onsemi碳化硅MOSFET NVH4L032N065M3S：高性能解決方案

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）MOSFET——NVH4L032N065M3S，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。

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產(chǎn)品概述

NVH4L032N065M3S是一款650V的碳化硅MOSFET，屬于EliteSiC系列，采用TO - 247 - 4L封裝。它具有一系列出色的特性，使其在眾多應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。

主要特性

低導(dǎo)通電阻

在 (V{GS}=18V) 時(shí)，典型的 (R{DS(on)} = 32mOmega)，低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗更低，從而提高了系統(tǒng)的效率。這對(duì)于需要處理高功率的應(yīng)用來說尤為重要，比如汽車充電器和DC - DC轉(zhuǎn)換器。

超低柵極電荷

柵極總電荷 (Q_{G(tot)} = 55nC)，超低的柵極電荷使得器件在開關(guān)過程中所需的驅(qū)動(dòng)能量更少，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。

高速開關(guān)與低電容

輸出電容 (C_{oss}=114pF)，低電容特性使得器件在開關(guān)過程中能夠快速充放電，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用。

雪崩測(cè)試與可靠性

該器件經(jīng)過100%雪崩測(cè)試，并且符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備PPAP能力，這意味著它在汽車等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用中能夠穩(wěn)定工作。同時(shí)，它是無鹵的，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（豁免7a），并且在二級(jí)互連處是無鉛的。

應(yīng)用場(chǎng)景

汽車車載充電器

在電動(dòng)汽車的車載充電器中，NVH4L032N065M3S的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性能夠有效提高充電效率，減少充電時(shí)間，同時(shí)降低充電器的發(fā)熱，提高系統(tǒng)的可靠性。

電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC - DC轉(zhuǎn)換器

對(duì)于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的DC - DC轉(zhuǎn)換器，該器件能夠在高壓和高功率的環(huán)境下穩(wěn)定工作，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，為車輛的電氣系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。例如，30A的連續(xù)漏極電流是受封裝限制的，如果受最大結(jié)溫限制，功率芯片的最大漏極電流可達(dá)35A。單脈沖雪崩能量 (E{AS}) 是基于起始結(jié)溫 (T{J}=25^{circ}C)、電感 (L = 1mH)、雪崩電流 (I{AS}=16.7A)、電源電壓 (V{DD}=100V) 和柵源電壓 (V_{GS}=18V) 計(jì)算得出的。

熱特性

熱阻 (R_{theta JA})（結(jié)到環(huán)境）為40，需要注意的是，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，它不是一個(gè)常數(shù)，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)的具體值未給出。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta V_{(BR)DSS}/Delta T)：為90mV/°C。
• 漏電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=650V)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)未給出，在 (V{DS}=650V)，(T_{J}=175^{circ}C) 時(shí)最大為500μA。
• 柵源漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS}=-8/+22V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)最大為±1.0。

導(dǎo)通特性

• 導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=18V) 時(shí)典型值為32mΩ，最大值為44mΩ；在 (V{GS}=15V)，(I{D}=15A)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為41mΩ；在 (V{GS}=15V)，(I{D}=15A)，(T{J}=175^{circ}C) 時(shí)為49mΩ。
• 柵極閾值電壓 (V_{TH})：在2 - 4V之間。
• 正向跨導(dǎo) (g_{FS})：典型值為9.9。

電荷、電容與柵極電阻

• 輸入電容 (C_{iss})：為1410pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：為114pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：為9.2pF。
• 總柵極電荷 (Q{G})：在 (V{DD}=400V)，(I_{D}=15A) 時(shí)為55nC。
• 柵源電荷 (Q{GS}) 和柵漏電荷 (Q{GD}) 未給出具體值。
• 柵極電阻 (R_{G})：在 (f = 1MHz) 時(shí)未給出具體值。

開關(guān)特性

在 (V{GS}=-3/18V)，(V{DD}=400V)，(I{D}=15A)，(R{G}=4.7Omega)，(T_{J}=25^{circ}C) 條件下：

• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)}) 為31ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r}) 為12ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f}) 未給出。
• 開通開關(guān)損耗 (E_{ON}) 為33μJ。
• 關(guān)斷開關(guān)損耗 (E_{OFF}) 未給出。
• 總開關(guān)損耗 (E_{TOT}) 為49μJ。

在 (T{J}=175^{circ}C) 時(shí)，開通延遲時(shí)間 (t{d(on)}) 為7.8ns，上升時(shí)間 (t{r}) 為12ns，下降時(shí)間 (t{f}) 為11ns，開通開關(guān)損耗 (E{ON}) 為31μJ，關(guān)斷開關(guān)損耗 (E{OFF}) 為25μJ，總開關(guān)損耗未給出。

源漏二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (I{SD}=15A)，(V{GS}=-3V)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)未給出具體值。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t{rr})：在 (V{GS}=-3V)，(I{S}=15A)，(dl/dt = 1000A/μs)，(V{DS}=400V)，(T_{J}=25^{circ}C) 時(shí)為15.5ns。
• 充電時(shí)間 (t_{a}) 為8.9ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR}) 為72nC。
• 反向恢復(fù)能量 (E_{REC}) 為4.6μJ。
• 峰值反向恢復(fù)電流 (I_{RRM}) 為9.3A。

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、導(dǎo)通電阻與柵極電壓、漏極電流、結(jié)溫的關(guān)系，電容特性、柵極電荷特性、反向?qū)ㄌ匦浴踩ぷ鲄^(qū)、雪崩電流與脈沖時(shí)間的關(guān)系、最大功耗與殼溫的關(guān)系、電感開關(guān)損耗與漏極電流、漏極電壓、柵極電阻的關(guān)系以及熱響應(yīng)特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能，為電路設(shè)計(jì)提供參考。

封裝尺寸

該器件采用TO - 247 - 4L封裝，文檔中詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息，包括各個(gè)尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)，工程師需要根據(jù)這些尺寸信息合理布局，確保器件的安裝和散熱。

總結(jié)

總的來說，安森美（onsemi）的NVH4L032N065M3S碳化硅MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷、高速開關(guān)和高可靠性等特性，在汽車車載充電器和DC - DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分利用這些特性，提高系統(tǒng)的性能和效率。同時(shí)，在使用過程中，要嚴(yán)格遵守器件的最大額定值和工作條件，確保器件的正常工作。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過類似的碳化硅MOSFET呢？遇到過哪些問題？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。