經(jīng)過兩年多的漲價潮，DRAM的風光不再。年初開始，NAND閃存價格已出現(xiàn)疲軟，并將持續(xù)到2019年。而DRAM內(nèi)存價格也在今年三季度由漲轉跌，平均價格跌幅達10-15%。三星、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等紛紛調整產(chǎn)出量、減緩投資計劃，下調資本支出等，以便“彌補損失”。

三星、海力士紛紛計劃減產(chǎn)

根據(jù)韓國方面消息，三星2018年第4季營業(yè)預期利益已從15萬億韓元下調至14.298萬億韓元。SK海力士也將2018年第4季營業(yè)預期利益從6.4724萬億韓元下調至5.6403萬億韓元。

據(jù)悉，三星目前已經(jīng)削減了存儲芯片擴產(chǎn)計劃以阻止價格進一步下滑，其表示2018年DRAM內(nèi)存的產(chǎn)量位元增長率（bit growth）將低于年初預測的20%，而NAND閃存的位元增長率將為30%（此前預測為40%）。同時，根據(jù)相關消息顯示，三星2019年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%。

另一邊，SK海力士在此前的2018Q3財報會議上亦表示，將調整在2019年第1季末開始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器的M15工廠產(chǎn)能，以降低SK海力士對DRAM的依賴。而位于無錫的C2工廠，也將把原來2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產(chǎn)制程，優(yōu)化成1xnm(10nm后期)的產(chǎn)品，以降低生產(chǎn)成本，并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于，以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器為主的M11工廠，則將把2D NAND Flash轉換為生產(chǎn)3D NAND Flash，也是因為就生產(chǎn)成本來進行的考量。

美光財報引發(fā)業(yè)界擔憂

上周三，美國存儲器大廠美光公司發(fā)布了截至11月29日的2019財年一季度財報。數(shù)據(jù)顯示，美光公司當季營收79.1億美元，同比增長16%，毛利率達到了58%，凈利潤32.9億美元，同比增長23%。雖然整體業(yè)績還是在增長的，但是相比上個季度已經(jīng)放緩了，主要原因就是NAND閃存大幅降價，DRAM內(nèi)存芯片也由漲轉跌，影響了公司的毛利率。

美光方面預計，2019年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15%，低于此前預期的20%；這直接導致DRAM和NAND需求將減弱，NAND閃存芯片也只會增長35%，低于此前預計的35-40%。因此公司下調了第二財季的營收，預計為57億到63億美元之間，低于分析師預期的73億美元。

為了解決供過于求的問題，美光公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在隨后的電話會議上表示，“正采取果斷行動，包括大幅降低2019財年資本開支”，減少NAND 及DRAM產(chǎn)量以維持價格。

具體來看，美光計劃將明年全年的資本支出下調12.5億美元降至95億美元，主要減少的是汽車、智能手機以及數(shù)據(jù)中心等市場上的存儲芯片產(chǎn)能，美光認為這些領域的需求量將低于預期。

業(yè)內(nèi)指出，半導體下游應用需求端的疲軟是對明年最大的擔憂，美光的財報恰恰反映了這一點。認為包括通訊電子、消費電子、汽車電子等在內(nèi)的下游應用明年均將出現(xiàn)增速放緩，某些細分領域甚至有可能出現(xiàn)倒退。