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美光計劃2019年底量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師曾暄茗 ? 2018-11-03 09:57 ? 次閱讀
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隨著科技的發(fā)展,DIY行業(yè)又一次迎來了春天,各類產(chǎn)品層出不窮,而美光成為內(nèi)存的老牌廠商,為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備,近日,內(nèi)部有消息稱,美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)。

作為DDR4內(nèi)存的繼任者,DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日,美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細規(guī)格。

從美光公布的文件來看,DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步,最高可達單條32GB,I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps,同時電壓1.1V,內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。

DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量,而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度,電源電壓降至1.1 V,允許的波動范圍為3%(即±0.033V)。每個模塊使用兩個獨立的32/40位通道(不使用/或使用ECC)。此外,DDR5將具有改進的命令總線效率(因為通道將具有其自己的7位地址(添加)/命令(Cmd)總線),更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

事實上,Cadence甚至表示,與DDR4相比,改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36%,即使在3200 MT / s(此聲明必須進行測試)和4800 MT / s速度開始,與DDR4-3200相比,實際帶寬將高出87%。與此同時,DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片芯片密度。

此外,美光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品,并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。

在日前美光公布的2018財年第四季度和全年財報中可以看出截止美光第四財季收入84.40億美元(均按GAAP),同比增長37.5%,毛利率61.0%,同比提高10.3個百分點,凈利潤43.25億美元,同比增長82.6%。

整個2018財年美光的財務(wù)報表更是異常搶眼:收入303.91億美元,同比增長49.5%,毛利率58.9%,同比提高17.4個百分點,凈利潤141.35億美元,同比大漲178%!

DRAM內(nèi)存貢獻了美光總收入的超過70%,是絕對的主力,而且同比增長了47%,毛利率更是高達恐怖的71%,而且均價還在穩(wěn)定或微漲。NAND閃存收入占比也超過25%,增長21%,毛利率也有48%。

美光CEO Sanjay Mehrotra更是表示,在創(chuàng)紀錄業(yè)績的支撐下,美光已經(jīng)成為僅次于Intel的美國第二大半導(dǎo)體企業(yè)。

作為半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱的存儲器產(chǎn)業(yè),競爭的重點集中在制造工藝和產(chǎn)能,從而為有效降低成本,最終贏得市場提供保證,生產(chǎn)制造能力是存儲器廠商的核心競爭力。

對于美光科技這家內(nèi)存和儲存巨擘來說,現(xiàn)在正值充滿挑戰(zhàn)的時期,因為他們已在儲存領(lǐng)域落后于三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)等競爭對手。其混合內(nèi)存立方體(Hybrid Memory Cube;HMC)和Automata處理器等突破性產(chǎn)品,未能取得明顯的成長動能,再加上與英特爾(Intel)共同設(shè)計的3DXPoint內(nèi)存延遲,而使得美光的收益被推遲至2020年。

美光科技的高層認為,深度學(xué)習(xí)的崛起將有助于推動對于內(nèi)存和儲存的需求。這筆1億美元的創(chuàng)投基金將有助于美光科技利用AI趨勢擴展該公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash內(nèi)存等應(yīng)用領(lǐng)域,其目標(biāo)在于借由投資于AI的硬件、軟件和服務(wù),從而推動該公司的成長,特別是在該公司看好的自動駕駛、AR/VR以及工廠自動化等技術(shù)領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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