CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系共同推動(dòng)碳化硅功率器件應(yīng)用

高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱(chēng)中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。

近年來(lái)，碳化硅功率器件憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在一些領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。同時(shí)，新能源汽車(chē)在全球各地快速發(fā)展，推動(dòng)碳化硅器件的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，目前國(guó)際頂級(jí)的特斯拉和豐田等車(chē)廠已開(kāi)啟了碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的早期應(yīng)用。然而，在汽車(chē)應(yīng)用中，為了充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)，需要驅(qū)動(dòng)器在耐高溫以及異常嚴(yán)苛的保護(hù)機(jī)制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來(lái)自比利時(shí)的高溫半導(dǎo)體解決方案廠商，擁有在航空航天、石油、汽車(chē)等多個(gè)高端領(lǐng)域驗(yàn)證過(guò)的，應(yīng)用超過(guò)10年的耐高溫、高可靠性、高魯棒性元器件及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，可以使碳化硅功率模塊在系統(tǒng)中充分發(fā)揮性能，進(jìn)而幫助提升新能源汽車(chē)的電力運(yùn)轉(zhuǎn)水平和續(xù)航里程。

中科院電工所是以電氣科學(xué)與工程為學(xué)科方向的國(guó)立科研機(jī)構(gòu)，定位于電能領(lǐng)域的高新技術(shù)研發(fā)與電氣科學(xué)的前沿研究，在中國(guó)能源技術(shù)與電氣科學(xué)領(lǐng)域具有重要地位。中科院電工所在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域有超過(guò)20年的研究歷史，承擔(dān)并完成了數(shù)十項(xiàng)國(guó)家、地方的電動(dòng)汽車(chē)相關(guān)重要科技攻關(guān)任務(wù)，在中國(guó)率先開(kāi)展了車(chē)用高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)，其產(chǎn)品和技術(shù)成功應(yīng)用于北京市2008年奧運(yùn)會(huì)、上海市2010年世博會(huì)等運(yùn)行示范項(xiàng)目，在國(guó)際同行中享有很高的聲譽(yù)和廣泛的影響。近年來(lái)，中科院電工所在寬禁帶半導(dǎo)體方面率先開(kāi)展研究，成功研發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的直接冷卻碳化硅混合功率模塊、新型間接冷卻膜電容組件和全碳化硅高功率密度驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器樣機(jī)，功率密度和效率等部分關(guān)鍵指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。本次CISSOID公司和中科院電工所攜手研發(fā)高質(zhì)量的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)，將利用各自?xún)?yōu)勢(shì)形成強(qiáng)大合力，助力中國(guó)新能源汽車(chē)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更快、更好發(fā)展。

“2018年，中國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量均有大幅度增長(zhǎng)，突破了125萬(wàn)臺(tái)。這對(duì)中國(guó)碳化硅功率器件市場(chǎng)的發(fā)展有著極大的推動(dòng)作用。中科院電工所近年來(lái)在新能源利用領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)力量，新能源汽車(chē)就是其中非常的重要領(lǐng)域，此次與CISSOID公司合作研發(fā)的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)就是我們推動(dòng)中國(guó)新能源汽車(chē)發(fā)展的關(guān)鍵一步?！敝锌圃弘姽に鶞匦褫x研究員表示?！靶履茉雌?chē)對(duì)高效率、小體積、耐高溫的碳化硅器件及其驅(qū)動(dòng)器件有很強(qiáng)的需求，CISSOID公司多年來(lái)在高溫驅(qū)動(dòng)器和高溫封裝方面的技術(shù)可以助力碳化硅器件在系統(tǒng)級(jí)上實(shí)現(xiàn)耐高溫、高能量密度，同時(shí)可極大地提高電控系統(tǒng)整體的可靠性?！?/div>

“中科院電工所是中國(guó)一流的研究機(jī)構(gòu)，他們?cè)谛履茉雌?chē)領(lǐng)域的研究與我們一拍即合。十分期待雙方的研究可以將碳化硅功率模塊的效率及能量密度推向新高。CISSOID將利用自己久經(jīng)驗(yàn)證、享譽(yù)業(yè)界的高溫驅(qū)動(dòng)芯片和高溫封裝設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)為本次研發(fā)合作提供大力支持，解決碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)難題，使碳化硅功率模塊在新能源汽車(chē)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛而深入的應(yīng)用?！盋ISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?！癈ISSOID非常看重中國(guó)新能源汽車(chē)領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)十分注重與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展，我們已經(jīng)融入了來(lái)自中國(guó)的投資，并在芯片制造、封裝測(cè)試等方面，開(kāi)始與中國(guó)公司進(jìn)行廣泛的合作。此次我們與中國(guó)頂級(jí)研究機(jī)構(gòu)共同開(kāi)發(fā)則進(jìn)一步體現(xiàn)了CISSOID以求廣泛融入中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的戰(zhàn)略?！?/div>

市場(chǎng)研究公司 Yole Development 的報(bào)告指出，在過(guò)去幾十年里，市場(chǎng)的需求、技術(shù)的進(jìn)步及設(shè)計(jì)的改良等因素一直驅(qū)使功率半導(dǎo)體的平均結(jié)溫不斷上升，已由1980年的100℃增加了到2018年的150℃。這一現(xiàn)象一方面表明功率器件品質(zhì)和可靠性越做越好，另一方面也體現(xiàn)了整個(gè)行業(yè)對(duì)高功率密度的不斷追求。按其報(bào)告預(yù)測(cè)，對(duì)功率半導(dǎo)體的結(jié)溫要求在近幾年內(nèi)將很快達(dá)到并超過(guò)175℃。這與第三代半導(dǎo)體功率器件（碳化硅和氮化鎵）的普及，以及市場(chǎng)對(duì)高功率密度設(shè)計(jì)的需求直接相關(guān)。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域亦是如此，采用碳化硅器件可以帶來(lái)頻率高、內(nèi)阻小等優(yōu)點(diǎn)，并充分提高能源效率，但是需要耐高溫驅(qū)動(dòng)器的良好配合。此次CISSOID公司和中科院電工所的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，將利用業(yè)界領(lǐng)先的耐高溫驅(qū)動(dòng)器件以充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)，為新能源汽車(chē)的發(fā)展提供強(qiáng)大助力。

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CISSOID(15700) CISSOID(15700)
SiC(68646) SiC(68646)
碳化硅(51891) 碳化硅(51891)

評(píng)論

中科院成功制備8英寸碳化硅襯底；華強(qiáng)北二手iPhone價(jià)格大跳水

中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過(guò)優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問(wèn)題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度

2022-05-07 00:55:00

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碳化硅功率器件解讀碳化硅與車(chē)載充電器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車(chē)充電更快，續(xù)航更長(zhǎng)

2022-09-23 18:31:40

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碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電

2022-11-12 10:01:26

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碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。

2023-11-27 17:48:06

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CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)

CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡(jiǎn)稱(chēng)電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實(shí)現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢(shì)，并將大力支持在新能源汽車(chē)領(lǐng)域開(kāi)展廣泛應(yīng)用。

2019-04-08 11:39:36

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基本半導(dǎo)體與廣電計(jì)量達(dá)成戰(zhàn)略合作，加快推出車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅器件

深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)廣電計(jì)量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，加快推出車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅器件，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車(chē)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

2019-05-14 08:45:56

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CISSOID和Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器

CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系。

2021-12-09 10:01:43

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650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

　　碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料

2020-09-24 16:22:14

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么

2020-03-05 09:30:32

中科院剖析 LED怎樣克服困難　

實(shí)現(xiàn)了LED標(biāo)準(zhǔn)的互認(rèn)。　　這傳遞了一個(gè)令人興奮的信號(hào)。中科院院士洪茂椿說(shuō)：“大陸和***地區(qū)LED產(chǎn)業(yè)和技術(shù)具有很強(qiáng)的互補(bǔ)性，我們正通過(guò)信息交流、標(biāo)準(zhǔn)互認(rèn)、專(zhuān)利共享、合作研究等方式共同加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2012-07-18 11:31:19

中科院深耕網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域

立視I1和I2。如今雙方達(dá)成合作，對(duì)雙方來(lái)說(shuō)都是重要的戰(zhàn)略舉措。對(duì)于中科院與ithink公司的“聯(lián)姻”，業(yè)界認(rèn)為：一方為技術(shù)雄厚的科研機(jī)構(gòu)；一方專(zhuān)業(yè)專(zhuān)注于網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)領(lǐng)域，擁有產(chǎn)、研、供、銷(xiāo)等一體化

2015-02-05 10:09:03

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？

　　本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊。　　分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更

2023-02-20 16:29:54

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。　　但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！　《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率

2019-01-11 13:42:03

碳化硅器件是如何組成逆變器的？

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。

2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)

2021-03-16 08:00:04

碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管？

充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿(mǎn)好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意

2023-02-24 15:03:59

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快

2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些？

　　由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管

2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線(xiàn)圈中的高關(guān)斷電壓。棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻這些EAK非線(xiàn)性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30

2024-03-08 08:37:49

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元

2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)

2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應(yīng)用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。

2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？

2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

），P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作，減小浪涌時(shí)刻VF的增長(zhǎng)，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。　　圖（4）二極管正向與電流密度關(guān)系圖　　基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)?！　?5

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快

2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線(xiàn)路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的十倍多

2021-03-25 14:09:37

DENC和REAS確立戰(zhàn)略合作關(guān)系

`DENC官方日前宣布：DENC與基于在教育和培訓(xùn)領(lǐng)域區(qū)塊鏈項(xiàng)目REAS (REASSURED)雙方正式確立了戰(zhàn)略合作關(guān)系。?DENC為什么選擇REAS (REASSURED)？據(jù)了解，REAS作為

2018-08-31 10:25:55

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能

2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？

2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？

隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命

2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身

2021-09-23 15:02:11

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！　?2　　圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥　≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管?！　‘?dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流

2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅

2023-03-14 14:05:02

安森美半導(dǎo)體與奧迪攜手建立戰(zhàn)略合作關(guān)系

安森美半導(dǎo)體被德國(guó)汽車(chē)制造商奧迪挑選加入推進(jìn)半導(dǎo)體計(jì)劃（PSCP），這一合作將推動(dòng)即將到來(lái)的自動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的電子創(chuàng)新和質(zhì)量。這一跨領(lǐng)域的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在推動(dòng)創(chuàng)新及品質(zhì)，并在早期為奧迪車(chē)型提供最新的技術(shù)

2018-10-11 14:33:43

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

的一大難點(diǎn)所在。3 多功能集成封裝技術(shù)3.1 多功能集成封裝技術(shù)碳化硅器件的出現(xiàn)推動(dòng)了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢(shì)也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見(jiàn)，通過(guò)將瓷片電容盡可能靠近功率芯片

2023-02-22 16:06:08

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

　　硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下

2023-02-27 16:03:36

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管

2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅

2022-08-31 16:29:50

南車(chē)與中科院聯(lián)合發(fā)力“綠色中國(guó)芯”

南車(chē)與中科院聯(lián)合組建研發(fā)中心將致力于以碳化硅功率器件為主的新型“綠色中國(guó)芯”研發(fā)，全力打造強(qiáng)大的新型電力電子器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)平臺(tái)

2011-12-23 19:54:56

945

CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成合作攜手推進(jìn)基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)

高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡(jiǎn)稱(chēng)電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實(shí)現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢(shì)，并將大力支持在新能源汽車(chē)領(lǐng)域開(kāi)展廣泛應(yīng)用。

2019-04-08 13:51:17

2000

CISSOID推出新型柵極驅(qū)動(dòng)器板提供全面基于碳化硅解決方案

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊

2019-05-16 09:10:56

4561

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系推動(dòng)碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱(chēng)中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。

2019-06-11 14:50:59

4189

碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代，目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開(kāi)發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對(duì)抗全球氣候變化，推動(dòng)太陽(yáng)能和節(jié)能照明系統(tǒng)的市場(chǎng)發(fā)展。

2020-10-02 17:48:00

10572

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件

2021-08-16 10:46:40

6521

英特爾攜中科院計(jì)算所建立oneAPI卓越中心加速開(kāi)源軟件創(chuàng)新

? ? ? ?2021年11月12日，北京—— 在今天舉行的第三屆中國(guó)超級(jí)算力大會(huì)（ChinaSC 2021）上，英特爾宣布與中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中科院計(jì)算所”）結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

2021-11-12 18:21:29

4122

平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心

供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目

2022-10-18 17:35:10

1395

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！

碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。

2023-01-05 11:23:19

2135

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面？碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前

2023-01-13 11:16:44

2373

中科院物理研究所探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體

碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體，研制情況如何？

2023-01-31 11:52:10

973

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā) 電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移

2023-02-16 15:28:25

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱

2023-03-03 14:18:56

5771

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。

2023-04-27 14:05:52

1376

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位

2023-05-31 09:43:20

1105

7.3.4 電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

7.3.4電流-電壓關(guān)系7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)

2022-02-14 09:44:16

1538

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：器件主控：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera

2022-04-24 11:34:51

1403

8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)

2022-02-24 10:08:25

1173

8.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)

2022-02-21 09:29:28

1484

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 09:58:09

5189

不同類(lèi)型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類(lèi)型相對(duì)較多，常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類(lèi)型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類(lèi)型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。

2023-08-31 14:14:22

994

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)

? 隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源

2023-09-05 09:04:42

3465

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。

2023-09-28 18:19:57

2336

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車(chē)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 09:43:16

577

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)便可滿(mǎn)足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。

2023-10-27 12:45:36

6818

三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開(kāi)發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體

11月13日，三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開(kāi)發(fā)SiC分立器件。

2023-11-14 10:34:33

1268

三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。

2023-11-15 15:25:52

1553

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)

2023-12-14 09:14:46

1428

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2023-12-16 10:29:20

2172

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)，但

2023-12-21 11:27:09

1237

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)

2024-01-06 14:15:03

1442

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變，成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 11:06:57

796

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括

2024-01-09 09:26:49

4326

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2024-02-21 09:27:13

1996

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

2024-02-22 09:19:21

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碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過(guò)利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。

2024-02-29 14:23:24

2376

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

碳化硅功率器件是一類(lèi)基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、碳化硅Schottky二極管、碳化硅JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。這些器件與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，具有以下突出特性：

2024-04-29 12:30:08

1082

X-Fab與Soitec攜手推進(jìn)碳化硅功率器件生產(chǎn)

近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開(kāi)展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。

2024-05-30 11:39:20

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碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較

過(guò)去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開(kāi)始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2024-05-30 11:23:03

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碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類(lèi)

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和更高的飽和電子漂移速度等優(yōu)異特性，這使得它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有極大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價(jià)值。

2024-08-07 16:22:30

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碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢(shì)，因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-09-11 10:25:44

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碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱(chēng)SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。

2024-09-11 10:44:30

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碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中，碳化硅（SiC）功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、優(yōu)勢(shì)以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。

2024-09-11 10:47:00

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碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2024-09-13 10:56:42

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碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及其未來(lái)的發(fā)展前景。

2024-09-13 11:00:37

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碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度，深入探討碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景。

2024-10-24 15:46:41

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碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用，展示其在能源領(lǐng)域的前景和潛力。

2024-10-30 15:04:14

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碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)

2025-02-03 14:22:00

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國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察：國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析近年來(lái)，碳化硅（SiC）功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng)，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉，國(guó)內(nèi)碳化硅功率

2025-02-24 14:04:38

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全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革：傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)

2025-03-13 00:27:37

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碳化硅功率器件的種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門(mén)選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2025-04-09 18:02:04

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碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。

2025-04-21 17:55:03

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碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì)，在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。

2025-08-27 16:17:43

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基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用

2025-12-14 07:32:01

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