SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存.SRAM也有許多種,如AsyncSRAM (異步SRAM)、Sync SRAM (同步SRAM)、PBSRAM (流水式突發(fā)SRAM),還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。
基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示,SRAM一般可分為五大部分:存儲單元陣列,行/列地址譯碼器,靈敏放大器,控制電路,緩沖/驅(qū)動電路。SRAM是靜態(tài)存儲方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。
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