史德年：智能手機芯片國產(chǎn)化率百分之23.6，屏幕國產(chǎn)化率百分之67.5

2019年5月9日，第一屆中國國際智能終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會在宜賓召開。 中國信息通信研究院副總工程師史德年發(fā)表主題演講《智能終端發(fā)展態(tài)勢》，他在演講中提到：“我國高端手機處理器芯片設計能力已經(jīng)達到全球領(lǐng)先水平，國內(nèi)手機市場核心芯片國產(chǎn)化率達到23.6%。”除此之外，國內(nèi)智能手機的國產(chǎn)屏幕占比穩(wěn)步提升，達到67.5%。

史德年在演講中提到，智能手機核心芯片的國產(chǎn)化率，從2014年的11.9%提升至2018年的23.6%，提升了一倍，“這里主要是華為海思的麒麟芯片”；同時，智能手機屏幕的國產(chǎn)化率從2014年的26.2%提升至67.5%，提升了1.5倍。

中國將超越韓國，掌握LCD市場

從市占率來看，韓國與中國的差距似乎依舊遙遠，但與去年同期相比，情況并不樂觀。去年第一季韓國的市占率為54.8％，到今年第一季已下降近10個百分點至45.1％，相反的，中國從3.6％成長至33.9％，足足增加30多個百分點。

據(jù)市調(diào)機構(gòu)IHS Markit的資料顯示，今年第一季60英寸以上的大型電視面板市場中，韓國以45.1％市占率拿下第一，中國33.9％市占率位居第二。

中芯國際調(diào)整再出發(fā)，南方FinFET工廠產(chǎn)能布建12納米客戶導入

2019年5月8日，中芯國際公布2019年第一季度（2019年1月1日至3月31日）財報，營收為6.689億美元，相較2018年第四季度的7.876億美元下滑了15.1%，相較2018年第一季的8.310億美元下滑了19.5%，相較2018第一季的不含技術(shù)授權(quán)收入的銷售額7.234億美元下滑了7.5%。

從晶圓付運量來看，2019Q1季為109萬片約當8英寸晶圓，較上季的122萬片下滑了10.5%，較去年同期的108萬片增長了0.5%。本季產(chǎn)能利用率為89.2% ，上季為89.9%，去年同期為88.3%。

從約當8英寸晶圓每片售價來看，本季僅614美元，創(chuàng)下上市以來的最低價，2018年第四季售價為647美元，2018年第一季不含技術(shù)授權(quán)收入影響的售價為668美元。

原中芯國際CEO邱慈云出任上海新昇CEO！

5月5日，集微網(wǎng)從芯謀研究首席分析師顧文軍處獲悉，原中芯國際CEO邱慈云出任上海新昇CEO。

中芯北方張昕：集成電路制造業(yè)的發(fā)展趨勢

據(jù)張昕介紹，中芯北京是我們國家建造的第一個12寸的晶圓代工廠。目前它也是國內(nèi)規(guī)模最大，或者可以說是唯一盈利的12寸的代工基地。目前，中芯北京和后來成立的中芯北方的12吋晶圓代工，月產(chǎn)能可達12萬片(8inch)。

目前，中芯北方具備兩條月產(chǎn)3.5萬片的300mm生產(chǎn)線。第一條生產(chǎn)線主要生產(chǎn)40納米和28納米Polysion工藝產(chǎn)品；第二條生產(chǎn)線具備28納米HKMG工藝及更高技術(shù)水平（廠房在建中）。完全達產(chǎn)后，中芯北方將與中芯國際北京廠一起成為國內(nèi)集成電路制造的重要生產(chǎn)基地。

在這個過程中，伴隨著工藝節(jié)點的提升，設備也需要及時更新。在折舊換新的過程中，成熟的國際大廠通常只需要三到四年即可完成，但是對于中芯國際這樣一個新手玩家來說，則需要大概九年的時間。盈利，對于集成電路制造廠商來說，是一個漫長的過程。

為此，張昕為我們估算了這樣“一筆人才賬”。他認為，要維護一個可以進行規(guī)模化生產(chǎn)的制造廠，需要至少三代的技術(shù)節(jié)點來維護。三代技術(shù)，接近一千個產(chǎn)品，制造廠所需要的設備就要超過一百種。為這樣一個工廠，又需要大概2000名工程師來維持。而這些工程師，有需要擁有一定的工作經(jīng)驗，短則三五年，長則十年以上。

如何頂住來自市場的競爭，這也是本土集成電路制造廠面臨的挑戰(zhàn)。這種挑戰(zhàn)，具體到中芯北京上，則體現(xiàn)為如何將六代技術(shù)與價值500億人民幣的設備，合理地、充分地用在所有技術(shù)平臺上、所有的應用節(jié)點上。

舉例來講，在中芯傳統(tǒng)的工廠中，當工廠產(chǎn)能在5萬片時，需要一千三百名操作工，人機比是1:3，而通過數(shù)字化管理，則最終會達到1:100。

一期總投資50億元，富士康濟南高功率芯片工廠已悄然開建？

新聞稿中指出，該項目是濟南市引進的富士康高科技產(chǎn)業(yè)項目，主要為年產(chǎn)36萬片8寸硅基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬平米。

該項目將建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

富能半導體有限公司或就是富士康與濟南約定促成落地的高功率芯片公司。根據(jù)濟南高新區(qū)管委會消息，該項目開工之后，將于10月底完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。

紫光集團負債2000億！

5月3日，自上交所債券信息披露平臺獲悉，紫光集團去年歸屬于母公司所有者的凈利潤為-6.31億元，同比盈轉(zhuǎn)虧，下滑159.43%。

紫光集團在收入上取得大幅增長。2018 年 1-12 月，公司營業(yè)總收入為 799.54 億元，同比增長 38.98%，主要為公司業(yè)務快速增長及合并范圍增加帶入所致。

截至 2018 年 12 月 31 日，紫光集團負債合計 2035.81 億元，同比增長 57.52%。其中，流 動負債 794.53 億元，同比增長 45.10%；非流動負債 1241.28 億元，同比增長 66.65%。

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即，與紫光集團角力戰(zhàn)漸起

市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。

長江存儲在2018年成功研發(fā) 32層3D NAND后，其武漢基地一期項目已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，第1季的單月產(chǎn)能可達到5,000片，2019年目標將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計劃。

不過目前各家國際大廠減產(chǎn)多半仍針對舊制程的64層NAND，而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手，并預計2020年下半各家大廠將先后進入128層等級的制程，長江存儲力圖超車追趕，預計在量產(chǎn)64層NAND后，將直接跳過96層，2020年直接逼近128層堆棧3D NAND，縮短與國際大廠的技術(shù)差距。

粵芯12英寸芯片廠搬入設備100余臺，安裝調(diào)試按計劃有序進行

粵芯項目計劃今年9月實現(xiàn)量產(chǎn)。周亞偉對粵芯如期完成設備生產(chǎn)線調(diào)試和試產(chǎn)成功給予厚望。

4月11日，粵芯半導體進行了2019年第一季度全員工大會。陳衛(wèi)表示，年會時150人的團隊，短短三個月發(fā)展到近300人的團隊，粵芯的成長非常迅速。目前粵芯第一期項目即將建成量產(chǎn)，并在積極籌劃第二期項目。

5月6日，廣州市委常委、黃埔區(qū)委書記周亞偉等一行到粵芯12英寸芯片廠建設現(xiàn)場進行調(diào)研。

IHS：半導體市場將在2019年陷入十年來最嚴重的低迷狀態(tài)

5月7日，據(jù)IHS Markit應用市場預測工具的最新數(shù)據(jù)，2019年全球半導體芯片行業(yè)的營收將下降7.4%。營收將從2018年的4,820億美元下降至2019年的4,462億美元。

與去年12月的預測相比，這代表著市場前景的重大變化。去年12月曾預測2019年市場將增長2.9%。但目前最新的預測--7.4%的降幅將標志著半導體行業(yè)進入自2009年以來最大的年度百分比降幅，而2009年當年的半導體芯片銷售額曾一度暴跌近11%。

2019年半導體市場規(guī)模將超5000億美元

根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導體市場規(guī)模從3056億美元迅速提升至4688億美元，年均復合增長率達到8.93%。預計2019年全球半導體市場規(guī)模將超5000億美元。

全球最高工藝EUV 5nm臺積電碾壓三星！

三星和臺積電最近都披露了他們的5nm制程，這里我們來并比較一下這兩種制程。

我們將首先回顧一下兩家的7nm比較。（可參考：7nm-臺積電 VS 三星）

7nm

圖1 比較了三星的7LPP工藝與臺積電的7FF和7FFP工藝。

5nm

三星和臺積電已經(jīng)開始接受5nm的訂單，今年的風險試產(chǎn)和明年的批量生產(chǎn)。我們預計兩家公司將在5納米采用更多的EUV層，三星為12層，臺積電為14層。

對話英特爾CEO司睿博：最大挑戰(zhàn)在于如何激發(fā)內(nèi)部潛力

延續(xù)“以PC為中心轉(zhuǎn)型到以數(shù)據(jù)為中心”的核心戰(zhàn)略，司睿博更關(guān)注的，是如何執(zhí)行這一戰(zhàn)略，并激發(fā)十萬多名英特爾員工的潛力。他描繪出了3000億美元的市場前景，并在不同場合多次強調(diào)要加強英特爾的“執(zhí)行力”。

執(zhí)掌英特爾您認為最大的挑戰(zhàn)是什么？

Bob Swan：對我個人來說，最大的挑戰(zhàn)在于如何充分激發(fā)英特爾內(nèi)部的潛力。我們公司集結(jié)了這個星球上最聰明的十萬七千名員工。當他們在過去50年已經(jīng)取得巨大成功的情況下，如何能夠進一步激發(fā)他們的潛能，讓他們在未來能夠發(fā)揮更大的作用。所以我認為最大的挑戰(zhàn)就是要充分地激發(fā)英特爾員工和工程師們的智慧和士氣，在他們已經(jīng)對世界產(chǎn)生了巨大影響的情況下，讓他們能夠為這個世界帶來更大的影響。

臺積電將推出6nm制程技術(shù)，大部分7nm客戶都將轉(zhuǎn)型

在本周的季度收益電話會議上，臺積電方面透露，預計其大部分7nm工藝客戶將轉(zhuǎn)型至6nm工藝節(jié)點，6nm節(jié)點使用率和產(chǎn)能都會迅速擴大。如果臺積電的預測成真，N6毫無疑問將成為臺積電下一個廣泛使用，長期服務的流程節(jié)點。

據(jù)悉，臺積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術(shù)，并預計2020年第1季度進入試產(chǎn)。

臺積電的6nm2020年才會試產(chǎn)，而號稱相比于第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來15％的性能提升或20％功耗下降的臺積電5nm工藝已經(jīng)順利進入試產(chǎn)階段，所以預計蘋果和華為將會跳過6nm，直接選擇更為強悍的5nm工藝。

半導體產(chǎn)業(yè)將迎來一波衰退期，國內(nèi)特色工藝龍頭華虹宏力會如何應對？

根據(jù)世界半導體貿(mào)易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導體市場銷售額達4,687.78億美元，同比增長13.7%，相對2017年的21.6%的大幅增長有所放緩。從目前半導體行業(yè)主流國際機構(gòu)的預測來看，2019年全球半導體市場增速將進一步放緩。

據(jù)Gartner 2018 Q4預測，2019年、2020年、2021年、2022年，全球半導體市場銷售分別為4,890億美元、5,280億美元、5,190億美元、5,390億美元，分別增長2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。

韓國目標2030年全球晶圓代工市占第一

為將南韓發(fā)展成綜合半導體強國，南韓政府力爭到2030年在全球晶圓代工市場的占有率排名第一，同時，在半導體集成電路設計市場的占有率從目前的1.6%提升至10%。

研調(diào)機構(gòu)IC Insights曾于2月公布，***晶圓廠產(chǎn)能規(guī)模于2015年登上全球第一，2018年***晶圓廠產(chǎn)能占全球比重達21.8%，較2017年的21.3%再攀升0.5個百分點，并持續(xù)居全球第一，略高于南韓的21.3%（月產(chǎn)能403.3萬片）。

南韓聯(lián)合新聞通訊社報導，南韓政府今天在三星電子華城事業(yè)場發(fā)表旨在發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的「系統(tǒng)晶片產(chǎn)業(yè)愿景和戰(zhàn)略」，決定今后10年將在研發(fā)領(lǐng)域投入1兆韓元（約合新臺幣265.1億元），并培養(yǎng)1.7萬名專業(yè)人才，以落實前述愿景。產(chǎn)業(yè)通商資源部表示，南韓政府與半導體企業(yè)、研究機構(gòu)簽署諒解備忘錄，將在汽車、生物、能源、物聯(lián)網(wǎng)、機器人等系統(tǒng)晶片需求較大的領(lǐng)域建立合作平臺，將為先進技術(shù)研發(fā)每年提供300億韓元（約新臺幣7.95億元）的資金。

英特爾H10內(nèi)存來勢洶洶，三星與SK海力士接招

報導表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的內(nèi)存存儲裝置，而且采用 Intel Optane 內(nèi)存 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動平臺，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺，日常用戶將能夠在多任務處理時，達到啟動文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動速度提高 60%，以及打開媒體檔案的速度提高 90% 的效能。而隨著筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會很快地推出，而憑借著英特爾在服務器上的高市占率優(yōu)勢，未來將會影響到三星與 SK 在服務器內(nèi)存上的市占率。因此針對次此一市場，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競爭，不讓英特爾專美于前。

因為 H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點，那就是雖然在 DRAM 的內(nèi)存速度比過去傳統(tǒng)的內(nèi)存稍慢，卻有著價格上的優(yōu)勢，而且具有 NAND Flash 斷電后數(shù)據(jù)依舊能保存，成為另外存儲空間的優(yōu)點。而且，因為英特爾與美光多年來所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長持續(xù)使用時間的情況下，更使其適合在服務器內(nèi)所使用。因此，對于當前服務器內(nèi)存的兩大廠商──韓國三星與 SK 海力士癌說的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應戰(zhàn)。

2018全球十大模擬IC廠商出爐，TI穩(wěn)居榜首

下一個決戰(zhàn)點，邏輯芯片與存儲芯片的異構(gòu)整合

在納米制程的年代，von Neumann體制中CPU與存儲的分離已造成速度和散熱的障礙。要解決這問題，只有從這二者同時下手—最好是二者融合為一，像是in-memory computing。只可惜目前用PCM的方案改善有限，速度快了，但是還不夠快，密度提升也仍嫌不足，整個組成還是無法改變目前的存儲架構(gòu)，所以MRAM也還在英特爾的硏發(fā)雷達范圍內(nèi)。

臺積電在邏輯制程微縮的競爭中無疑是現(xiàn)任的領(lǐng)先者，但是長期的自外于獨立存儲的生產(chǎn)制造。雖然于嵌入式MRAM急起直追，而且將其應用推展至5/7nm的LLC(Last Level Cache)，但是這和邏輯芯片與存儲芯片的異構(gòu)整合是兩回事，后者需要較髙的密度，不像嵌入式MRAM能屈就于邏輯制程的CMOS而令單元面積髙達50f2。獨立存儲中的電晶體是過去內(nèi)存微縮的競爭主軸之一，要能有獨立存儲芯片用于與邏輯芯片異構(gòu)整合，這方面的努力還有待急起直追。