一、背景

***是半導體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，也被譽為半導體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。集成電路里的晶體管是通過光刻工藝在晶圓上做出來的，光刻工藝決定了半導體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能和功耗。

工欲善其事，必先利其器，要想半導體產(chǎn)業(yè)突破技術(shù)封鎖，要想開發(fā)先進的半導體制程，就必需要有先進的***。

近期，關(guān)于***，中芯國際、長江存儲、華虹先后傳來好消息。

中芯國際（SMIC）訂購的是最新型的使用EUV（極紫外線）技術(shù)的芯片制造機器***，價值1.2億歐元，與其去年凈利潤1.264億美元大致相當。長江存儲裝入193nm浸潤式***，售價7200萬美元（約合人民幣4.6億元），可用于14-20nm工藝。華虹集團旗下上海華力集成電路制造有限公司裝入193nm雙級沉浸式***，用于10nm級（14~20nm）晶圓生產(chǎn)。

盡管它們裝入或訂購的***型號不同，但它們來自同一個荷蘭公司——ASML。

還有一個共同點不難發(fā)現(xiàn)，就是***單價是極高的。由于***涉及系統(tǒng)集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項先進技術(shù)，是所有半導體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，因此也具備極高的單臺價值量。

二、***關(guān)鍵技術(shù)及工作原理

那么，在我國***的發(fā)展現(xiàn)狀如何呢？我們和國外的***設(shè)備廠商存在哪些差距呢？在具體到每個廠商市場和產(chǎn)品介紹之前，本文會先介紹一下關(guān)于***的關(guān)鍵技術(shù)及原理。

***就是放大的單反，***就是將光罩上的設(shè)計好集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上，形成圖形。最核心的就是鏡頭，這個不是一般的鏡頭，可以達到高2米直徑1米，甚至更大。

來源：互聯(lián)網(wǎng)

●光源：

光源是***核心之一，***的工藝能力首先取決于其光源的波長。下表是各類***光源的具體參數(shù)：

最早***的光源是采用汞燈產(chǎn)生的紫外光源(UV: Ultraviolet Light)，從g-line一直發(fā)展到i-line，波長縮小到365nm，實際對應(yīng)的分辨率大約在200nm以上。

隨后，業(yè)界采用了準分子激光的深紫外光源(DUV: Deep Ultraviolet Light)。將波長進一步縮小到ArF的193nm。不過原本接下來打算采用的157nm的F2準分子激光上遇到了一系列技術(shù)障礙以后，ArF加浸入技術(shù)(Immersion Technology)成為了主流。

所謂浸入技術(shù)，就是讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中。由于液體的折射率大于1，使得激光的實際波長會大幅度縮小。目前主流采用的純凈水的折射率為1.44，所以ArF加浸入技術(shù)實際等效的波長為193nm/1.44=134nm。從而實現(xiàn)更高的分辨率。F2準分子激光之所以沒有得以發(fā)展的一個重大原因是，157nm波長的光線不能穿透純凈水，無法和浸入技術(shù)結(jié)合。所以，準分子激光光源只發(fā)展到了ArF。

這之后，業(yè)界開始采用極紫外光源(EUV: Extreme Ultraviolet Light)來進一步提供更短波長的光源。目前主要采用的辦法是將準分子激光照射在錫等靶材上，激發(fā)出13.5nm的光子，作為***光源。目前，各大Foundry廠在7nm以下的最高端工藝上都會采用EUV***，其中三星在7nm節(jié)點上就已經(jīng)采用了。而目前只有荷蘭ASML一家能夠提供可供量產(chǎn)用的EUV***。

●分辨率：

***的分辨率(Resolution)表示***能清晰投影最小圖像的能力，是***最重要的技術(shù)指標之一，決定了***能夠被應(yīng)用于的工藝節(jié)點水平。但必須注意的是，雖然分辨率和光源波長有著密切關(guān)系，但兩者并非是完全對應(yīng)。具體而言二者關(guān)系公式是：

公式中R代表分辨率；λ代表光源波長；k1是工藝相關(guān)參數(shù)，一般多在0.25到0.4之間；NA(Numerical Aperture)被稱作數(shù)值孔徑，是光學鏡頭的一個重要指標，一般***設(shè)備都會明確標注該指標的數(shù)值。

所以我們在研究和了解***性能的時候，一定要確認該值。在光源波長不變的情況下，NA的大小直接決定和***的實際分辨率，也等于決定了***能夠達到的最高的工藝節(jié)點。

●套刻精度：

套刻精度(Overlay Accuracy)的基本含義時指前后兩道光刻工序之間彼此圖形的對準精度(3σ)，如果對準的偏差過大，就會直接影響產(chǎn)品的良率。對于高階的***，一般設(shè)備供應(yīng)商就套刻精度會提供兩個數(shù)值，一種是單機自身的兩次套刻誤差，另一種是兩臺設(shè)備（不同設(shè)備）間的套刻誤差。

套刻精度其實是***的另一個非常重要的技術(shù)指標，不過有時非專業(yè)人士在研究學習***性能時會容易忽略。我們在后面的各大供應(yīng)商產(chǎn)品詳細列表里，特意加上了這個指標。

●工藝節(jié)點：

工藝節(jié)點(nodes)是反映集成電路技術(shù)工藝水平最直接的參數(shù)。目前主流的節(jié)點為0.35um、0.25um、0.18um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/14nm、10nm、7nm等。傳統(tǒng)上(在28nm節(jié)點以前)，節(jié)點的數(shù)值一般指MOS管柵極的最小長度(gate length)，也有用第二層金屬層(M2)走線的最小間距(pitch)作為節(jié)點指標的。

節(jié)點的尺寸數(shù)值基本上和晶體管的長寬成正比關(guān)系，每一個節(jié)點基本上是前一個節(jié)點的0.7倍。這樣以來，由于0.7X0.7=0.49，所以每一代工藝節(jié)點上晶體管的面積都比上一代小大約一半，也就是說單位面積上的晶體管數(shù)量翻了一番。這也是著名的摩爾定律(Moore's Law)的基礎(chǔ)所在。一般而言，大約18~24個月，工藝節(jié)點就會發(fā)展一代。

但是到了28nm之后的工藝，節(jié)點的數(shù)值變得有些混亂。一些Foundry廠可能是出于商業(yè)宣傳的考量，故意用一些圖形的特征尺寸(Feature Size)來表示工藝節(jié)點，他們往往用最致密周期圖形的半間距長度來作為工藝節(jié)點的數(shù)值。這樣一來，雖然工藝節(jié)點的發(fā)展依然是按照0.7倍的規(guī)律前進，但實際上晶體管的面積以及電性能的提升則遠遠落后于節(jié)點數(shù)值變化。更為麻煩的是，不同F(xiàn)oundry的工藝節(jié)點換算方法不一，這便導致了很多理解上的混亂。根據(jù)英特爾的數(shù)據(jù)，他們20nm工藝的實際性能就已經(jīng)相當于三星的14nm和臺積電的16nm工藝了。

上圖為英特爾公布的10nm節(jié)點詳細工藝參數(shù)對比。由圖可以明顯看到，同樣10nm工藝節(jié)點上，英特爾的晶體管密度大約是三星和臺積電的兩倍。(圖片來源：與非網(wǎng)：遲來的英特爾10nm工藝，憑啥說比臺積電/三星強？)

在65nm工藝及以前，工藝節(jié)點的數(shù)值幾乎和***的最高分辨率是一致的。由于鏡頭NA的指標沒有太大的變化，所以工藝節(jié)點的水平主要由光源的波長所決定。ArF 193nm的波長可以實現(xiàn)的最高工藝節(jié)點就是65nm。

而到了65nm以后，由于光源波長難于進一步突破，業(yè)界采用了浸入式技術(shù)，將等效的光源波長縮小到了134nm。不僅如此，在液體中鏡頭的NA參數(shù)也有了較大的突破。根據(jù)ASML產(chǎn)品數(shù)據(jù)信息，采用浸入技術(shù)之后，NA值由0.50–0.93發(fā)展到了0.85–1.35，從而進一步提高了分辨率。同時，在相移掩模(Phase-Shift Mask)和OPC(Optical Proximity Correction)等技術(shù)的協(xié)同助力之下，在光刻設(shè)備的光源不變的條件下，業(yè)界將工藝節(jié)點一直推進到了28nm。

而到了28nm以后，由于單次曝光的圖形間距已經(jīng)無法進一步提升，所以業(yè)界開始廣泛采用Multiple Patterning的技術(shù)來提高圖形密度，也就是利用多次曝光和刻蝕的辦法來產(chǎn)生更致密圖形。

值得特別注意的是，Multiple Patterning技術(shù)的引入導致了掩模(Mask)和生產(chǎn)工序的增加，直接導致了成本的劇烈上升，同時給良率管理也帶來一定的麻煩。同時由于前述的原因，節(jié)點的提升并沒有帶來芯片性能成比例的增加，所以目前只有那些對芯片性能和功耗有著極端要求的產(chǎn)品才會采用這些高階工藝節(jié)點技術(shù)。于是，28nm便成為了工藝節(jié)點的一個重要的分水嶺，它和下一代工藝之間在性價比上有著巨大的差別。大量不需要特別高性能，而對成本敏感的產(chǎn)品(比如IOT領(lǐng)域的芯片)會長期對28nm工藝有著需求。所以28nm節(jié)點會成為一個所謂的長節(jié)點，在未來比較長的一段時間里都會被廣泛應(yīng)用，其淘汰的時間也會遠遠慢于其它工藝節(jié)點。

根據(jù)業(yè)界的實際情況，英特爾和臺積電一直到7nm工藝節(jié)點都依然使用浸入式ArF的光刻設(shè)備。但是對于下一代的工藝，則必須采用EUV光源的設(shè)備了。目前全球只有ASML一家能夠提供波長為13.5nm的EUV光刻設(shè)備。毫無疑問，未來5nm和3nm的工藝，必然是EUV一家的天下。事實上，三星在7nm節(jié)點上便已經(jīng)采用了EUV光刻設(shè)備，而中芯國際最近也訂購了一臺EUV用于7nm工藝的研發(fā)。

為方便讀者理解，上圖是我們整理的各個工藝節(jié)點和工藝及***光源類型的關(guān)系圖。

三、光刻設(shè)備及供應(yīng)商概覽

了解了光刻設(shè)備的基本知識，接下來我們便可以具體了解目前全球幾家主要供應(yīng)商的***的情況了。

目前市場上主要的***供應(yīng)商有荷蘭的ASML、日本的NIKON和CANON，以及中國大陸的上海微電子裝備(SMEE)。

上圖是從幾家供應(yīng)商的網(wǎng)站上收集到的目前在售的所有***的列表及相關(guān)參數(shù)。需要注意的是，目前光刻設(shè)備按照曝光方式分為Stepper和Scanner兩種。

Stepper是傳統(tǒng)地一次性將整個區(qū)域進行曝光；而Scanner是鏡頭沿Y方向的一個細長空間曝光，硅片和掩模同時沿X方向移動經(jīng)過曝光區(qū)動態(tài)完成整個區(qū)域的曝光。和Stepper相比，Scanner不僅圖像畸變小、一致性高，而且曝光速度也更快。所以目前主流***都是Scanner，只有部分老式設(shè)備依舊是Stepper。上表中如果沒有特別注明，都是屬于Scanner類型。

四、國外***發(fā)展

●荷蘭ASML：強大的研發(fā)能力換來業(yè)界話語權(quán)

ASML （全稱： Advanced Semiconductor Material Lithography，ASML Holding N.V），中文名稱為阿斯麥（中國大陸）、艾司摩爾（中國***），是總部設(shè)在荷蘭Veldhoven的全球最大的半導體設(shè)備制造商之一，向全球復(fù)雜集成電路生產(chǎn)企業(yè)提供領(lǐng)先的綜合性關(guān)鍵設(shè)備。ASML的股票分別在阿姆斯特丹及紐約上市。另外，ASML的大股東是英特爾，三星和臺積電（TSMC）。

由于ASML是業(yè)界公認的領(lǐng)頭羊，我們便以它為對象進行研究。由上表可知，ASML的產(chǎn)品一共有四個系列，非嚴格地，我們正好可以將其按照技術(shù)水平分為四個檔次。

從其它三家的產(chǎn)品列表中可以看到，目前其它幾家都沒有正式發(fā)布的EUV級別產(chǎn)品能夠和ASML一較高下，只有Nikon NRS系列有ArF浸入式***，參數(shù)指標上勉強可以達到ASML高端產(chǎn)品的水準。但是從業(yè)界的反饋來看，Nikon高端系列實際性能相比ASML同檔次設(shè)備仍有不小差距，尤其是在套刻精度上遠遠達不到官方宣稱水準，以至于Nikon光刻設(shè)備在售價不到ASML同類產(chǎn)品一半的前提下，依舊銷售不佳。

ASML一直以來保持了高研發(fā)投入（甚至讓自己的客戶掏錢），因此其專利申請量也長期保持高位。第一波高速上漲來自2000至2004年，這一時期Intel、AMD、VIA及IBM等企業(yè)設(shè)計的半導體芯片性能快速提升，為了克制芯片在高頻率運行時產(chǎn)生的高溫，他們對半導體制程提出了越來越高的要求，這間接導致了***技術(shù)的不斷提升。不過由于光物理性質(zhì)的影響，在***發(fā)展到193nm后，研發(fā)陷入了困局。幾大芯片巨頭合力將193nm沉浸式光刻技術(shù)延伸至15nm令***企業(yè)研發(fā)及專利申請下滑。但是沉浸式光刻終于在7nm之后難以再次發(fā)展，EUV成為了解決這一問題的關(guān)鍵，近些年里ASML相關(guān)技術(shù)專利申請再次進入增長階段。

作為一家荷蘭的企業(yè)，ASML的專利地理布局上卻值得我們思考。其在全球各地專利申請量的排名，依次是美國、日本、***、韓國以及中國。這個順序的有意思之處在于ASML的專利地理布局是根據(jù)客戶及競爭對手兩個因素進行布局。美國既有ASML的幾大客戶，如Intel和德州儀器，又有ABM、Applied Materials、Lam Research、及Rudolph Technologies等競爭對手，自然是重中之重。

上圖顯示了ASML公司近3年的研發(fā)方向和關(guān)注技術(shù)的時間變化趨勢。通過了解過去3年內(nèi)重點技術(shù)的專利戰(zhàn)略，我們借此來分析ASML公司近來關(guān)注重點的變化。如H01L半導體器件的方面ASML的申請量下滑，可能意味著其已經(jīng)完成了EUV***半導體器件的設(shè)計；而G02B 光學元件及H05G X射線技術(shù)兩個IPC分類下專利申請量的增加，也行意味著ASML還在改善光刻技術(shù)中光學組件的性能以及X射線的強度。

正如ASML讓Intel、三星和臺積電投資自己，共同承擔EUV的研發(fā)成本，ASML也投資了在光刻中起到關(guān)鍵作用的光學設(shè)備企業(yè)Carl Zeiss。

Carl Zeiss是ASML最重要的長期策略合作伙伴，長期以來為ASML的光刻設(shè)備提供最關(guān)火鍵且高效能的光學系統(tǒng)。在下文的EUV相關(guān)專利申請排名上，Carl Zeiss更是占據(jù)了頭把交椅，這也說明了其在EUV相關(guān)光學設(shè)備上無可替代的地位。為了獲得優(yōu)先供貨和在2020年代初期就能夠讓芯片制造行業(yè)使用搭載全新光學系統(tǒng)的新一代EUV光刻設(shè)備，ASML 和Carl Zeiss決定進一步強化合作關(guān)系。

●日本Nikon和Canon：退出高端***角逐臺

Canon早已在很多年前便放棄了在高端***上的競爭，目前產(chǎn)品主要集中在面板等領(lǐng)域。目前他們還在銷售的集成電路光刻設(shè)備在指標標上只相當于ASML的低端產(chǎn)品PAS5500系列。

Nikon作為世界上僅有的三家能夠制造商用***的公司之一，似乎在這個領(lǐng)域不被許多普通人知道，許多人只知道Nikon的相機做的好，卻不知道Nikon***同樣享譽全球。

Nikon (7731.JP)成立于1917年，是總部設(shè)在日本東京，主要分四個事業(yè)領(lǐng)域，分別精密設(shè)備公司、映像公司、儀器公司及其他(包括CMP裝置事業(yè)、測量機事業(yè)、望遠鏡事業(yè)等)。

荷蘭ASML一步步占據(jù)市場統(tǒng)治地位，Nikon***唯一剩下的優(yōu)勢就是同類機型價格不到ASML的一半。但給予Nikon致命一擊的還是英特爾，在新制程中停止采購Nikon的***，據(jù)悉，所有主流半導體產(chǎn)線中只有少數(shù)低階老機齡的***還是Nikon或者Canon的。畢竟現(xiàn)在英特爾，三星和臺積電都成為ASML的股東了。

在EUV技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，ASML已經(jīng)與其他競爭者之間拉開了差距。雖然其并未排名第一，但是排名第一的卡爾蔡司（Carl Zeiss）屬于光學儀器企業(yè)，蔡司為ASML等***企業(yè)提供光學組建。而ASML較其直接競爭對手NIKON（尼康）和CANON（佳能）在EUV專利數(shù)量上有很大的優(yōu)勢，甚至比NC兩家之和還要多。

日本一橋大學創(chuàng)新研究中心教授中馬宏之，曾對日本微影雙雄尼康與佳能的敗因深入檢討。他在研究論文指出，ASML微影機臺有90％以上零件向外采購，這一比例遠高于競爭對手Nikon和Canon，“這種獨特的采購策略，是ASML成為市場領(lǐng)導者的關(guān)鍵?！?/p>

中馬宏之認為，高度外包的策略，讓ASML可以快速取得各領(lǐng)域最先進的技術(shù)，讓自己專注在客戶的需求，以及系統(tǒng)整合等兩大關(guān)鍵重點。

五、國產(chǎn)***主要廠商

●上海微電子裝備(SMEE)

作為國內(nèi)光刻設(shè)備的龍頭企業(yè)，由于起步較晚且技術(shù)積累薄弱，目前最先進的光刻設(shè)備也只能提供最高90mn的工藝技術(shù)。單從指標上看，基本也和ASML的低端產(chǎn)品PAS5500系列屬于同一檔次。

△SMEE專利申請趨勢圖（來源：智慧芽專利數(shù)據(jù)庫）

●合肥芯碩半導體有限公司

合肥芯碩半導體有限公司成立與2006年4月，是國內(nèi)首家半導體直寫光刻設(shè)備制造商。該公司自主研發(fā)的ATD4000，已經(jīng)實現(xiàn)最高200nm的量產(chǎn)。

△合肥芯碩重點專利技術(shù)（來源：智慧芽專利數(shù)據(jù)庫）

●無錫影速半導體科技有限公司

無錫影速成立與2015年1月，影速公司是由中科院微電子研究所聯(lián)合業(yè)內(nèi)資深技術(shù)團隊、產(chǎn)業(yè)基金共同發(fā)起成立的專業(yè)微電子裝備高科技企業(yè)。影速公司已成功研制用于半導體領(lǐng)域的激光直寫/制版光刻設(shè)備、國際首臺雙臺面高速激光直接成像連線設(shè)備（LDI），已經(jīng)實現(xiàn)最高200nm的量產(chǎn)。

△無錫影速專利主要發(fā)明人（來源：智慧芽專利數(shù)據(jù)庫）

六、國內(nèi)外***發(fā)展差距

從如上智慧芽專利數(shù)據(jù)庫提供的專利數(shù)據(jù)來看，國外***龍頭ASML與國內(nèi)佼佼者們之間的技術(shù)差距巨大。盡管如此，但我們也在努力追趕中。

5月24日“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝”專項（02專項）項目“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術(shù)研究”完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務(wù)書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。項目共申請發(fā)明專利15項（包括國際專利5項），截止到目前，共獲得授權(quán)專利10項（包括國際專利授權(quán)3項）。

近日，中國科學院大學微電子學院與中芯國際集成電路制造有限公司在產(chǎn)學研合作中也取得新進展，成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發(fā)周期，節(jié)省研發(fā)成本，為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國際光刻領(lǐng)域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。

中國目前有90納米，用90納米的升級到65納米不難。但是45納米就是一個技術(shù)臺階了。45納米的研發(fā)比90納米和65納米難很多。如果解決了45納米那個可以升級到32納米不難。但是下一步升級到22納米，不能直接45納米升級到22納米了。22納米用到了很多新的技術(shù)。

中國16個重大專項中的02專項提出***到2020年研發(fā)出22納米。2015年出45納米的并且65納米的產(chǎn)業(yè)化。45納米是目前主流的***工藝，包括32納米的還有28納米基本都是在45納米的侵入深紫外***上面改進升級來的。所以中國掌握45納米的很重要。45納米***是一個很重要的臺階，達到這個水平后，在45納米***上面進行物鏡和偏振光升級可以達到32納米。

另外，用于***的固態(tài)深紫外光源也在研發(fā)，我國的***研發(fā)是并行研發(fā)的，22納米***用到的技術(shù)也在研發(fā)，用在45納米的升級上面。還有電子束直寫***，納米壓印設(shè)備，極紫外***技術(shù)也在研發(fā)。對光刻膠升級，對折射液升級，并且利用套刻方法可以達到22納米到14納米甚至10納米的水平。相應(yīng)的升級的用的光刻膠，第3代折射液等也在相應(yīng)的研發(fā)中。

所以，目前單純從技術(shù)層面上看，全球光刻設(shè)備的格局是：ASML一家獨占鰲頭，成為唯一的一線供應(yīng)商；Nikon憑借多年技術(shù)積累，勉強保住二線供應(yīng)商地位；而Canon只能屈居三線；SMEE作為后起之秀，暫時勉強也擠入三線的檔次，但由于光刻設(shè)備對技術(shù)積累和供應(yīng)鏈要求極高，未來要想打入二線則非常艱難，短期內(nèi)難有實質(zhì)性突破。目前看來，如果沒有特別原因，這一格局在未來的很長時間里都不會有任何太大變化。

上表為微信公眾號芯思想通過三家上市公司財報統(tǒng)計的2017年度***銷售數(shù)量(數(shù)據(jù)來源：https://mp.weixin.qq.com/s/av2ra1Y8kx4Ptoe0aEr1Lw)。由數(shù)據(jù)可知，幾家在市場份額的格局上幾乎和技術(shù)格局一致，唯一的一些區(qū)別是Canon在面板領(lǐng)域擁有較大市場份額，使得它在低端光刻設(shè)備上有相對較大的銷售量和份額。

中國目前的***技術(shù)還在起步探索階段，雖然取得了一些小成就，但離國外先進技術(shù)差距還很大，希望通過目前科研人員的努力，能真正用上性能強，穩(wěn)定性高的高端國產(chǎn)芯片。

特別是在極紫外光刻光學技術(shù)方面，極紫外光刻光學技術(shù)代表了當前應(yīng)用光學發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，項目指標要求高，技術(shù)難度大、瓶頸多，創(chuàng)新性高，同時國外技術(shù)封鎖嚴重。

去年“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目順利通過驗收。項目研究團隊歷經(jīng)八年的艱苦奮戰(zhàn)，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。

評審專家組認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進了重要一步。但這僅僅是實現(xiàn)***國產(chǎn)化萬里長征的一部分，距離打破ASML的技術(shù)壟斷還有很長的路要走。中國想要趕上，絕不是一朝一夕的事，需要各類基礎(chǔ)領(lǐng)域扎實的人才，這也是最難的。