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長電科技收購星科金朋后 形成了完整的FlipChip+Sip技術(shù)的封裝能力

電子工程師 ? 來源:yxw ? 2019-05-24 10:37 ? 次閱讀
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傳統(tǒng)來說,一部可支持打電話、發(fā)短信、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)、APP應(yīng)用的手機(jī),一般包含五個(gè)部分部分:射頻部分、基帶部分、電源管理、外設(shè)、軟件。

射頻部分:一般是信息發(fā)送和接收的部分;

基帶部分:一般是信息處理的部分;

電源管理:一般是節(jié)電的部分,由于手機(jī)是能源有限的設(shè)備,所以電源管理十分重要;

外設(shè):一般包括LCD,鍵盤,機(jī)殼等;

軟件:一般包括系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)、中間件、應(yīng)用。

在手機(jī)終端中,最重要的核心就是射頻芯片和基帶芯片。射頻芯片負(fù)責(zé)射頻收發(fā)、頻率合成、功率放大;基帶芯片負(fù)責(zé)信號處理和協(xié)議處理。那么射頻芯片和基帶芯片是什么關(guān)系?

射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系

先講一下歷史,射頻(Radio Frenquency)和基帶(Base Band)皆來自英文直譯。其中射頻最早的應(yīng)用就是Radio——無線廣播(FM/AM),迄今為止這仍是射頻技術(shù)乃至無線電領(lǐng)域最經(jīng)典的應(yīng)用。

基帶則是band中心點(diǎn)在0Hz的信號,所以基帶就是最基礎(chǔ)的信號。有人也把基帶叫做“未調(diào)制信號”,曾經(jīng)這個(gè)概念是對的,例如AM為調(diào)制信號(無需調(diào)制,接收后即可通過發(fā)聲元器件讀取內(nèi)容)。

但對于現(xiàn)代通信領(lǐng)域而言,基帶信號通常都是指經(jīng)過數(shù)字調(diào)制的,頻譜中心點(diǎn)在0Hz的信號。而且沒有明確的概念表明基帶必須是模擬或者數(shù)字的,這完全看具體的實(shí)現(xiàn)機(jī)制。

言歸正傳,基帶芯片可以認(rèn)為是包括調(diào)制解調(diào)器,但不止于調(diào)制解調(diào)器,還包括信道編解碼、信源編解碼,以及一些信令處理。而射頻芯片,則可看做是最簡單的基帶調(diào)制信號的上變頻和下變頻。

所謂調(diào)制,就是把需要傳輸?shù)男盘?,通過一定的規(guī)則調(diào)制到載波上面讓后通過無線收發(fā)器RF Transceiver)發(fā)送出去的工程,解調(diào)就是相反的過程。

工作原理電路分析

射頻簡稱RF射頻就是射頻電流,是一種高頻交流變化電磁波,為是Radio Frequency的縮寫,表示可以輻射到空間的電磁頻率,頻率范圍在300KHz~300GHz之間。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流,大于10000次的稱為高頻電流,而射頻就是這樣一種高頻電流。高頻(大于10K);射頻(300K-300G)是高頻的較高頻段;微波頻段(300M-300G)又是射頻的較高頻段。射頻技術(shù)在無線通信領(lǐng)域中被廣泛使用,有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式。

射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉(zhuǎn)換成一定的無線電信號波形, 并通過天線諧振發(fā)送出去的一個(gè)電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關(guān)。射頻芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。

射頻電路方框圖

接收電路的結(jié)構(gòu)和工作原理

接收時(shí),天線把基站發(fā)送來電磁波轉(zhuǎn)為微弱交流電流信號經(jīng)濾波,高頻放大后,送入中頻內(nèi)進(jìn)行解調(diào),得到接收基帶信息(RXI-P、RXI-N、RXQ-P、RXQ-N);送到邏輯音頻電路進(jìn)一步處理。

該電路掌握重點(diǎn):1、接收電路結(jié)構(gòu);2、各元件的功能與作用;3、接收信號流程。

1.電路結(jié)構(gòu)

接收電路由天線、天線開關(guān)、濾波器、高放管(低噪聲放大器)、中頻集成塊(接收解調(diào)器)等電路組成。早期手機(jī)有一級、二級混頻電路,其目的把接收頻率降低后再解調(diào)(如下圖)。

接收電路方框圖

2.各元件的功能與作用

1)、手機(jī)天線:

結(jié)構(gòu):(如下圖)

由手機(jī)天線分外置和內(nèi)置天線兩種;由天線座、螺線管、塑料封套組成。

作用:a)、接收時(shí)把基站發(fā)送來電磁波轉(zhuǎn)為微弱交流電流信號。b)、發(fā)射時(shí)把功放放大后的交流電流轉(zhuǎn)化為電磁波信號。

2)、天線開關(guān):

結(jié)構(gòu):(如下圖)

手機(jī)天線開關(guān)(合路器、雙工濾波器)由四個(gè)電子開關(guān)構(gòu)成。

作用:a)、完成接收和發(fā)射切換; b)、完成900M/1800M信號接收切換。

邏輯電路根據(jù)手機(jī)工作狀態(tài)分別送出控制信號(GSM-RX-EN;DCS- RX-EN;GSM-TX-EN;DCS- TX-EN),令各自通路導(dǎo)通,使接收和發(fā)射信號各走其道,互不干擾。

由于手機(jī)工作時(shí)接收和發(fā)射不能同時(shí)在一個(gè)時(shí)隙工作(即接收時(shí)不發(fā)射,發(fā)射時(shí)不接收)。因此后期新型手機(jī)把接收通路的兩開關(guān)去掉,只留兩個(gè)發(fā)射轉(zhuǎn)換開關(guān);接收切換任務(wù)交由高放管完成。

3)、濾波器:

結(jié)構(gòu):手機(jī)中有高頻濾波器、中頻濾波器。

作用:濾除其他無用信號,得到純正接收信號。后期新型手機(jī)都為零中頻手機(jī);因此,手機(jī)中再?zèng)]有中頻濾波器。

4)、高放管(高頻放大管、低噪聲放大器):

結(jié)構(gòu):手機(jī)中高放管有兩個(gè):900M高放管、1800M高放管。都是三極管共發(fā)射極放大電路;后期新型手機(jī)把高放管集成在中頻內(nèi)部。

高頻放大管供電圖

作用:a)、對天線感應(yīng)到微弱電流進(jìn)行放大,滿足后級電路對信號幅度的需求。b)、完成900M/1800M接收信號切換。

原理:a)、供電:900M/1800M兩個(gè)高放管的基極偏壓共用一路,由中頻同時(shí)路提供;而兩管的集電極的偏壓由中頻CPU根據(jù)手機(jī)的接收狀態(tài)命令中頻分兩路送出;其目的完成900M/1800M接收信號切換。

b)、原理:經(jīng)過濾波器濾除其他雜波得到純正935M-960M的接收信號由電容器耦合后送入相應(yīng)的高放管放大后經(jīng)電容器耦合送入中頻進(jìn)行后一級處理。

5)、中頻(射頻接囗、射頻信號處理器):

結(jié)構(gòu):由接收解調(diào)器、發(fā)射調(diào)制器、發(fā)射鑒相器等電路組成;新型手機(jī)還把高放管、頻率合成、26M振蕩及分頻電路也集成在內(nèi)部(如下圖)。

作用:

a)、內(nèi)部高放管把天線感應(yīng)到微弱電流進(jìn)行放大;

b)、接收時(shí)把935M-960M(GSM)的接收載頻信號(帶對方信息)與本振信號(不帶信息)進(jìn)行解調(diào),得到67.707KHZ的接收基帶信息;

c)、發(fā)射時(shí)把邏輯電路處理過的發(fā)射信息與本振信號調(diào)制成發(fā)射中頻;

d)、結(jié)合13M/26M晶體產(chǎn)生13M時(shí)鐘(參考時(shí)鐘電路);

e)、根據(jù)CPU送來參考信號,產(chǎn)生符合手機(jī)工作信道的本振信號。

3.接收信號流程

手機(jī)接收時(shí),天線把基站發(fā)送來電磁波轉(zhuǎn)為微弱交流電流信號,經(jīng)過天線開關(guān)接收通路,送高頻濾波器濾除其它無用雜波,得到純正935M-960M(GSM)的接收信號,由電容器耦合送入中頻內(nèi)部相應(yīng)的高放管放大后,送入解調(diào)器與本振信號(不帶信息)進(jìn)行解調(diào),得到67.707KHZ的接收基帶信息(RXI-P、RXI-N、RXQ-P、RXQ-N);送到邏輯音頻電路進(jìn)一步處理。

發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理

發(fā)射時(shí),把邏輯電路處理過的發(fā)射基帶信息調(diào)制成的發(fā)射中頻,用TX-VCO把發(fā)射中頻信號頻率上變?yōu)?90M-915M(GSM)的頻率信號。經(jīng)功放放大后由天線轉(zhuǎn)為電磁波輻射出去。

該電路掌握重點(diǎn):(1)、電路結(jié)構(gòu);(2)、各元件的功能與作用;(3)、發(fā)射信號流程。

1.電路結(jié)構(gòu)

發(fā)射電路由中頻內(nèi)部的發(fā)射調(diào)制器、發(fā)射鑒相器;發(fā)射壓控振蕩器(TX-VCO)、功率放大器(功放)、功率控制器(功控)、發(fā)射互感器等電路組成。(如下圖)

發(fā)射電路方框圖

2.各元件的功能與作用

1)、發(fā)射調(diào)制器:

結(jié)構(gòu):發(fā)射調(diào)制器在中頻內(nèi)部,相當(dāng)于寬帶網(wǎng)絡(luò)中的MOD。

作用:發(fā)射時(shí)把邏輯電路處理過的發(fā)射基帶信息(TXI-P;TXI-N;TXQ-P;TXQ-N)與本振信號調(diào)制成發(fā)射中頻。

2)、發(fā)射壓控振蕩器(TX-VCO):

結(jié)構(gòu):發(fā)射壓控振蕩器是由電壓控制輸出頻率的電容三點(diǎn)式振蕩電路;在生產(chǎn)制造時(shí)集成為一小電路板上,引出五個(gè)腳:供電腳、接地腳、輸出腳、控制腳、900M/1800M頻段切換腳。當(dāng)有合適工作電壓后便振蕩產(chǎn)生相應(yīng)頻率信號。

作用:把中頻內(nèi)調(diào)制器調(diào)制成的發(fā)射中頻信號轉(zhuǎn)為基站能接收的890M-915M(GSM)的頻率信號。

原理:眾所周知,基站只能接收890M-915M(GSM)的頻率信號,而中頻調(diào)制器調(diào)制的中頻信號(如三星發(fā)射中頻信號135M)基站不能接收的,因此,要用TX-VCO把發(fā)射中頻信號頻率上變?yōu)?90M-915M(GSM)的頻率信號。

當(dāng)發(fā)射時(shí),電源部分送出3VTX電壓使TX-VCO工作,產(chǎn)生890M-915M(GSM)的頻率信號分兩路走:a)、取樣送回中頻內(nèi)部,與本振信號混頻產(chǎn)生一個(gè)與發(fā)射中頻相等的發(fā)射鑒頻信號,送入鑒相器中與發(fā)射中頻進(jìn)行較;若TX-VCO振蕩出頻率不符合手機(jī)的工作信道,則鑒相器會產(chǎn)生1-4V跳變電壓(帶有交流發(fā)射信息的直流電壓)去控制TX-VCO內(nèi)部變?nèi)?a target="_blank">二極管的電容量,達(dá)到調(diào)整頻率準(zhǔn)確性目的。b)、送入功放經(jīng)放大后由天線轉(zhuǎn)為電磁波輻射出去。

從上看出:由TX-VCO產(chǎn)生頻率到取樣送回中頻內(nèi)部,再產(chǎn)生電壓去控制TX-VCO工作;剛好形成一個(gè)閉合環(huán)路,且是控制頻率相位的,因此該電路也稱發(fā)射鎖相環(huán)電路。

3)、功率放大器(功放):

結(jié)構(gòu):目前手機(jī)的功放為雙頻功放(900M功放和1800M功放集成一體),分黑膠功放和鐵殼功放兩種;不同型號功放不能互換。

作用:把TX-VCO振蕩出頻率信號放大,獲得足夠功率電流,經(jīng)天線轉(zhuǎn)化為電磁波輻射出去。

值得注意:功放放大的是發(fā)射頻率信號的幅值,不能放大他的頻率。

功率放大器的工作條件:

a)、工作電壓(VCC):手機(jī)功放供電由電池直接提供(3.6V);

b)、接地端(GND):使電流形成回路;

c)、雙頻功換信號(BANDSEL):控制功放工作于900M或工作于1800M;

d)、功率控制信號(PAC):控制功放的放大量(工作電流);

e)、輸入信號(IN);輸出信號(OUT)。

4)、發(fā)射互感器:

結(jié)構(gòu):兩個(gè)線徑和匝數(shù)相等的線圈相互靠近,利用互感原理組成。

作用:把功放發(fā)射功率電流取樣送入功控。

原理:當(dāng)發(fā)射時(shí)功放發(fā)射功率電流經(jīng)過發(fā)射互感器時(shí),在其次級感生與功率電流同樣大小的電流,經(jīng)檢波(高頻整流)后并送入功控。

5)、功率等級信號:

所謂功率等級就是工程師們在手機(jī)編程時(shí)把接收信號分為八個(gè)等級,每個(gè)接收等級對應(yīng)一級發(fā)射功率(如下表),手機(jī)在工作時(shí),CPU根據(jù)接的信號強(qiáng)度來判斷手機(jī)與基站距離遠(yuǎn)近,送出適當(dāng)?shù)陌l(fā)射等級信號,從而來決定功放的放大量(即接收強(qiáng)時(shí),發(fā)射就弱)。

附功率等級表:

6)、功率控制器(功控):

結(jié)構(gòu):為一個(gè)運(yùn)算比較放大器。

作用:把發(fā)射功率電流取樣信號和功率等級信號進(jìn)行比較,得到一個(gè)合適電壓信號去控制功放的放大量。

原理:當(dāng)發(fā)射時(shí)功率電流經(jīng)過發(fā)射互感器時(shí),在其次級感生的電流,經(jīng)檢波(高頻整流)后并送入功控;同時(shí)編程時(shí)預(yù)設(shè)功率等級信號也送入功控;兩個(gè)信號在內(nèi)部比較后產(chǎn)生一個(gè)電壓信號去控制功放的放大量,使功放工作電流適中,既省電又能長功放使用壽命(功控電壓高,功放功率就大)。

3.發(fā)射信號流程

當(dāng)發(fā)射時(shí),邏輯電路處理過的發(fā)射基帶信息(TXI-P;TXI-N;TXQ-P;TXQ-N),送入中頻內(nèi)部的發(fā)射調(diào)制器,與本振信號調(diào)制成發(fā)射中頻。而中頻信號基站不能接收的,要用TX-VCO把發(fā)射中頻信號頻率上升為890M-915M(GSM)的頻率信號基站才能接收。當(dāng)TX-VCO工作后,產(chǎn)生890M-915M(GSM)的頻率信號分兩路走:

a)、一路取樣送回中頻內(nèi)部,與本振信號混頻產(chǎn)生一個(gè)與發(fā)射中頻相等的發(fā)射鑒頻信號,送入鑒相器中與發(fā)射中頻進(jìn)行較;若TX-VCO振蕩出頻率不符合手機(jī)的工作信道,則鑒相器會產(chǎn)生一個(gè)1-4V跳變電壓去控制TX-VCO內(nèi)部變?nèi)荻O管的電容量,達(dá)到調(diào)整頻率目的。

b)、二路送入功放經(jīng)放大后由天線轉(zhuǎn)化為電磁波輻射出去。為了控制功放放大量,當(dāng)發(fā)射時(shí)功率電流經(jīng)過發(fā)射互感器時(shí),在其次級感生的電流,經(jīng)檢波(高頻整流)后并送入功控;同時(shí)編程時(shí)預(yù)設(shè)功率等級信號也送入功控;兩個(gè)信號在內(nèi)部比較后產(chǎn)生一個(gè)電壓信號去控制功放的放大量,使功放工作電流適中,既省電又能長功放使用壽命。

國產(chǎn)射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)狀

在射頻芯片領(lǐng)域,市場主要被海外巨頭所壟斷,海外的主要公司有Qrovo,skyworks和Broadcom;國內(nèi)射頻芯片方面,沒有公司能夠獨(dú)立支撐IDM的運(yùn)營模式,主要為Fabless設(shè)計(jì)類公司;國內(nèi)企業(yè)通過設(shè)計(jì)、代工、封裝環(huán)節(jié)的協(xié)同,形成了“軟IDM“”的運(yùn)營模式。

射頻芯片設(shè)計(jì)方面,國內(nèi)公司在5G芯片已經(jīng)有所成績,具有一定的出貨能力。射頻芯片設(shè)計(jì)具有較高的門檻,具備射頻開發(fā)經(jīng)驗(yàn)后,可以加速后續(xù)高級品類射頻芯片的開發(fā)。目前,具備射頻芯片設(shè)計(jì)的公司有紫光展銳、唯捷創(chuàng)芯、中普微、中興通訊、雷柏科技、華虹設(shè)計(jì)、江蘇鉅芯、愛斯泰克等。

射頻芯片代工方面,***已經(jīng)成為全球最大的化合物半導(dǎo)體芯片代工廠,***主要的代工廠有穩(wěn)懋、宏捷科和寰宇,國內(nèi)僅有三安光電和海威華芯開始涉足化合物半導(dǎo)體代工。三安光電是國內(nèi)目前國內(nèi)布局最為完善,具有GaAs HBT/pHEMT和 GaNSBD/FET 工藝布局,目前在于國內(nèi)200多家企事業(yè)單位進(jìn)行合作,有10多種芯片通過性能驗(yàn)證,即將量產(chǎn)。海威華芯為海特高新控股的子公司,與中國電科29所合資,目前具有GaAs 0.25um PHEMT工藝制程能力。

射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對電路性能影響更大,封裝時(shí)需要減小信號連接線的長度;另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開關(guān)和濾波器封裝成為一個(gè)模塊,一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數(shù)的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封裝技術(shù)。

Flip-Chip和Fan-In、Fan-Out工藝封裝時(shí),不需要通過金絲鍵合線進(jìn)行信號連接,減少了由于金絲鍵合線帶來的寄生電效應(yīng),提高芯片射頻性能;到5G時(shí)代,高性能的Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out結(jié)合Sip封裝技術(shù)會是未來封裝的趨勢。

Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out和Sip封裝屬于高級封裝,其盈利能力遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)封裝。國內(nèi)上市公司,長電科技收購星科金朋后,形成了完整的FlipChip+Sip技術(shù)的封裝能力。

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    信獲評CIAS2025翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

    信獲評CIAS2025翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】 蘇州舉辦的2025CIAS動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展大會上,深圳麥信科技有限公司憑借在測試測量領(lǐng)域的技術(shù)積累,入選
    發(fā)表于 05-09 16:10

    科技車規(guī)級封裝技術(shù)推動(dòng)智能底盤創(chuàng)新發(fā)展

    當(dāng)電動(dòng)化浪潮席卷全球汽車產(chǎn)業(yè),底盤系統(tǒng)正經(jīng)歷前所未有的范式重構(gòu)。從機(jī)械傳動(dòng)到電子控制的躍遷,再到高度集成化與智能化的演進(jìn),智能底盤已成為集感知、決策、執(zhí)行于一體的智能控制平臺。在這場技術(shù)變革中,科技以車規(guī)級
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:22 ?848次閱讀

    SiP藍(lán)牙芯片在項(xiàng)目開發(fā)及應(yīng)用中具有什么優(yōu)勢?

    BLE藍(lán)牙SiP芯片通過SiP封裝技術(shù)將藍(lán)牙核心芯片、射頻前端、電源管理單元等組件集成在一個(gè)封裝內(nèi),形成
    發(fā)表于 02-19 14:53

    深入解析:SiP與SoC的技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用前景

    在半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的今天,封裝技術(shù)作為連接芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)應(yīng)用的橋梁,扮演著至關(guān)重要的角色。其中,SiP(System in Package,系統(tǒng)級封裝)和SoC(System on
    的頭像 發(fā)表于 02-14 11:32 ?1773次閱讀
    深入解析:<b class='flag-5'>SiP</b>與SoC的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>特點(diǎn)與應(yīng)用前景

    臺積擴(kuò)大先進(jìn)封裝設(shè)施,南等地將增建新廠

    為了滿足市場上對先進(jìn)封裝技術(shù)的強(qiáng)勁需求,臺積正在加速推進(jìn)其CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)等先進(jìn)封裝技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:18 ?831次閱讀

    SIP封裝技術(shù):引領(lǐng)電子封裝新革命!

    在電子技術(shù)的快速發(fā)展中,封裝技術(shù)作為連接芯片與外界的橋梁,其重要性日益凸顯。SIP封裝(System In a Package,系統(tǒng)級
    的頭像 發(fā)表于 01-15 13:20 ?2683次閱讀
    <b class='flag-5'>SIP</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>:引領(lǐng)電子<b class='flag-5'>封裝</b>新革命!

    科技收購晟碟半導(dǎo)體議案獲批

    1月7日,科技發(fā)布公告稱,公司收購晟碟半導(dǎo)體(上海)有限公司80%股權(quán)的議案已獲得了國家市場監(jiān)督管理總局下發(fā)的《經(jīng)營者集中反壟斷審查不予禁止決定書》和上海市閔行區(qū)規(guī)劃和自然資源局的審批同意。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:37 ?1188次閱讀

    一文讀懂系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù):定義、應(yīng)用與前景

    隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的集成電路封裝方式,正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵一環(huán)。
    的頭像 發(fā)表于 12-31 10:57 ?6373次閱讀
    一文讀懂系統(tǒng)級<b class='flag-5'>封裝</b>(<b class='flag-5'>SiP</b>)<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:定義、應(yīng)用與前景

    SiP封裝產(chǎn)品錫膏植球工藝

    芯片的發(fā)展也從一味的追求功耗下降及性能提升(摩爾定律)轉(zhuǎn)向更加務(wù)實(shí)的滿足市場的需求(超越摩爾定律)。為了讓芯片效能最大化、封裝的體積最小化、定制化,SiP封裝
    的頭像 發(fā)表于 12-23 11:57 ?1541次閱讀
    <b class='flag-5'>SiP</b><b class='flag-5'>封裝</b>產(chǎn)品錫膏植球工藝

    ADNOC對思創(chuàng)的收購要約成功

    在2024年12月16日額外接受期結(jié)束,ADNOC International Germany Holding AG(“收購方”)宣布,其已通過對思創(chuàng)股份公司全體股東的自愿公開收購
    的頭像 發(fā)表于 12-23 09:13 ?901次閱讀
    ADNOC對<b class='flag-5'>科</b>思創(chuàng)的<b class='flag-5'>收購</b>要約成功

    SiP技術(shù)的結(jié)構(gòu)、應(yīng)用及發(fā)展方向

    優(yōu)勢[1]。 SiP技術(shù)概述 SiP技術(shù)將具有不同功能的裸芯片,以及電阻、電容、電感等無源器件集成在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中。這種集成
    的頭像 發(fā)表于 12-18 09:11 ?4985次閱讀
    <b class='flag-5'>SiP</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>的結(jié)構(gòu)、應(yīng)用及發(fā)展方向