IC產業(yè)的進步取決于IC制造商繼續(xù)提供更多性能和功能的能力。隨著主流CMOS工藝在理論，實踐和經濟方面的限制，降低IC成本（基于每個功能或每個性能）比以往任何時候都更具挑戰(zhàn)性和挑戰(zhàn)性。2019年版IC Insights的McClean報告（500頁），有關集成電路行業(yè)的完整分析和預測（2019年1月發(fā)布）表明，公司提供的面向邏輯的工藝技術比以往任何時候都多。
圖1列出了公司目前使用的幾種領先的高級邏輯技術。主要節(jié)點之間的每個過程生成的衍生版本已成為常規(guī)事件。

英特爾- 其2018年末推出的第九代處理器的代號為“Coffee Lake-S”，有時也稱為“Coffee Lake Refresh”。英特爾稱這些處理器是新一代產品，但它們似乎更多增強了第八代產品。細節(jié)很少，但這些處理器似乎是在14nm ++工藝的增強版本上制造的，或者可能被認為是14nm +++工藝。

使用其10nm工藝的大規(guī)模生產將在2019年推出，它將于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列處理器。看起來Sunny Cove架構基本上取代了應該是10nm的Cannon Lake架構。預計到2020年發(fā)布，當然10nm +衍生工藝將進入批量生產階段。

臺積電- 臺積電的10nm finFET工藝于2016年底投入批量生產，但已從10納米迅速發(fā)展至7納米。臺積電相信7nm產品將成為28nm和16nm等長壽命節(jié)點。

臺積電5納米工藝正在開發(fā)中，預計將于2019年上半年進入風險生產階段，到2020年將開始量產。該工藝將使用EUV，但它不會是臺積電利用EUV技術的第一個流程。首先是該公司7nm技術的改進版本。N7 +工藝僅在關鍵層（四層）上使用EUV，而N5工藝將廣泛使用EUV（最多14層）。N7 +計劃于2019年第二季度投入量產。

三星- 在2018年初，三星開始批量生產第二代10nm工藝，稱為10LPP（低功率+）。在2018年晚些時候，三星推出了第三代10nm工藝，稱為10LPU（低功耗終極），提供了另一項性能提升。三星采用10nm的三重圖案光刻技術。與臺積電不同，三星認為其10納米工藝系列（包括8納米衍生產品）的生命周期很長。

三星的7nm技術于2018年10月投入風險生產。該公司不再提供采用浸沒式光刻技術的7nm工藝，而是決定直接采用基于EUV的7nm工藝。該公司正在將EUV用于7nm的8-10層。

GlobalFoundries- GF將其22nm FD-SOI工藝視為其市場，并與其14nm finFET技術相輔相成。該公司稱22FDX平臺的性能與finFET非常接近，但制造成本與28nm技術相同。

2018年8月，GlobalFoundries宣布將停止7nm開發(fā)，因為該技術節(jié)點的生產成本增加，并且因為有太少的代工客戶計劃使用下一代工藝，因此對戰(zhàn)略進行了重大轉變。因此，該公司轉向其研發(fā)工作，以進一步增強其14nm和12nm finFET工藝及其完全耗盡的SOI技術。

五十年來，集成電路技術的生產率和性能得到了驚人的改善。雖然該行業(yè)已經克服了擺在它面前的許多障礙，但似乎障礙仍在不斷擴大。盡管如此，IC設計人員和制造商正在開發(fā)比增加芯片功能更具革命性的解決方案。