氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
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作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
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氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。
德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用中電源系統(tǒng)和電源效率的關(guān)鍵一步。在設(shè)計(jì)中使用 GaN 的公司數(shù)量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關(guān)重要?!?br />
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在過去 60 多年里,硅一直是半導(dǎo)體電源管理元件的基礎(chǔ),這些元件將交流 (AC) 轉(zhuǎn)換為直流 (DC),然后根據(jù)各種應(yīng)用需求將直流電壓輸入進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人,不一而足。隨著元件的改進(jìn)和優(yōu)化,硅的物理特性已得到充分應(yīng)用。如今,在不增加尺寸的前提下,硅已無法在所需的頻率下提供更高功率。
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因此,在過去十年間,許多電路設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向采用 GaN,以便在更小的空間里實(shí)現(xiàn)更高功率。許多設(shè)計(jì)人員對于該技術(shù)將在未來創(chuàng)新中發(fā)揮的潛能充滿信心,主要?dú)w因于以下三點(diǎn):
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原因 1:GaN 已取得發(fā)展。
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做為半導(dǎo)體應(yīng)用,盡管 GaN 相對于硅來說較新,但已經(jīng)發(fā)展了多年并具有一定可靠性。德州儀器 GaN 芯片通過了 4,000 萬小時(shí)以上的可靠性測試。即使在數(shù)據(jù)中心等要求嚴(yán)苛的應(yīng)用中,其有效性也顯而易見。
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David 表示:“隨著消費(fèi)者和企業(yè)對人工智能、云計(jì)算和工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的數(shù)據(jù)量的需求不斷增長,全球范圍內(nèi)需要越來越多的數(shù)據(jù)中心。要使數(shù)據(jù)中心在不會(huì)過量增加能耗的前提下上線,需要實(shí)現(xiàn)更高效的服務(wù)器電源,而 GaN 是實(shí)現(xiàn)這類電源的關(guān)鍵技術(shù)。”
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原因 2:使用 GaN 的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)可節(jié)省成本。
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盡管現(xiàn)在按芯片級別比較,GaN 比硅昂貴,但 GaN 所帶來的整個(gè)系統(tǒng)的成本優(yōu)勢、效率和功率密度的提高超過了初始投資的價(jià)值。例如,在 100 兆瓦數(shù)據(jù)中心中,使用基于 GaN 的電源管理系統(tǒng),即使效率增益僅為 0.8%,也能在 10 年間節(jié)約 700 萬美元的能源成本。節(jié)約的能源足夠 80,000 個(gè)家庭,也就是大約一個(gè)小型城市,使用一年。
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德州儀器電源設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)總經(jīng)理 Robert Taylor 表示:“GaN 技術(shù)可在較高頻率下運(yùn)行,進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)一些具有更低物料清單成本的拓?fù)浜图軜?gòu)。得益于較高的運(yùn)行頻率,工程師還可以在設(shè)計(jì)中選擇較小型的其他元件。GaN 提供了硅芯片所不支持的拓?fù)?,使得工程師可以靈活優(yōu)化其電源設(shè)計(jì)。”?
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原因 3:通過集成提升了性能和易用性。
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GaN FET 需要專用的柵極驅(qū)動(dòng)器,這意味著需要額外的設(shè)計(jì)時(shí)間和工作量。不過,德州儀器通過在芯片中集成柵極驅(qū)動(dòng)器和一些保護(hù)功能,簡化了 GaN 設(shè)計(jì)。
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David 表示:“集成驅(qū)動(dòng)器有助于提高性能并提供更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率,從而提升效率并降低整體系統(tǒng)尺寸。集成提供巨大的性能優(yōu)勢并使用 GaN 簡化設(shè)計(jì),可使設(shè)計(jì)人員更大程度地利用這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢?!?br />
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性能優(yōu)勢
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David 說:“客戶會(huì)很高興看到我們的參考設(shè)計(jì),比如適用于數(shù)據(jù)中心的 5 千瓦圖騰柱功率因數(shù)校正設(shè)計(jì)所展示的 GaN 的性能優(yōu)勢。他們一旦認(rèn)識(shí)到可以以更小的解決方案尺寸實(shí)現(xiàn)更高的效率,或者以同樣的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率水平,這會(huì)促使他們轉(zhuǎn)向使用 GaN?!?br />
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例如,一些模塊化家用空調(diào)設(shè)備制造公司采用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì),將電源效率提高了 5%。
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Robert 表示:“從空調(diào)耗能的角度來看,這個(gè)數(shù)字意義重大,提高 5% 的效率可以節(jié)省一大筆資金。能用 GaN 器件實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)真是太棒了。”
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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
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2015-04-08 13:37:28
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9569英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
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氮化鎵(GaN)寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)
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2023-10-25 16:24:43
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氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
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2025-03-13 16:33:05
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氮化鎵助力,電源管理迎大變革
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2017-08-07 06:43:00
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12277氮化鎵: 歷史與未來
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
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氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
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氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
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氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?
相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評估
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢,針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
CGH40010F氮化鎵(GaN)高 電子遷移率晶體管
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96100F2氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化鎵(GaN)高電子遷移率 基于晶體管
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
IFWS 2018:氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開
,傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限,使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告,該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
MACOM:硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢
,尤其是2010年以后,MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場,如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵(GaN)
多個(gè)方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實(shí)測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
測試背景地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車市場
Canaccord Genuity預(yù)計(jì),到2025年,電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點(diǎn)碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要?
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好?
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵功率芯片?
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片?
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術(shù)
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵(GaN)?
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?!喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵(GaN)?
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
系統(tǒng)能做得越小巧,則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源,因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化鎵技術(shù)
摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案,可提供必要的功能,打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外,本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通?
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計(jì)上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
想要實(shí)現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計(jì)有哪些步驟?
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅(qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念
開發(fā)基于物理的模型,從而可用準(zhǔn)確地預(yù)測到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命,讓設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)其設(shè)計(jì)要求,對氮化鎵器件進(jìn)行評估。
“測試器件至失效”的測試報(bào)告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
,部分市場將被GaN所取代,而GaAs依賴日益增長的小基站帶來的需求和較高的國防市場等需求,在2025年之前,其市場份額整體相對穩(wěn)定。未來5~10年內(nèi), GaN將逐步取代LDMOS,并逐漸成為3W 及以上
2019-04-13 22:28:48
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說,當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí),其原因在于流經(jīng)電路開關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長
氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長
據(jù)iSuppli公司,由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市
2010-03-25 09:14:41
1172
1172氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅實(shí)現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換能效
氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅 實(shí)現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來自安森美半導(dǎo)體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28
28努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%
去年3月,努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器,功率達(dá)65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化鎵充電器、45W雙口(1A1C)氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:27
5049
5049氮化鎵 服務(wù)器電源管理系統(tǒng)報(bào)價(jià),氮化鎵(GaN)技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
原標(biāo)題:氮化鎵(GaN)技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新 我們可以想象一下:當(dāng)你駕駛著電動(dòng)汽車行駛在馬路上,電動(dòng)車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)比目前應(yīng)用的效率
2021-11-08 16:51:09
9
9氮化鎵充電器電源方案的特點(diǎn)是怎樣的
的行業(yè)痛點(diǎn)問題,安睿信科技現(xiàn)已推出基于國內(nèi)氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設(shè)計(jì)出一系列大功率充電器方案,例如:下面介紹的這款已投放市場批量生產(chǎn)應(yīng)用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點(diǎn): (1)65W輸出
2022-06-02 15:32:52
3981
3981
氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)!
(GaN)。在這些潛在材料中,氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認(rèn)可和青睞。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個(gè)優(yōu)勢。
2022-12-13 10:00:08
3919
3919氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10907
10907
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體之預(yù)測
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度,更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻,氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0
0氮化鎵(GaN)是什么
氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高
2023-02-17 14:18:24
12178
12178采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB
采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
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6什么是氮化鎵半導(dǎo)體?GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)?
氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料,因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同,GaN 具有更寬的帶隙,這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39
1395
139565W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案
1A2C-65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A,內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開關(guān)管;采用PD3.0協(xié)議IC。
2023-04-07 09:37:16
1808
1808氮化鎵(GaN)帶來電源管理變革的3大原因
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
2023-04-18 10:14:31
1423
1423氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00
632
632氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
10672
10672GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車應(yīng)用市場
【中國上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟,共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車應(yīng)用的發(fā)展。安世博
2023-08-03 09:52:19
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氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40
1520
1520
號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”,英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結(jié)束后,GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前,英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示,公司和 G
2023-10-26 08:43:52
1117
1117氮化鎵給生活帶來怎樣的便利
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用,已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
2023-11-08 15:59:36
1548
1548氮化鎵(GAN)有什么優(yōu)越性
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性:氮化鎵(GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53
2425
2425氮化鎵帶來電源管理變革的3大原因
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大
2023-11-18 15:53:35
1083
1083氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
,氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢,同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn),以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵(GaN)是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:30
11012
11012什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:11
7183
7183氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6141
6141氮化鎵芯片用途有哪些
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:19
3278
3278氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵是由鎵(Ga)和氮(N)元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:33
6032
6032氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:18
1988
1988
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:25
2050
2050
GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 08:30:51
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0GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:22
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0GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:19
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2氮化鎵(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案
什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:33
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