近期，臺(tái)積電開(kāi)始多次提到它的一個(gè)新技術(shù)－「系統(tǒng)整合單晶片（System-on-Integrated-Chips；SoIC）」，而在昨天的法說(shuō)會(huì)上，更具體的提出量產(chǎn)的時(shí)間，預(yù)計(jì)在2021年，臺(tái)積電的SoIC技術(shù)就將進(jìn)行量產(chǎn)。

究竟什么是SoIC？根據(jù)臺(tái)積電在之前的技術(shù)論壇上的說(shuō)明，所謂SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆棧技術(shù)，能對(duì)10納米以下的制程進(jìn)行晶圓級(jí)的接合技術(shù)。該技術(shù)沒(méi)有突起的鍵合結(jié)構(gòu)，因此有更佳運(yùn)作的性能。

所以從描述上來(lái)看，它就是一種晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的接合（bonding）技術(shù)，目前臺(tái)積電也正在EDA工具商就此進(jìn)行合作，推出此制程技術(shù)的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證工具。

更具體的說(shuō)，它可能是一種3D IC制程的技術(shù)，也就是臺(tái)積電可能已具備直接位客戶(hù)生產(chǎn)3D IC的能力。此技術(shù)不僅可以持續(xù)維持摩爾定律，也可望進(jìn)一步突破單一芯片運(yùn)行效能。

該技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵就在于達(dá)到?jīng)]有凸起的接合結(jié)構(gòu)，因此它非?？赡苁遣捎霉鑼?dǎo)孔（Through-silicon Vias；TSV）技術(shù)，直接透過(guò)極微小的孔隙來(lái)溝通多層的芯片。

但令人更驚艷的是，臺(tái)積電的SoIC技術(shù)能使用在10納米以下的制程，這意味著未來(lái)的芯片能在接近相同的體積里，增加雙倍以上的性能。因此連臺(tái)積電自己都非?？春眠@項(xiàng)制程技術(shù)。