1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。

2、常見(jiàn)的半導(dǎo)體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。

3、 在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的某種雜質(zhì)后，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬(wàn)甚至幾百萬(wàn)倍。例如在純硅中摻入百萬(wàn)分之一的硼后，硅的電阻率就大大減小，利用這種特性制成了各種不同的半導(dǎo)體器件，如二極管、雙極型晶體管、場(chǎng)效晶體管及晶閘管等。

4、本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、晶格完整的半導(dǎo)體。

5、在本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)中，原子之間以共用電子對(duì)的形式構(gòu)成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵中的電子在獲得一定能量后可掙脫原子核的束縛成為自由電子，此時(shí)該共價(jià)鍵就留下一個(gè)空位，成為空穴。自由電子和空穴都稱為載流子。

6、當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，半導(dǎo)體中將出現(xiàn)電子電流、空穴電流，即同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這是半導(dǎo)體導(dǎo)電的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。

7、本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。

8、N型半導(dǎo)體是在硅或鍺的晶體中摻入磷（或其他五價(jià)元素），半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，也稱作電子半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中，自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子。

9、P型半導(dǎo)體是在硅或鍺晶體中摻入硼（或其他三價(jià)元素），半導(dǎo)體中形成了大量空穴，空穴導(dǎo)電成為主要的導(dǎo)電方式，也稱作空穴半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。

10、不論是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)，但是整個(gè)晶體仍然是不帶電的。