據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，日前傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。SK海力士2018年下半，則是將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進(jìn)度正在加速，DRAM只會(huì)進(jìn)行小規(guī)模補(bǔ)強(qiáng)與轉(zhuǎn)換投資。(參見(jiàn)DIGITIMES《韓國(guó)存儲(chǔ)器廠重整投資步伐三星DRAM新產(chǎn)線投資放緩、SK海力士加速NAND Flash新廠量產(chǎn)》)

這則新聞其實(shí)是意料中的事，但卻不是因?yàn)楣拘Q的市場(chǎng)因素，也不是媒體所猜測(cè)的國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能將陸續(xù)釋出的緣故。要講究，我猜是技術(shù)面的原因。

多年前我負(fù)責(zé)公司的技術(shù)授權(quán)和技術(shù)共同開(kāi)發(fā)談判，技術(shù)共同開(kāi)發(fā)一向難談，因?yàn)檫@是雙方核心利益，可是那次對(duì)方居然爽快的答應(yīng)了。在談判桌上輕易得來(lái)的利益要戒慎恐懼，因?yàn)槠渲锌赡懿赜幸曇爸獾乃澜?。想了很久才想明白，?duì)方已有另外的技術(shù)驅(qū)動(dòng)(technology driver)產(chǎn)品，而我們所談的技術(shù)合作產(chǎn)品整整落后兩個(gè)世代，是無(wú)關(guān)緊要的副產(chǎn)品，是以好談。事后產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)果然也一如預(yù)期。

回看這則新聞，單純從市場(chǎng)面看是有點(diǎn)反智的。DRAM市場(chǎng)目前價(jià)格并不差，反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？但是技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，看新聞得從這角度。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標(biāo)的能見(jiàn)度已至512層－3D Flash做為高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長(zhǎng)可久，投資于此，理所當(dāng)然。

DRAM制程推進(jìn)已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進(jìn)到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對(duì)于一個(gè)商業(yè)公司，最合理的是采取收割策略，少量投資，改善良率，并且利用韓國(guó)機(jī)器設(shè)備3年折舊的制度，在未來(lái)的DRAM市場(chǎng)持續(xù)保有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，獲得最大利益。

DRAM自然也不會(huì)從此就從市場(chǎng)上消失。在CPU與NAND Flash的速度還存有巨大落差，這是目前存儲(chǔ)器體制(memory hierarchy)的現(xiàn)況。所以合理的情境是已有新興存儲(chǔ)器(emergent memories)的技術(shù)已接近成熟，可以填補(bǔ)這個(gè)區(qū)位，是以兩家大廠膽敢停止于DRAM的投資。從目前各新興存儲(chǔ)器的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，讀寫(xiě)速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，于功耗問(wèn)題大有好處。這些技術(shù)也都可以3D堆疊，在每位元價(jià)格上，遲早能跟DRAM競(jìng)爭(zhēng)。所以我的臆測(cè)是這樣的投資型態(tài)意味著新型態(tài)記體快要問(wèn)世了。

另外一個(gè)附帶的小問(wèn)題是：對(duì)于目前急于踏入DRAM市場(chǎng)競(jìng)逐的新廠商，營(yíng)運(yùn)計(jì)劃中對(duì)這可能存在的產(chǎn)業(yè)大轉(zhuǎn)彎，你們可有plan B？