在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案,但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
發(fā)表于 12-02 13:50
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在各類(lèi)電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM,特別是異步SRAM系列,憑借其出色的能效比與高可靠性,正成為越來(lái)越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
發(fā)表于 11-25 15:42
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在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
發(fā)表于 11-25 14:28
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在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM(Synchronous Static Random Access Memory)正是在這一需求下發(fā)展起來(lái)的重要
發(fā)表于 11-18 11:13
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在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)承擔(dān)著高速緩存的重要角色,其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
發(fā)表于 11-12 13:58
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PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
發(fā)表于 11-11 11:39
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在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴(lài)的存儲(chǔ)解決方案。
發(fā)表于 11-05 16:21
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在存儲(chǔ)解決方案中,外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越,但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸:不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量,并行接口都
發(fā)表于 10-26 17:25
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本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫(xiě)測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速讀取和寫(xiě)入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫(xiě)測(cè)試,包括設(shè)計(jì)SRAM
發(fā)表于 10-22 17:21
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高效且可靈活擴(kuò)展的加密(根)密鑰生成與存儲(chǔ)解決方案所發(fā)揮的作用。SRAM PUF技術(shù)利用硅材料的物理特性,生成器件專(zhuān)屬的標(biāo)識(shí)符,提供了一種替代傳統(tǒng)密鑰存儲(chǔ)方法的可靠方案。如果開(kāi)發(fā)者尚不熟悉SRAM PUF的基礎(chǔ)原理,建議先閱讀前
發(fā)表于 09-05 10:46
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客戶(hù)要求Flash driver不能存儲(chǔ)在Flash中,需要在升級(jí)的時(shí)候,由CAN FBL發(fā)送到SRAM中,再運(yùn)行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)要求?如何能把Flash driver分離成一個(gè)單獨(dú)的部分,再由CAN FBL加載到
發(fā)表于 07-15 07:22
近期受晶圓廠委托, 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測(cè)試后, 通過(guò)對(duì)SRAM芯片的深入研究,對(duì)測(cè)試失效數(shù)據(jù)的分析,將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址,最終在圖像上顯示失效位置,幫助客戶(hù)直觀地看到失效點(diǎn)分布位置。 通過(guò)多個(gè)失效芯片圖像的疊加,客戶(hù)可以看到多個(gè)芯片
發(fā)表于 06-03 10:08
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我在定制硬件中使用S32K312 IC (單核)。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項(xiàng)目。
我看到有以下 RAM(大分區(qū))可供我們使用(根據(jù)生成的鏈接器文件):
int_dtcm
int_sram
發(fā)表于 03-27 07:16
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
發(fā)表于 02-27 09:19
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DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
發(fā)表于 02-27 09:09
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評(píng)論