宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。 全球行業(yè)領先供應商
2022-05-17 17:51:11
4007 
1、場效應管可用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級阻抗變換。 3、場效應管可以用作可變電阻、電子開關、恒流源
2023-09-20 15:26:064788 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 二極管三極管與晶閘管場效應管解析
2021-02-24 09:22:34
防止場效應管(MOSFET)接電感負載時，在截止瞬間產(chǎn)生感應電壓與電源電壓之和擊穿場效應管(MOSFET)，一般功率場效應管 (MOSFET)在漏極與源極之間內(nèi)接一個快速恢復二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
的基本電路如圖4所示。由電流互感器CT檢測過電流，進而切斷柵極信號,實現(xiàn)對功率場效應管的保護。也可用電阻或霍爾元件替代CT。圖3、過壓保護電路圖4、過流保護電路另外功率場效應管的柵極極易擊穿損壞，柵源
2018-01-31 10:01:49
功率場效應管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點，還具有電流負溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點。其
2018-01-29 11:04:58
場效應管具有什么特點？場效應管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
GS=0時的漏源電流。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM
2013-03-27 16:19:17
一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調(diào)制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場效應管除了以上三大作用之外還可以用作可變電阻，實現(xiàn)壓控電阻，另外，場效應管應用場合還有很多，例如高保真音響系統(tǒng)、防反接電路等。原作者：大年君愛好電子
2023-02-24 16:28:18
根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作
2012-07-28 14:13:50
場效應管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場效應管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
場效應管的作用1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應管可以用作可變電阻。4、場效應管可以方便地用作恒流源。5、場效應管可以用作電子開關。
2009-04-25 15:43:23
場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級
2021-05-13 06:55:31
場效應管si2301（p溝道）柵極D1接單片機引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負載。問題是，單片機引腳低電平時，輸出端(d)確實為高電壓，但是單片機引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關斷。這是場效應管的原因還是電路的設計問題？怎么讓場效應管完全關斷呢？
2017-12-09 18:46:35
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽w
2009-04-25 15:38:10
。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM — 跨導。是表示柵源電壓
2009-04-25 15:43:12
這2圖是2個場效應管的手冊，里面的功率看得有點亂，有沒有人能教下怎么看，謝謝
2019-03-10 21:09:56
的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q
2009-04-25 15:43:42
，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當場效應管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道場效應管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）電壓和電流的選擇。額定電壓
2020-07-10 14:51:42
`請問場效應管的驅(qū)動電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
電流增大到一定電流時三極管導通，使場效應管GS電壓下降來實現(xiàn)穩(wěn)流。 3也是最重要的一點也是我不理解的點，我對tl431的了解，tl431是三端可調(diào)穩(wěn)壓管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
框圖如圖2所示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第二代可穿戴設備背后的傳感器技術 ADPD105/ADPD106/ADPD107功能框圖 ADPD107 用作完整收發(fā)器，驅(qū)動系統(tǒng)中的 LED 并測量光電二極管的返回信號。目標
2018-09-21 11:46:21
數(shù)量，實現(xiàn)了高度集成的充電器設計。鈺泰半導體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開關管。內(nèi)部開關管漏極連接大面積銅箔散熱，可實現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
晶體管的開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第二部分 N型場效應管的主要用途 N型場效應管在一些工業(yè)設備和電子裝置中廣泛被用來控制信號的開關和功率的傳遞，可應用于功率的放大器，適用于數(shù)字電路以及機械設備的控制等等?！ 型
2023-03-08 14:21:22
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:33:26
對稱問題，所以非線性失真極小。因為場效應管是電壓控制器件，輸出級所需要的推動功率較小，所以推動級也很簡單，由一只結(jié)型場效應管擔任?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率輸出端通過輸出變壓器耦臺輸出，音樂韻味和電子管功放相似?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二
2019-06-21 04:03:47
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
第二代導航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發(fā)上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測距信號自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應管是用電控制的開關，那么我們就先講一下怎么使用它來
2021-05-25 06:00:00
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
1、結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
由MOS場效應管和普通電源變壓器構成，TK8A50D場效應管是目前家用電器的逆變器后級電路應用得比較多的場效應管型號之一。冰箱、空調(diào)、LED等是我們每天都會應用到的電器，如果場效應管的質(zhì)量不過關，無法進行
2019-08-15 15:08:53
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
1.4.1 結(jié)型場效應管1.4.2 絕緣柵型場效應管1.4.3 場效應管的主要參數(shù)1.4.4 場效應管與晶體管的比較場效應半導體三極管是僅由一種載流子參與導電的半導
2008-07-16 12:52:16
0 VMOS場效應管介紹及應用
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不
2010-01-13 15:22:25146 近年來，MOS半導體技術不斷發(fā)展，使MOS功率型場效應管的研制及生產(chǎn)取得成功。由于MOS功率型場效應管具有截止頻率高、開關特性好、功耗小、增益高、激勵功率小，不存在二次熱
2010-05-28 09:01:47204 這里介紹用一只V-MOS功率場效應管作調(diào)整管的穩(wěn)壓電源。直流輸出電壓可在1.25V~12V連續(xù)可調(diào)
2006-04-16 23:08:494715 場效應管知識場效應晶體管
1.什么叫場效應管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導
2008-01-15 10:26:4717463 
VMOS場效應管 VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應
2009-04-25 15:47:442452 
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
MOS場效應管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場效應管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231215 功率場效應管的原理、特點及參數(shù)
功率場效應管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應管
2009-10-06 22:55:145400 
場效應管的基礎知識2
一、場效應管工作原理 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極
2009-11-09 15:40:321773 飛思卡爾第二代觸摸感應控制器，具有更高的內(nèi)部智能
飛思卡爾不久前宣布推出第二代觸摸感應控制器：MPR121。這是飛思卡爾繼MPR03x系列器件之后推出的第二代觸摸感
2010-01-06 10:43:311419 場效應管（FET）,場效應管（FET）是什么意思
場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構、原理可以
2010-03-01 11:06:0548375 VMOS場效應管,VMOS場效應管是什么意思
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應
2010-03-04 09:51:031797 什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場效應管)
為了適合大功率運行，于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應管，即VMOS管。
VMOS管或功率
2010-03-05 15:42:385270 VMOS場效應管,VMOS場效應管是什么意思
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533750 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 驅(qū)動電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對小功率場效應對管Q1 、Q2 組成。當控制信號為低電平時,同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場效應管Q2 導通,與地相聯(lián)的N 溝道場效應
2012-04-17 15:43:0420452 
彩顯電源管大功率場效應管技術參數(shù)。
2016-03-15 10:13:1821 隨著寬帶的可用性（WBG）設備，很多電源設計人員已經(jīng)開始研究基于氮化鎵上硅場效應管的優(yōu)點（GaN-on-Si）為各種新的設計和新應用。
2017-06-01 09:04:3819 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結(jié)構。
2018-08-20 17:26:2910826 本文首先介紹了場效應管是什么，然后解釋了場效應管的工作原理。
2019-08-14 10:31:2710053 KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管，該管內(nèi)部采用N溝道場效應管作為輸入級，具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 11:00:2016308 值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在電動汽車牽引電機或充電站等汽車應用中，以及在太陽能發(fā)電機和電機驅(qū)動等工業(yè)應用中，使用SiC MOSFET可使設計者獲得各種好處，包括： ●減小功率級的尺寸和重量 ●實現(xiàn)更高的功率密度 ●減小功率電路無源元件的尺
2020-11-26 16:33:521805 
2月23日消息，中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 09:08:252659 中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 11:41:082738 氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 TPH3206PSB 650V，150m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一個正常關閉的設備。它結(jié)合了最先進的高科技電壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 14:51:3310 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一款使用Transphorm第四代平臺的常閉設備。它結(jié)合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114 TP65H035BS 650V，35m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管增強模式常關設備。TransphormGaN FET通過更低的柵極電荷提供更好的效率，更快的切換速度和更小的反向恢復充電，與傳統(tǒng)充電相比具有顯著優(yōu)勢硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:3813 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:053013 指標。為了提高電源的效率，80 PLUS鈦金級電源的設計人員正在尋找650 V GaN FET，實現(xiàn)更小、更快、更涼、更輕的系統(tǒng)，同時降低總體系統(tǒng)成本。
2023-02-08 09:17:051593 
場效應管怎樣修（1）首先觀察待測場效應管外觀，看待測場效應管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應管已發(fā)生損壞，如圖1所示，本次待測的場效應管外型完好沒有明顯的物理損壞。
2023-02-11 16:58:573128 場效應管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構特點分為MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）、JFET（金屬硅場效應管）、IGBT（晶體管場效應管）等。
2023-02-17 15:44:056247 Nexperia（安世半導體）的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區(qū)別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:276881 
不同的應用場景中表現(xiàn)出了不同的特性。本文將詳細介紹結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)別。 首先，結(jié)型場效應管（JFET）是一種三端器件，其基本結(jié)構由一根n型或p型半導體材料的兩端之間夾有一層p型或n型材料組成。這個p-n結(jié)被
2023-09-18 18:20:515645 Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
驪微電子供應SSF65R650S2場效應管超致coolmos，更多SSF65R650S2場效應管產(chǎn)品詳細參數(shù)、功能及相關資料請超致MOS供應商驪微電子申請。>>
2022-04-25 11:24:490 替代原有場效應管的替代品。本文將詳細比較分析2586場效應管和3205場效應管兩種常見型號的特性和性能，以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應管的介紹 2586場效應管是一種常見的N溝道MOS場效應管型號，廣泛用于低功率放大器、電源電路和數(shù)字邏輯
2024-01-15 15:49:572596 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:243320 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續(xù)創(chuàng)新與技術突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 場效應管（MOSFET）和金屬半導體場效應管（MESFET）。 常見場效應管類型 結(jié)型場效應管（JFET） 結(jié)型場效應管是一種利用PN結(jié)作為控制門的場效應管。它由一個高摻雜的N型或P型半導體通道和兩個低摻雜的相反類型半導體區(qū)域（源極和漏極）組成。通過改變門極電壓，可以控制源極和漏
2024-12-09 15:52:343371 在設計場效應管驅(qū)動電路時，降低場效應管的噪聲是至關重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應管的噪聲： 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 ： 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場效應管供電，可以減少電源波動
2024-12-09 16:17:422024 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現(xiàn)出業(yè)界領先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系
2025-11-03 18:18:052815 新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能
2025-11-17 17:02:541207 在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326
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