瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 ST新款STDRIVE601三相閘極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N通道功率MOSFET和IGBT電極體，穩(wěn)定性位居目前業(yè)界最先進(jìn)之水準(zhǔn)，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入回應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水準(zhǔn)。
2019-08-22 16:54:061226 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:501327 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
為正時，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加
2018-03-03 13:58:23
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601A馬達(dá)驅(qū)動600V單相雙NMOS半橋柵極驅(qū)動芯片
SA2601A是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT
2024-04-01 17:36:07
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
了其對電壓波動的適應(yīng)性。3. 簡化設(shè)計，集成度高
采用浮動通道架構(gòu)，可直接驅(qū)動工作電壓高達(dá)600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無需復(fù)雜的隔離電源，極大地簡化了半橋、全橋等拓?fù)涞脑O(shè)計，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動、高邊直驅(qū)設(shè)計三大核心優(yōu)勢，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動、新能源逆變及儲能設(shè)備中的驅(qū)動難題，實現(xiàn)對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計： 獨特的浮動通道設(shè)計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:092023 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461712 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3759 意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水平。
2019-07-18 09:03:001529 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH550UNE
2023-02-07 18:55:510 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH400UNE
2023-02-07 18:56:270 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH260UNE
2023-02-07 18:56:450 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:170 50 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX5008NBKH
2023-02-07 18:57:350 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB10ZH
2023-02-21 18:21:260 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:542 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 30 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB47XP
2023-03-02 22:21:131 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 NP60N06PDK60 V - 60 A - N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-17 19:48:142 NP90N06VLK60 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-17 19:48:460 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-03-17 19:49:390 NP75N04VUK40 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-03-17 19:50:260 NP75N055YUK55 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-03-17 19:50:470 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
NP60N06PDK60 V - 60 A - N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:39:490 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:41:240 NP75N04VUK40 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:42:040 NP75N055YUK55 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:42:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET BXK9Q29-60A英文資料.pdf》資料免費下載
2024-01-04 14:22:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:46:300 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1A，700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-05-30 16:11:410 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:40:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 155K N溝道MOSFET技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:38:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:34:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:31:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 15:58:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-ZS8N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 15:57:360 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09229 選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52211 仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-05 16:01:03243 仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如
2025-11-06 15:44:22308 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電源設(shè)計中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N溝道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封裝。
2025-12-08 15:02:32326 
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
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