安森美NVT2016N090M2碳化硅MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程師的設(shè)計世界里，尋找一款性能卓越、品質(zhì)可靠的功率MOSFET至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解安森美（onsemi）推出的NVT2016N090M2碳化硅（SiC）單通道N溝道MOSFET，看看它如何在眾多產(chǎn)品中脫穎而出。

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產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻與低電荷

NVT2016N090M2具有超低的導(dǎo)通電阻，典型值 (R{DS(on)}=16 mOmega)（@ (V{GS}=18 V)），這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，它能有效降低功率損耗，提高能源效率。同時，其超低的柵極電荷（典型值 (Q{G(tot)}=250 nC)）和低有效輸出電容（典型值 (C{oss}=310 pF)），使得開關(guān)速度更快，進一步減少了開關(guān)損耗。

高可靠性與兼容性

該器件經(jīng)過100% UIL測試，符合AEC - Q101標準，適用于汽車等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景。此外，它是無鹵的，符合RoHS指令豁免7a的要求，并且在二級互連（2LI）上是無鉛的，體現(xiàn)了環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的理念。

典型應(yīng)用

NVT2016N090M2在汽車領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，主要包括汽車車載和非車載充電器，以及電動汽車（EV）/混合動力汽車（HEV）的DC/DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中，其高性能和高可靠性能夠為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率支持，滿足汽車電子系統(tǒng)對效率和安全性的嚴格要求。

關(guān)鍵參數(shù)與性能

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱阻會受到整個應(yīng)用環(huán)境的影響，并非恒定值，僅在特定條件下有效。

電氣特性

在 (TJ = 25 °C) 時，該器件的電氣特性表現(xiàn)出色。例如，在關(guān)斷特性方面，當 (V{GS}=0 V, I{D}=1 mA) 或 (V{GS}=-5 V, I{D}=1 mA) 時，漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 為 900 V；柵源泄漏電流 (I{GSS}) 在 (V{GS}= +22V, V_{DS}=0V) 時，范圍為 -250 至 250 nA。

在導(dǎo)通特性方面，推薦柵極電壓 (V{GSOP}) 為 +18 V，當 (V{GS}=18 V, I{D}=60 A, T{J}=25 °C) 時，導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) 典型值為 16 mΩ。

開關(guān)特性

在開關(guān)特性方面，開啟延遲時間 (t{d(on)}) 在 (V{GS}=-5 / +18 V, V{DS}=720 V, I{D}=60 A, R{G}=2.5 Omega) 條件下為 23 ns，關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 為 50 ns。

漏源二極管特性

漏源二極管的反向恢復(fù)時間 (t{RR}) 典型值為 24 ns，反向恢復(fù)電荷 (Q{RR}) 為 570 nC，反向恢復(fù)峰值電流 (I_{RRM}) 為 47 A。

封裝與訂購信息

NVT2016N090M2采用T2PAK - 7L封裝，每盤800個，采用帶盤包裝。關(guān)于帶盤規(guī)格的詳細信息，可參考安森美的帶盤包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。

總結(jié)

安森美NVT2016N090M2碳化硅MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低電荷、高可靠性等特性，在汽車電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計相關(guān)電路時，可以充分考慮該器件的優(yōu)勢，以提高系統(tǒng)的性能和可靠性。不過，在實際應(yīng)用中，還需要根據(jù)具體的設(shè)計要求和工作條件，對器件的各項參數(shù)進行仔細評估和驗證，確保其能夠滿足設(shè)計目標。大家在使用這款MOSFET時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。