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      采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(2)

      TI視頻 ? 來(lái)源：ti ? 2019-04-03 06:20 ? 次閱讀
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      GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。

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        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>高頻應(yīng)用<b class='flag-5'>中</b>的優(yōu)勢(shì)

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        發(fā)表于 03-13 13:50

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        的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?835次閱讀

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        的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?1108次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>（GaN）充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

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        的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?555次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱<b class='flag-5'>材料</b>大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

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        發(fā)表于 01-15 16:41

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        的頭像 發(fā)表于 10-29 17:25 ?4524次閱讀

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        的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?853次閱讀
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