科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽(yù)度，是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了科銳
SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)將加速
SiC碳化硅基
方案更為廣泛的采用，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8213 僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:222959 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:023024 
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高
2024-01-16 09:46:201990 
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較 特性 Si 4H-SiC GaN 禁帶能量（eV） 1.12
2025-03-12 11:31:09898 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
碳化硅已被證明是高功率和高壓器件的理想材料。然而，設(shè)備可靠是非常重要的，我們不僅指短期，而且還指長(zhǎng)期可靠性。性能，成本和可制造性也是其他重要因素，但可靠性和堅(jiān)固性是碳化硅成功的關(guān)鍵。全世界有超過30
2019-07-30 15:15:17
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多?！ ∪?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn) 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
每小時(shí)幾米?！ ∪欢?，該工藝不適合SiC體積增長(zhǎng)。對(duì)于碳化硅生產(chǎn)，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
，采用SiC的解決方案的面積不到千分之一。另一方面，目前市場(chǎng)上的GaN功率組件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC在散熱性能上最具優(yōu)勢(shì)，相當(dāng)適合應(yīng)用在
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。4H-SiC最適用于功率元器件。下表為Si和近幾年經(jīng)常聽到的半導(dǎo)體材料的比較。3英寸4H-SiC晶圓表中黃色高亮部分是Si與SiC
2018-11-29 14:43:52
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
1.碳化硅（SiC）基高壓半導(dǎo)體開關(guān)芯片（光觸發(fā)型），半導(dǎo)體材料為SiC；★2.開關(guān)芯片陰陽極耐壓VAK大于7500V，VKA大于1000V；★3.開關(guān)芯片室溫漏電流小于1μA；4.芯片陰極電極
2022-09-28 17:10:27
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場(chǎng)強(qiáng)度，以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常，在低頻工作時(shí)，其功率損耗是絕緣失效電場(chǎng)的3倍，而在高頻時(shí)則是2
2023-02-23 15:46:22
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測(cè)試方法，對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
近年來，因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導(dǎo)體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅(qū)動(dòng)核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對(duì)于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
通時(shí)間。對(duì)于 ≥150kW 牽引逆變器應(yīng)用，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有 >10 A 的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過米勒平臺(tái)，并利用更高的開關(guān)頻率。碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的組件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
2018-10-09 16:28:005160 相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
2018-10-10 11:06:5629773 之后，這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC（碳化硅）材料性能和晶圓制造產(chǎn)能，使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場(chǎng)帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。
2019-05-14 10:24:444139 意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 來探討一下碳化硅襯底的國產(chǎn)化進(jìn)程。 ◆ 碳化硅襯底類型 碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共 260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分
2021-07-29 11:01:185164 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012980 
Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:352431 碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于盡快加速產(chǎn)品在 SiC 領(lǐng)域采用的公司
2022-08-03 10:57:442685 
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:192135 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430592 以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。
2023-02-04 14:25:254323 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合成。其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點(diǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域最常見的是具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的4H-SiC和6H-SiC。
2023-02-06 16:45:259951 摘要：對(duì)于高導(dǎo)熱碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圓晶的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試，目前普遍都采用閃光法，但都存在測(cè)試結(jié)果偏低的現(xiàn)象。本文基于這種高導(dǎo)熱碳化硅特性和閃光法，解釋了這種測(cè)試誤差較大的原因，并通過
2023-02-20 15:55:040 。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強(qiáng)度和模量確實(shí)優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強(qiáng)度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，被認(rèn)為是增強(qiáng)金屬和陶瓷材料的理想增強(qiáng)組元。
2023-02-21 09:13:470 進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16742 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:272334 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-05-17 14:39:043277 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:401229 
5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-06 09:30:231095 5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能
2022-01-06 09:27:161497 5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，化學(xué)穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強(qiáng)酸或強(qiáng)堿發(fā)生反應(yīng)，切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，現(xiàn)將
2022-12-08 16:50:464337 
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（0.8×10?~3×10?V/cm）約是Si的10倍，飽和
2023-11-10 09:22:311359 
4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:035202 
隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。
2024-04-15 10:20:531538 
總部位于英國蘇格蘭的碳化硅（SiC）晶圓制造公司Clas-SiC，正積極尋求與多家企業(yè)合作，在印度建立一座或多座碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯了Clas-SiC在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也反映了該公司對(duì)印度市場(chǎng)的深度布局和長(zhǎng)期投資信心。
2024-06-13 09:44:491354 以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-08-08 10:13:174710 圓切片工藝具有重要價(jià)值。然而，該技術(shù)的原理和損傷層形成機(jī)理尚未完全明確。因此，本文將介紹超短脈沖激光輔助SiC晶圓切片工藝原理，并深入探討超短脈沖激光在材料內(nèi)部加工的機(jī)理問題。 超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片工藝原理
2024-11-25 10:02:101329 
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542898 磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對(duì)這一影響的詳細(xì)分析：
一、磨料形貌的影響
磨料形貌是研磨過程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。金剛石磨料因其
2024-12-05 14:14:30492 
碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等，會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142519 SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅
2025-04-21 09:21:56872 
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561 
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28493 亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471100 
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而，為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能，必須對(duì)SiC進(jìn)行精細(xì)的表面處理?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP
2025-08-05 17:55:36985 
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