC供電系統(tǒng)

未來5G基站電源的發(fā)展趨勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

解決方案小型化、高頻化設(shè)計(jì)、高可靠性、高效率提升。

03 5G電源中的MOS

為滿足5G電源系統(tǒng)對(duì)高效率、低損耗、小型化的需求,MDD半導(dǎo)體推出多款SGT MOSFET產(chǎn)品,適用于不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):

01PFC與Flyback線路推薦:SGT MOSFET系列

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導(dǎo)通電阻極低:可大幅降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。

高電流能力:適合高功率密度應(yīng)用如服務(wù)器電源、通信電源等。

優(yōu)異的開關(guān)性能:開關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)損耗低。

軟恢復(fù)體二極管:有效抑制EMI,提升系統(tǒng)可靠性。

ef966706-3fbb-11f1-90a1-92fbcf53809c.jpg

小型化封裝:適合空間受限的PCB設(shè)計(jì)。

低柵極驅(qū)動(dòng)要求:適合低功耗驅(qū)動(dòng)電路。

高開關(guān)頻率能力:適合高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器。

體二極管恢復(fù)快:用于同步整流和續(xù)流應(yīng)用。

02同步整流線路推薦:低壓SGT MOS系列

為適應(yīng)系統(tǒng)高效率和小型化趨勢(shì),同步整流線路推薦使用MDD SGT MOS系列,具備以下優(yōu)勢(shì):

SGT溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)、更高工藝穩(wěn)定性和可靠性、更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷、更高應(yīng)用效率

efebb076-3fbb-11f1-90a1-92fbcf53809c.png

04 選型推薦

針對(duì)5G線路圖的中電源部分,為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,同步整流線路推薦使用MDD低壓SGT MOS系列,點(diǎn)擊下方型號(hào)可直接獲取產(chǎn)品詳細(xì)資料。

Part Number Package
MDDG10R08D TO-252
MDD68N10D TO-252
MDD50N10D TO-252
MDDG10R20D TO-252
MDDG10R08G PDFN5*6-8L
MDDG10R04P TO-220C-3L
MDDG10R08P TO-220C-3L
MDDG10R04B TO-263

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域18載,始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng),以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個(gè)國(guó)家與地區(qū)。

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原文標(biāo)題:MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出SGT MOS,專注5G基站電源應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):MDD辰達(dá)行電子,微信公眾號(hào):MDD辰達(dá)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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