SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。

該公司將開始量產(chǎn)采用128層4D NAND型閃存(NAND Flash)技術(shù)的1TB 3階儲存單元(TLC)，不僅儲存密度達(dá)到業(yè)界最高，而SK海力士也是全球首家進(jìn)行商業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)的業(yè)者。

這款128層堆棧的4D NAND Flash預(yù)計將自下半年開始出貨。據(jù)SK海力士表示，TLC規(guī)格芯片具有出色的性能和可靠性，目前占NAND Flash市場比重85%以上。

若采用128層的1TB NAND Flash，使用在1TB容量產(chǎn)品中的NAND芯片數(shù)量將減少一半。隨著堆棧層數(shù)持續(xù)躍增，NAND Flash的容量也大幅成長，SK海力士表示，已著手研發(fā)下一代的176層4D NAND Flash。

韓聯(lián)社4月3日報導(dǎo)，南韓芯片巨頭三星電子和SK海力士2018年繼續(xù)維持在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)最新調(diào)查，三星去年的NAND Flash銷售額為221.9億美元，在全球市場的市占率達(dá)35%，高居第一；日本東芝(Toshiba )以19.2%的市占率排名第二；SK海力士市占率10.6%，排名第五。

Pulse News 6月21日報導(dǎo)，由于芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷和中國需求放緩，南韓出口額已連續(xù)第7個月呈現(xiàn)驟降。|中國半導(dǎo)體論壇公眾號|據(jù)南韓海關(guān)21日公布的最新數(shù)據(jù)，南韓6月1-20日的出口總額為272億美元，比去年同期下降10%。其中，占該國出口總額17%的半導(dǎo)體出口額大跌24.3%。