功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。。 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用
2023-06-16 10:51:09
9569 在電源領(lǐng)域傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體正逐漸面臨發(fā)展瓶頸，而具有比硅更低導(dǎo)通電阻及更高切換速度的氮化鎵，近幾年成為眾所矚目的焦點(diǎn)。電源領(lǐng)域是目前氮化鎵功率器件最大的應(yīng)用市場(chǎng)，電源管理市場(chǎng)將迎來(lái)大變革時(shí)代。
2017-09-06 06:32:004052 
氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 ? 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種
2023-04-19 17:23:011219 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動(dòng)電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達(dá)66款氮化鎵快充產(chǎn)品來(lái)看，其中，60W及以上占比達(dá)到了五分之三之多；而30W規(guī)格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來(lái)了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì)，針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過(guò) 70
2017-08-15 17:47:34
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
LED的導(dǎo)入為什么會(huì)造成照明市場(chǎng)的重大變革？它有什么優(yōu)點(diǎn)?
2021-04-06 06:15:18
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車(chē)的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車(chē)廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來(lái)說(shuō)尤為常見(jiàn)，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專(zhuān)家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
推動(dòng)電源管理變革的5個(gè)趨勢(shì)
2021-03-11 07:50:56
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過(guò)使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管來(lái)減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)重大變革。以前分享過(guò)氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過(guò)程，接下來(lái)在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
的應(yīng)用，包括自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和安全系統(tǒng)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。
隨著產(chǎn)量的增長(zhǎng)，氮化鎵器件正在取代傳統(tǒng)應(yīng)用的硅MOSFET，例如48 V DC/DC電源，讓數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和游戲等高
2023-06-25 14:17:47
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵電源管理芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市
2010-03-25 09:14:411172 古鎮(zhèn)燈飾業(yè)悄然“變身”三大變革促LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展
古鎮(zhèn)鎮(zhèn)鎮(zhèn)長(zhǎng)蘇恩明日前向記者透露，古鎮(zhèn)燈飾業(yè)正在悄然轉(zhuǎn)身，逐步實(shí)現(xiàn)燈飾和L
2010-04-03 09:06:51549 IT制造業(yè)面臨第三次大變革?這個(gè)幾年前還是天方夜譚的話題，如今卻在逐步變成現(xiàn)實(shí)。
2012-06-06 08:45:381154 機(jī)器視覺(jué)與安全監(jiān)控市場(chǎng)商機(jī)正滾雪球般快速擴(kuò)大。在各國(guó)安防政策推波助瀾下，全球智能視頻應(yīng)用數(shù)量正倍速成長(zhǎng)，甚至從一線城市擴(kuò)及至二三線城市，帶動(dòng)大型監(jiān)控公共標(biāo)案與日俱增，并激勵(lì)具備高分辨率與智能視頻分析功能的IP攝像機(jī)市場(chǎng)需求快速攀升。市場(chǎng)巨大需求亟待尋求視頻技術(shù)大變革！
2013-11-06 17:35:182432 2017年的iPhone大變革：外殼改用3D玻璃 向iPhone 4致敬
2016-08-11 08:37:21952 國(guó)外科技媒體BGR日前分析稱，美國(guó)蘋(píng)果公司可能在下一代iPhone產(chǎn)品中加入遠(yuǎn)程無(wú)線充電技術(shù)。如果屬實(shí)，這將是自2007年推出首款iPhone以來(lái)，全球智能手機(jī)行業(yè)迎來(lái)的最大變革性創(chuàng)新。
2016-11-10 14:49:00868 據(jù)報(bào)道，今日IHS Markit發(fā)布2018年八大技術(shù)趨勢(shì)預(yù)測(cè)，行業(yè)正在經(jīng)歷的一波新的技術(shù)浪潮，新技術(shù)的加持將帶來(lái)一個(gè)嶄新的時(shí)代，2018年全球市場(chǎng)八大變革性技術(shù)預(yù)測(cè)如下：
2018-01-04 15:30:323398 區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)注定會(huì)帶來(lái)的巨大變革，在這股區(qū)塊鏈技術(shù)熱潮下，如今區(qū)塊鏈技術(shù)已給企業(yè)帶來(lái)巨大的收獲，各方積極參與區(qū)塊鏈技術(shù)，要把握先機(jī)才能掌控未來(lái)。
2018-02-10 10:08:00860 2018年10月16日到18日，物聯(lián)網(wǎng)解決方案世界大會(huì)（ IoT Solutions World Congress）于巴塞羅那正式舉行，沃達(dá)豐出席了該盛會(huì)并在會(huì)上展示了物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)帶來(lái)的巨大變革。
2018-10-23 14:37:527551 10月22日，在深圳市照明與顯示工程行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“2019超高清顯示技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展（深圳）研討會(huì)”上，日月成科技總經(jīng)理趙一塵作了《大變革期LED顯示超高清化的挑戰(zhàn)與趨勢(shì)》的主旨演講，給出了自己的看法。
2019-11-18 11:31:503279 5G網(wǎng)絡(luò)的到來(lái)勢(shì)必引起物聯(lián)網(wǎng)的大變革，借助于5G高速率、低延時(shí)、大帶寬的特性，全球物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)革命隨之興起，不過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的情況下信息等安全問(wèn)題日益凸顯，所以為迎來(lái)“萬(wàn)物互聯(lián)”，必須是“安全先行”。
2020-07-16 10:31:483907 Kirkpatrick補(bǔ)充說(shuō)：“人工智能很可能會(huì)引發(fā)行業(yè)的重
大變革，因?yàn)橛忻鞔_的案例需要整合人工智能，而不是那些可能多年未產(chǎn)生投資回報(bào)的空中使用案例?！?/div>
2020-09-10 14:18:102819 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2020年嵌入式汽車(chē)技術(shù)的重大變革詳細(xì)說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-26 04:17:00
10 大會(huì)的重頭戲是“智能交通”。百度創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO李彥宏在開(kāi)場(chǎng)演講中表示： “智能交通將是影響未來(lái)10-40年的重
大變革，可使5年之內(nèi)中國(guó)一線城市將不再需要限購(gòu)和限行，10年之內(nèi)基本解決擁堵問(wèn)題?！?/div>
2021-12-29 09:44:581575 百度AI開(kāi)發(fā)者大會(huì)：2021百度AI開(kāi)發(fā)者大會(huì)舉辦，百度公司創(chuàng)始人李彥宏表示人機(jī)共生時(shí)代正在到來(lái)智能交通將帶來(lái)重大變革。還稱未來(lái)10年，AI將成為改變世界的有力工具，對(duì)AI賦能產(chǎn)業(yè)應(yīng)用與落地進(jìn)行了分享。
2021-12-29 13:52:042113 氮化鎵已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
2022-11-02 08:16:291 氮化鎵已為數(shù)字電源控制應(yīng)用做好準(zhǔn)備
2022-11-04 09:50:551 未來(lái)已來(lái)，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。 ? 本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合，隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車(chē)充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場(chǎng)景，幫助大家掌握氮化鎵應(yīng)用的最新動(dòng)態(tài)。
2023-02-02 17:52:312469 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810906 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204100 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 近年來(lái)，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動(dòng)充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場(chǎng)拓展打開(kāi)全新空間，氮化鎵智能插座市場(chǎng)規(guī)模迅速壯大。 UE
2023-03-08 17:28:511078 來(lái)源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00632 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613932 近年來(lái)，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動(dòng)充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場(chǎng)拓展打開(kāi)全新空間，氮化鎵智能插座市場(chǎng)規(guī)模迅速壯大。UEElectronic
2023-03-09 10:13:261231 
氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
2023-07-08 10:55:12958 相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:064631 
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告：大變革時(shí)代，汽車(chē)半導(dǎo)體站上歷史的進(jìn)程
2023-01-13 09:07:244 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。
氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大
2023-11-18 15:53:351082 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 清華大學(xué)《探臻科技評(píng)論》2023“青年最關(guān)注的改變未來(lái)十大變革科技”榜單發(fā)布！為營(yíng)造良好的科技創(chuàng)新生態(tài)，鼓勵(lì)廣大青年學(xué)子瞄準(zhǔn)行業(yè)前沿，深入探索交叉領(lǐng)域，清華大學(xué)《探臻科技評(píng)論》開(kāi)展了2023“青年
2023-11-29 08:09:49940 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:193278 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK80xxAP數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-11 11:19:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK020G數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-23 17:21:402 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片DK036G數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-23 17:23:345 在消費(fèi)類(lèi)快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)，小伙伴們一定要關(guān)注起來(lái)，不要錯(cuò)過(guò)氮化鎵持續(xù)拓展市場(chǎng)的巨大潛力！
2024-12-24 16:06:001241 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過(guò)緊密配合，顯著提升電源效率。在開(kāi)關(guān)電源的工作過(guò)程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻率的開(kāi)關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì)，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02949 需求主要集中在內(nèi)置的LED燈耳勺、續(xù)航及APP連接上，一顆小功率的電源管理芯片即可滿足。關(guān)注這個(gè)品類(lèi)的小伙伴，可以了解下深圳銀聯(lián)寶的氮化鎵電源管理芯片U8722SP！
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