對(duì)于芯片行業(yè)而言，2018年是一個(gè)特殊的年份，這一年各大芯片公司如三星臺(tái)積電紛紛宣布將會(huì)量產(chǎn)7nm制程芯片;這一年中國宣布全面介入芯片領(lǐng)域;這一年是EUV光刻成功投入商業(yè)化。雖說目前的EUV光刻還存在一定的問題，例如光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有達(dá)到理想狀態(tài)，但是可以預(yù)見的是，7nm制程工藝已經(jīng)馬上就要到來。

隨著摩爾定律的推進(jìn)，人類在微觀世界越走越遠(yuǎn)，光刻慢慢進(jìn)入到了詭譎的量子領(lǐng)域，業(yè)界懷疑過現(xiàn)在的制程是否已經(jīng)到達(dá)人類的極限。對(duì)此，世界上最先進(jìn)的***制造公司ASML的研究部主管對(duì)此有不同的看法，他認(rèn)為，摩爾定律至少可以推進(jìn)到2030年，制程可以到達(dá)1.5納米。

ASML公司是全世界在***領(lǐng)域走的最遠(yuǎn)的公司，2018年宣布量產(chǎn)的7nm制程芯片便是由ASML公司制造的EUV***生產(chǎn)的。之前為了研究極紫外***（EUV），ASML公司投入了數(shù)百億歐元和幾十年的研究時(shí)間。目前， ASML公司正在研究如何進(jìn)一步提高***的數(shù)值孔徑，以優(yōu)化EUV***的分辨率。

數(shù)值孔徑NA對(duì)于***分辨率的影響，可以用一個(gè)公式來說清楚，***的分辨率=k1*λ/NA，k1是常數(shù)，不同的***有不同的k1，λ是工作波長，目前的EUV光刻使用的是13.5nm的極紫外光，NA是分辨率的數(shù)值孔徑。從公式里很清楚地看到，在確定***類型和工作波長之后，數(shù)值孔徑越大，分辨率越低，制程也就越先進(jìn)。

不久前，ASML宣布和IMEC比利時(shí)微電子中心合作，希望將***數(shù)值孔徑從0.33提高到0.5，用以制造制程3nm以下的晶體管。此前，ASML公司為提高數(shù)值孔徑，曾經(jīng)收購過德國卡爾蔡司公司的半導(dǎo)體子公司。