ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發(fā)極紫外（EUV）***，其公司認為，一旦當今的系統(tǒng)達到它們的極限，就將需要使用極紫外***來繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。

ASML 5000將依賴于對3400系列的一系列改進。目前英特爾、三星和臺積電等客戶都在使用3400系列。Yen在本周于舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議（IEEE International Electron Device Meeting）上對參會的工程師們表示，最引人注目的是該機器的數(shù)值孔徑將從現(xiàn)在的0.33增加到0.55。數(shù)值孔徑是一個無量綱的數(shù)，它與聚光能力有關(guān)。數(shù)值孔徑越大意味著分辨率越高。改變EUV***的數(shù)值孔徑將需要一套更大、拋光更完美的成像鏡。

EUV光是用來自高能二氧化碳激光器的雙脈沖轟擊微小錫滴而產(chǎn)生的。第一個脈沖將錫滴重新塑造成模糊的薄餅形狀，這樣更加強大且與之相隔僅3微秒緊隨其后發(fā)射的第二個脈沖就可以將錫轟擊成發(fā)出13.5納米光的等離子體。然后，光被收集、聚焦，并從圖案化的掩模上反射出來，這樣圖案就會投射到硅晶圓上。

ASML提高了機器每小時可以處理的晶圓的數(shù)量，這很大程度上是通過產(chǎn)生更高的光功率來實現(xiàn)的。光功率越高意味著晶圓的曝光速度越快。在195瓦特時，它們每小時可以處理125個晶圓；今年早些時候，它們的處理速度達到了在246瓦特時每小時可處理140個晶圓。該公司全年都在對客戶的機器進行改造，以達到更高的標準。

下一代機器將需要更高的EUV瓦數(shù)。在實驗室中，ASML已突破了410 W，但尚未達到足以滿足芯片生產(chǎn)的占空比。更強大的激光器將有所幫助，可能會提高錫滴被擊打的速度。在現(xiàn)在的機器中，錫滴每秒被射出5萬次，但Yen表示，錫滴發(fā)生器可以以8萬赫茲的頻率運行。

與此同時，該公司正在改進其3400系列的性能。新版本3400C將于2019年下半年發(fā)布，它每小時可以處理超過170個晶圓。其發(fā)展中的一個痛點與極其昂貴的掩膜有關(guān)，這些掩膜可以將圖案投射到硅片上。用來保護掩模免受游離粒子影響的被稱為薄膜的覆蓋物吸收了太多的光線。ASML表示，現(xiàn)有的薄膜傳輸83％的光，這將產(chǎn)量降低到了每小時116個晶圓。Yen說，目標是將傳輸率提高到90％。但ASML也在努力研究怎樣保持機器內(nèi)部更干凈，這樣客戶就可以放心地使用沒有薄膜的掩模。

Yen表示，ASML預(yù)計到2018年底將出貨18臺機器，并計劃在2019年出貨30臺。然而，該公司本周二說，供應(yīng)商Prodrive遭遇的火災(zāi)將會使2019年的交付有所推遲。今年8月，當GlobalFoundries宣布停止7納米芯片的研發(fā)時，ASML失去了一位知名客戶。停止研發(fā)7納米芯片的舉動使GlobalFoundries對在2017年和2018年安裝的兩臺EUV機器的需求消失了。