3G提高了通信速度，4G改變了我們的生活，5G時代則因為技術的革命性，整個社會形態(tài)與商業(yè)形態(tài)都被深刻影響，對于芯片封裝測試領域同樣也帶來了許多新的技術革新......

11月上旬，2018中國集成電路產業(yè)促進大會的5G通信芯片主題論壇上，Qorvo亞太區(qū)客戶質量工程總監(jiān)周寅便用示例詳細介紹了傳統(tǒng)的芯片封裝測試工藝流程與5G芯片封裝技術演進路線。

Qorvo亞太區(qū)客戶質量工程總監(jiān)周寅發(fā)表演講

Qorvo是全球少數(shù)能夠整合所有射頻全方位解決方案的公司，主要業(yè)務領域包括移動終端、基站芯片和航空航天等。工欲善其事，必先利其器，兩年前新投入運營的德州工廠是Qorvo全球范圍內最大的組裝、封裝和測試運營中心，補充了Qorvo現(xiàn)有的北京制造業(yè)務， 并與Qorvo北京工廠組成Qorvo中國制造中心，共同合力支撐全球的生產運營。

這一種很典型的十幾年前一種基于基板（Substrate）的層壓封裝結構模型（Laminate Module Package），它大致上可分為幾個步驟：首先在基板表面貼裝SMT的被動元件，也就是我們平時常用到的電容、電感等。第二步貼主動元件，就是中間部分的晶圓，它實現(xiàn)芯片的大部分電路功能。這兩步做完之后，需要連接電路，以前一般用金線、銅線、鋁線進行連接，以實現(xiàn)芯片的電路功能。做完這三步后，芯片的功能便基本實現(xiàn)了，接下來還要用一些材料，比如陶瓷或聚脂，對芯片塑封以確?？煽啃浴＿@就是封裝最基本、最簡單的一套流程。

1晶圓研磨和切割工藝

2倒裝芯片貼裝工藝

在芯片里貼被動元件與在電路板上貼元件類似，刷上焊錫膏，把被動元件焊接到基板上面，實現(xiàn)它的連接功能，唯一的區(qū)別只是它用到的SMD元件會更小。今后的趨勢是分立元件會更多地集成在芯片里，外圍不會有太多元件。

作為功率放大的器件，需要高功率的、高帶寬的材料，比如砷化鎵、氮化鎵，也需要一些低頻的功率器件，共同做在晶圓上。每一片晶圓，可能包含許多直徑大概0.1到0.5毫米的小晶片，我們稱之為die。對晶圓的專用機器會使用環(huán)氧樹脂將晶圓粘接到目標表面，令目標與晶圓進行導電導熱的連接。環(huán)氧樹脂材料對die和die之間的距離有一定限制，隨著晶圓越做越小，也可能用到一些其它新材料，例如導電薄膜，從而使芯片的集成度提高。

3引線鍵合工藝

焊線（Wire Bond）將芯片上的電路連接起來?，F(xiàn)在焊線的方式會用到一個mil（千分之一英寸，約0.0254mm）的金線，隨著成本控制和其它一些生產考量，也會用到合金、鋁線或其它一些焊線材料。不同的die之間互相用這種線進行連接。

雖然采用焊線的芯片，基板設計靈活度較高，但焊線制約了封裝的尺寸。隨著頻段越來越寬、頻譜越來越復雜，焊線技術已不太適用消費電子產品，尤其是可穿戴設備。現(xiàn)在常用銅柱凸點倒裝的方式實現(xiàn)芯片內的連接。

最終我們利用環(huán)氧樹脂、二氧化硅或其它材料對芯片進行塑封，以實現(xiàn)產品的可靠性，比如防潮、防震這些功能。塑封完成后會在芯片上面激光打碼，留下一些基本信息，通過這些信息就可以追溯芯片的生產記錄。打碼后會將整版芯片切割成單個芯片包裝。

5切割工藝

6檢驗

包括磁阻檢測、整板測試、干式烘焙測試、晶圓探測等。

//射頻芯片封裝模式的不斷演進//

縱觀芯片封裝模式的演進，5-10年前器件的封裝更多的是用Wire Bond間隔的模式，通過晶片貼到類似于傳統(tǒng)意義的PCB的基板上，達到厚度更薄密度更高。又或者是Wire Bond間隔的多個晶片及表面貼裝元件的混裝方式，能夠把wafer的其它一些功能，比如控制模塊、電源管理模塊、filter，包括開關，全部封裝在里邊。

5年前的封裝模式現(xiàn)在很多主流的手機和基站產品仍在使用，更多用的是倒貼的方式。接下來的封裝，集成度會越來越高。系統(tǒng)級封裝（System In a Package）可將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。

此外，5G推動芯片向更高集成度、更小尺寸和更高的性能發(fā)展，新的封裝技術要求設計和制造能力的不斷提升。周寅最后指出，QorvoRF Fusion 射頻前端模塊，實現(xiàn)了功能集成上的突破，可將中頻/高頻模塊整合到一起。通過采用 Qorvo 獨有的內核功能組合，可提升性能，降低功耗和解決方案整體的尺寸大小，同時提供更高的載波聚合容量，滿足5G時代智能手機制造商日益增長的全球覆蓋需求。