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Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器

獨愛72H ? 來源:劉林華 ? 作者:電子發(fā)燒友 ? 2019-01-01 15:48 ? 次閱讀
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ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。

ramtron的v系列f-ram產(chǎn)品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外設(shè)接口 (spi) 的非易失性ram,采用8腳soic封裝,其特點是快速訪問、無延遲(nodelay?) 寫入、1e14讀/寫次數(shù)和低功耗。fm25v10是工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計算機等應用領(lǐng)域1mb串行閃存和串行eeprom存儲器的理想代替產(chǎn)品。此外,ramtron已計劃在2008年陸續(xù)推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram產(chǎn)品。

ramtron市場拓展經(jīng)理duncan bennett解釋道:“我們的v系列f-ram產(chǎn)品能夠滿足客戶對低工作電壓及集成功能的需求,比如說減小板卡空間及降低裝配成本和器件成本。我們的高密度f-ram生產(chǎn)工藝已經(jīng)擴展了產(chǎn)品的性能特性,使到v系列f-ram產(chǎn)品可在很寬泛的電壓范圍工作?!?/p>

關(guān)于fm25v10

與串行閃存或串行eeprom不同,fm25v10以總線速度執(zhí)行寫操作,無寫入延遲,且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行eeprom,fm25v10的耐用性高出8個數(shù)量級以上,所消耗的有效功率卻不到其十分之一。

fm25v10具有高性能f-ram功能,適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲器應用,應用范圍從需要寫入次數(shù)多的高頻數(shù)據(jù)采集應用,到嚴苛的工業(yè)控制應用。而在這些應用中,串行閃存或eeprom因為潛在的數(shù)據(jù)丟失風險,而并不適用。

fm25v10具有一個只讀器件id,可以通過一個獨一無二的序列號和/或系統(tǒng)重置選項來命令它。器件id提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨特的序列號使主機擁有一個id,以區(qū)別于世界上任何其它主機。系統(tǒng)重置選項可省去對外部系統(tǒng)重置部件的需要。

fm25v10可在-40°c至+85°c的工業(yè)溫度范圍工作,以40mhz spi時鐘速率運行時耗電僅為3ma,待機模式耗電僅為90ua,睡眠模式耗電更低至5ua。fm25v10的有功功耗為每mhz 38ua,其電流較同類串行閃存或eeprom產(chǎn)品低一個數(shù)量級。

關(guān)于f-ram v系列

ramtron的v系列f-ram產(chǎn)品采用ramtron和德州儀器共同開發(fā)的公認的130nm cmos生產(chǎn)工藝制造,包括各種并行、串行i2c和spi存儲器。先進的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴展其功能集。ramtron計劃在2008年年底前推出的其它v系列產(chǎn)品將具有額外的spi產(chǎn)品密度,以及i2c和并行接口。所有串行f-ram v系列產(chǎn)品均具有可選器件的特性,包括獨特的序列號和系統(tǒng)重置選項。

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