近日在山東省發(fā)改委公布的新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫第二批優(yōu)選項目名單中包含多個半導體功率項目。

如濟南富元電子高功率芯片產(chǎn)業(yè)園項目（年產(chǎn)8寸硅基功率器件36萬片、6寸碳化硅功率器件12萬片），韓國iA集團—大唐電信投資有限公司車規(guī)級功率半導體模塊項目（實現(xiàn)復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件IGBT年產(chǎn)值10億元）等。

最新消息是，總投資50億的山東興華半導體項目已經(jīng)開工。

據(jù)日照高新消息，6月15日，山東興華半導體項目開工儀在日照高新區(qū)舉行開工儀式。消息指出，該項目由東南亞最早的半導體制造公司——香港興華半導體工業(yè)有限公司開工建設(shè)。

項目計劃總投資50億元，主要建設(shè)5寸/6寸和8寸半導體集成電路生產(chǎn)線各一條，主要設(shè)計制造市場前景廣闊的半導體集成電路芯片，將建成國內(nèi)主要的功率器件和集成電路供應商。量產(chǎn)后，5年內(nèi)可實現(xiàn)產(chǎn)值7.2億元，年稅收1.4億元。

目前，該項目已完成立項和工商注冊手續(xù)，一期項目廠房建設(shè)已奠基開工。

事實上，近年來，有多個功率半導體項目都已經(jīng)落戶山東。其中富士康濟南項目（富能高功率芯片生產(chǎn)項目）已于3月15日開工。

根據(jù)濟南高新區(qū)管委會此前發(fā)布的新聞稿稱，富能高功率芯片生產(chǎn)項目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。