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Diode全新集成高壓穩(wěn)壓器晶體管有效提升功率密度

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線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器有什么不同

的 LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP.這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)
2018-09-29 17:02:19

線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器的聯(lián)系和區(qū)別

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線性穩(wěn)壓器內(nèi)部電路

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線性穩(wěn)壓器及其主要性能參數(shù)

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2018-10-09 10:40:29

線性穩(wěn)壓器基本原理介紹

,即反饋(feed back)環(huán)路。輸入或負載變動后,即使輸出電壓開始變動,誤差放大器也會連續(xù)比較來自穩(wěn)壓器輸出電壓的反饋電壓和基準電壓,調(diào)整功率晶體管使差分為零,將VO維持恒定。這是反饋環(huán)路控制穩(wěn)定
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線性穩(wěn)壓器的基本知識全面解析

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直接并聯(lián)這種高功率密度線性穩(wěn)壓器 - LT3080_zh
2019-07-26 06:03:003446

儒卓力推出新品,Recom高功率密度緊湊型電源模塊

帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術(shù),提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:513603

如何改進MOSFET提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET)參數(shù),進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000

功率密度的基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面: 降低損耗 最優(yōu)拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151460

功率密度的解決方案詳細說明

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面:降低損耗,最優(yōu)拓撲和控制選擇,有效的散熱,通過機電
2020-11-19 15:14:0011

20V、20A 單片同步 Silent Switcher 2 降壓型穩(wěn)壓器 可降低 EMI 并支持高功率密度應(yīng)用

20V、20A 單片同步 Silent Switcher 2 降壓型穩(wěn)壓器 可降低 EMI 并支持高功率密度應(yīng)用
2021-03-21 07:55:434

功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器

功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519

采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器

采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-18 20:00:3510

小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器

小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-24 17:58:0817

最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換功率密度

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00308

功率密度電機功率級中元件所面臨的挑戰(zhàn)

對緊湊但功能強大的電機的需求為設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅(Si)金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和集成柵極雙極晶體管
2021-10-11 17:22:363123

線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器的對比分析

電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的 LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP.這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以...
2021-11-07 20:06:034

LDO線性穩(wěn)壓器詳解

其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值?! ≌敵鲭妷旱腖DO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個非常...
2021-11-09 14:06:0032

探究功率密度基礎(chǔ)技術(shù)

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面: 降低損耗 最優(yōu)拓撲和控制選擇 有效
2022-01-14 17:10:262447

單片高壓開關(guān)穩(wěn)壓器TPS61170-Q1數(shù)據(jù)手冊

TPS61170-Q1 是一款集成 1.2A/40V 功率金屬氧化物 半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的單片高壓開關(guān)穩(wěn)壓 。該器件可配置為多種標準開關(guān)穩(wěn)壓器拓撲,包括升 壓
2022-06-20 18:20:480

功率密度數(shù)字IC呼喚新一代電源穩(wěn)壓器

復(fù)雜的高功率密度數(shù)字集成電路 (IC),例如圖形處理單元 (GPU) 和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA),可以在各種功能豐富的電子環(huán)境中找到,包括汽車、醫(yī)療、電信、數(shù)據(jù)通信、工業(yè)、通信、游戲和消費類音頻/視頻。高功率密度的數(shù)字 IC 幾乎已經(jīng)滲透到每一個嵌入式系統(tǒng)中。
2022-08-11 14:38:541351

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243

如何實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)功率密度

一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價,電機本體以有效功率指標評價,逆變器以體積功率密度指標評價;一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價,而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216549

三端穩(wěn)壓器與LDO穩(wěn)壓器的區(qū)別

典型三端穩(wěn)壓器(也稱標準穩(wěn)壓器)的輸出晶體管使用NPN型晶體管或N溝道MOSFET。
2023-04-12 09:25:467984

實際功率密度:26A μModule穩(wěn)壓器可在狹小空間內(nèi)保持冷卻

LTM4620 μModule 穩(wěn)壓器是一款真正的高密度電源解決方案。它在高功率密度穩(wěn)壓器領(lǐng)域脫穎而出,因為它管理熱量,這是許多宣稱的高密度解決方案的致命缺陷。它具有兩個高性能穩(wěn)壓器,封裝在卓越
2023-04-14 11:20:211861

晶體管直流穩(wěn)壓電源的工作原理

晶體管穩(wěn)壓器利用晶體管的電子特性進行電壓調(diào)節(jié),通常由穩(wěn)壓管和電容組成。晶體管穩(wěn)壓器的優(yōu)點是輸出電壓穩(wěn)定,同時也能夠適應(yīng)大范圍的輸入電壓變化。
2023-05-16 15:47:462212

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254

串聯(lián)晶體管穩(wěn)壓器電路

從本質(zhì)上講,串聯(lián)穩(wěn)壓器也稱為串聯(lián)調(diào)整管,是使用與電源線路和負載之一串聯(lián)的晶體管產(chǎn)生的可變電阻。
2023-06-03 16:25:074234

齊納控制晶體管穩(wěn)壓器電路圖講解

穩(wěn)壓電源的效率因高電流而變得非常低時,使用齊納控制的穩(wěn)壓器。齊納控制的晶體管穩(wěn)壓器有兩種。
2023-07-17 17:25:343966

為什么晶體管有高低頻的特性?

為什么晶體管有高低頻的特性?? 晶體管是一種半導體器件,起到了控制電流的作用。在電子設(shè)備中,晶體管是一種非常重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。晶體管的特性非常復(fù)雜,包括高低頻的特性。 晶體管的高低
2023-09-20 16:43:221779

寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

功率密度方面有了很大的提高,但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外,早期應(yīng)用的故障率遠高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率,并提升可靠性和經(jīng)濟性,以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 (GaN) 技術(shù),以及該技
2023-10-03 14:26:001305

如何提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度呢?

電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度,這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04971

MOSFET創(chuàng)新助力汽車電子功率密度提升

隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化,我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來的是,增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升,這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中,功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526

突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動和保護功能,可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586

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