近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。此外，瞻芯電子同步推出了650V 60mΩ規(guī)格的車規(guī)級(jí)263-7封裝產(chǎn)品IV2Q06060D7Z。

產(chǎn)品特性

瞻芯電子的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品是依托瞻芯電子自建的SiC晶圓廠來(lái)研發(fā)和生產(chǎn)的，其首款產(chǎn)品于2023年9月份發(fā)布量產(chǎn)，該系列產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，應(yīng)用的兼容性更好。更為關(guān)鍵的是，第二代SiC MOSFET通過(guò)優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

關(guān)于TO263-7塑封貼片封裝，對(duì)比傳統(tǒng)的TO247封裝，體積更小，貼片焊接更簡(jiǎn)便。在應(yīng)用中，TO263-7封裝的源極(S)為5根引腳并聯(lián)，阻抗更低，導(dǎo)通損耗也更低。同時(shí)TO263-7封裝具有開(kāi)爾文源極引腳(Kelvin Source)，將柵極引腳電感最小化，并用背面的散熱板當(dāng)作漏極(D)，總體封裝電感更低，從而抑制了開(kāi)關(guān)時(shí)的驅(qū)動(dòng)回路振蕩，降低門極噪聲，更利于發(fā)揮碳化硅(SiC)MOSFET高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，從而提升系統(tǒng)效率。

為滿足多種場(chǎng)景應(yīng)用需求，瞻芯電子開(kāi)發(fā)了多種規(guī)格的TO263-7封裝SiC MOSFET產(chǎn)品，電壓平臺(tái)包括650V, 1200V, 1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋25mΩ-1Ω，如下表：

產(chǎn)品特點(diǎn)：

低阻抗封裝 低導(dǎo)通電阻，低損耗

可高速開(kāi)關(guān)，且寄生電容小

高工作結(jié)溫，可達(dá)175℃

具有開(kāi)爾文源極驅(qū)動(dòng)（Kelvin-Source）

應(yīng)用場(chǎng)景

綜上分析，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET很適合系統(tǒng)尺寸緊湊，又需要實(shí)現(xiàn)高功率、高效率的功率變換的場(chǎng)景應(yīng)用，具體如下：

車載充電器

光伏逆變器

高壓DC/DC變換器

車載空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)

UPS電源

開(kāi)關(guān)電源







審核編輯：劉清