受日本政府宣布限制向韓國企業(yè)出口半導(dǎo)體材料的影響，目前整個市場都在擔(dān)憂會引發(fā)斷鏈危機(jī)進(jìn)而引發(fā)內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價格的快速飆升。市場認(rèn)為，在日韓的糾紛沒有和解的情況下，這波漲價的行情會繼續(xù)延續(xù)下去，全球半導(dǎo)體市場預(yù)期也比之前預(yù)計的要好。

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下全球半導(dǎo)體觀察(DRAMeXchange)的數(shù)據(jù)，DRAM現(xiàn)貨價在上周和本周均有所上漲，NAND Flash現(xiàn)貨價也從6月底開始逐步走揚(yáng)。

7月11日至15日期間，PC DRAM標(biāo)準(zhǔn)存儲器(DDR4 8GB)現(xiàn)貨價上漲11.8%，DDR3 4GB現(xiàn)貨價漲幅也達(dá)到13.7%，而NAND Flash(64GB MLC)現(xiàn)貨價則上漲3.6%。

此現(xiàn)象反映內(nèi)存市況比起先前預(yù)測更樂觀。1個月前，DRAMeXchange預(yù)測NAND Flash和DRAM現(xiàn)貨價將分別在2019年第3季和2020年第2季觸底。

另外，據(jù)證券時報報道，三星現(xiàn)已率先對工廠顧客漲價，漲價涉及的品類為DDR3、EMMC和Nand Flash。特別是三星8GB、16GBEMMC最近價格漲幅較大，均在10%左右。

Kiwoom 證券分析師說明，市場情勢出現(xiàn)意外轉(zhuǎn)折，與日本實(shí)施的出口限制有關(guān)。分析師說，這項禁令提振NAND Flash市場需求大幅復(fù)蘇，客戶的采購量增加，目前3D NAND的價格已接近下限，而日本東芝 ( Toshiba )的NAND Flash 晶圓廠發(fā)生斷電意外，導(dǎo)致供應(yīng)量大減，日本對韓實(shí)施貿(mào)易制裁，將進(jìn)一步引發(fā)囤貨潮，令芯片庫存迅速減少。

7月10日，DRAM現(xiàn)貨價出現(xiàn)10個月來首次上漲。韓聯(lián)社7月12日報導(dǎo)，DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，8GB DDR4 DRAM平均單價10日報3美元，較前一個交易日上升1.2%，是繼去年9月14日現(xiàn)貨價上漲0.2%以來首次走揚(yáng)。

月初，日本宣布將從7月4日起限制向韓國出口氟聚酰亞胺、光刻膠及蝕刻氣體（氟化氫）三種用于半導(dǎo)體制造和屏幕制造的核心原料。上周，便有業(yè)內(nèi)人士稱，三星電子的氟化氫存庫可能僅僅只能維持幾周時間，SK海力士等其他韓國半導(dǎo)體企業(yè)也不容樂觀。

為了應(yīng)對日本對韓國半導(dǎo)體材料出口限制，本周，韓媒報道稱，SK海力士已經(jīng)開始測試從中國進(jìn)口氟化氫材料，三星近日則大規(guī)模從西安采購高純度氟化氫。盡管如此，但半導(dǎo)體生產(chǎn)是一個非常復(fù)雜的過程。

今日早些時候，路透社援引知情人士消息，三星電子發(fā)信呼吁本地智能手機(jī)和家電業(yè)務(wù)合作廠商囤積更多日本零部件，以防日本擴(kuò)大對韓出口管制。