晶體管轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖僅使用一個(gè)單一晶體管,這可能是最簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖。
2012-03-16 11:39:24
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晶體管或門(mén)電路原理圖
2010-03-29 16:53:297992 
總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷?b class="flag-6" style="color: red">FET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2022653 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:0435699 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來(lái)搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來(lái)搬運(yùn)電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:363223 
電路和放大倍數(shù)漏極接地電路（源極跟隨器）與晶體管的共集放大電路（射極跟隨器）相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接（關(guān)于n溝道FET），通過(guò)電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。信號(hào)的放大
2017-04-19 15:53:29
通過(guò)向柵極施加正電壓來(lái)控制漏極電流。N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
第一部分 晶體管的工作原理 N型場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一種電極介質(zhì)驅(qū)動(dòng)的晶體管，通常用來(lái)將微弱的輸入信號(hào)增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬(wàn)次。其
2023-03-08 14:21:22
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語(yǔ)名稱為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過(guò)對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來(lái)控制輸出回路電流的器件?？煞譃榻Y(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。本書(shū)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管，FET和IC，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，FET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
本書(shū)主要介紹了晶體管，FET和Ic，FET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，FET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種
2018-11-28 14:29:28
的縮寫(xiě)，是場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。 Si晶體管的特征 下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT，匯總了
2020-06-09 07:34:33
自來(lái)水的閥門(mén)，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說(shuō)明。下面通過(guò)圖1及圖2對(duì)晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說(shuō)明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-05-05 00:52:40
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類還沒(méi)結(jié)束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
的復(fù)雜性，優(yōu)點(diǎn)是減小柵源電容和增加晶體管寬度，缺點(diǎn)是寄生電阻增加?！ ˇ袞艠O和Ω柵極器件 π柵極（圖5）和Ω柵極（圖6）器件是通過(guò)加長(zhǎng)溝道下方三柵極FinFET的側(cè)壁部分而形成的。這種布置將有效門(mén)數(shù)從
2023-02-24 15:20:59
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
晶體管的功能擴(kuò)展幾代，直到CFET在2030年代的某個(gè)時(shí)候不可避免地占據(jù)主導(dǎo)地位。內(nèi)壁叉片晶體管設(shè)計(jì)在晶體管溝道之間（或旁邊）放置一層介電壁，從而允許更緊密地放置n型和p型器件，且不會(huì)產(chǎn)生電氣干擾
2025-06-20 10:40:07
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有兩種基本配置：N 溝道 JFET 和 P 溝道 JFET。N 溝道 JFET 的溝道摻雜有施主雜質(zhì)，這意味著流過(guò)溝道的電流以電子形式為負(fù)（因此稱為 N 溝道）。這些晶體管有 P
2023-08-02 12:26:53
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定?！ ∵_(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件。互補(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。 圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
,但不能說(shuō)現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。 2. 場(chǎng)效應(yīng)管的特征：(a) JFET的概念圖 (b) JFET
2011-12-19 16:30:31
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（英語(yǔ)：field-effecttransistor，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
等效的提高開(kāi)關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
?！ os管在芯片中放大可以看到像一個(gè)“講臺(tái)”的三維結(jié)構(gòu)，晶體管是沒(méi)有電感、電阻這些容易產(chǎn)生熱量的器件的。最上面的一層是一個(gè)低電阻的電極，通過(guò)絕緣體與下面的平臺(tái)隔開(kāi)，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
沒(méi)事看看了電力電子，看到這個(gè)原理圖，有點(diǎn)迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照?qǐng)D中來(lái)C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒(méi)有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對(duì)于p型TFET來(lái)說(shuō)，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應(yīng)保持其電連接的,因此稱為靜電感應(yīng)晶體管。SIT和一般場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)在結(jié)構(gòu)上的主要區(qū)別是：①SIT溝道區(qū)摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
膽味晶體管功放的PCB板 (含電路原理圖和PCB文件)
2009-03-15 23:51:44
226 《晶體管電路設(shè)計(jì)》PDF電子書(shū):第1章 晶體管、FET和IC 1．1 晶體管和FET的靈活使用 1．1．1 使用IC的優(yōu)缺點(diǎn) 1．1．2 使用晶體管和FET的優(yōu)缺點(diǎn) 1．1．3 靈活使用IC以及晶體管、
2009-08-04 12:17:36214 3DJ7 型硅N 溝道耗盡型低頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2010-03-24 09:22:3790
簡(jiǎn)單晶體管收音機(jī)原理圖
2008-07-04 14:57:168348 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511
N溝道與P溝道FET構(gòu)成推挽工作的緩沖器電路圖
2009-07-13 17:26:252032 
利用IC與FET晶體管組合的方法提高性能的電路圖
2009-08-08 15:59:12484 
N溝MOS晶體管
2009-11-09 13:53:312632 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 單結(jié)晶體管開(kāi)關(guān)電路原理圖
2010-03-29 15:50:582486 
二極管/晶體管與非門(mén)電路原理圖
2010-03-29 15:57:356065 
晶體管單管延時(shí)吸合繼電器原理圖
2010-03-29 16:49:551593 
晶體管高速開(kāi)關(guān)電路原理圖
2010-03-29 16:51:493494 
下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
2012-03-14 09:47:281731 
晶體管組成的多諧振蕩器原理圖都是值得參考的設(shè)計(jì)。
2016-05-11 17:00:4717 N溝道增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)場(chǎng)效晶體管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:340 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓
2018-09-11 08:00:000 晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造
2019-04-09 14:18:3136638 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SI2302 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2019-10-24 08:00:0046 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，稱為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場(chǎng)
2020-03-23 11:03:1813924 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BSS123 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2020-08-27 08:00:001 。AMCOM射頻晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強(qiáng)的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過(guò)半導(dǎo)體材料。 AMCOM射頻晶體管GaAs FET是一種耗盡器件，這意味著當(dāng)控制電極沒(méi)有電壓時(shí)，它會(huì)導(dǎo)電，當(dāng)柵極有電壓時(shí)，溝道電導(dǎo)率會(huì)降低。
2020-09-17 11:42:231326 晶體管的代表形狀 晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類 1. 按結(jié)構(gòu)分類 根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。 雙極晶體管 雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即
2021-08-11 09:51:3914964 
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LT10N02SI資料說(shuō)明
2022-01-23 10:25:445 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊(cè)
2022-01-23 10:53:161 Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。...
2022-02-09 12:34:232 一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說(shuō)的三極管是指雙極結(jié)型晶體管，其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:3924999 PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由
2023-02-11 16:48:0319057 
N溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 N 溝道 TrenchMOS FET-2N7002T
2023-02-21 19:23:210 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87
2023-03-03 20:01:500 “晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:495308 晶體管收音機(jī)是一種簡(jiǎn)單而有趣的技術(shù)小玩意，它改變了我們聽(tīng)音樂(lè)的方式。為了放大微弱的無(wú)線電信號(hào)并將其作為可聽(tīng)聲音傳輸，它使用單個(gè)晶體管。本文將解釋單晶體管收音機(jī)的電路原理圖并解釋其工作原理。
2023-08-01 15:01:078624 
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門(mén)極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能，即當(dāng)輸入信號(hào)通過(guò)晶體管或者FET后，輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 10:23:072406 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:32:471 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SDA09T N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:19:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:14:520 解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過(guò)在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:426066 MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫(xiě)。它是
2023-11-30 14:24:542647 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:2825083 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366 
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:401879 PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開(kāi)關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型）。這種結(jié)構(gòu)使得PNP晶體管在電流流動(dòng)方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329208 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱N溝道
2024-10-07 17:28:001707 晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場(chǎng)效應(yīng)管 ：場(chǎng)效應(yīng)管（FET）基于單極型晶體管的原理，即
2024-12-03 09:42:522013 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160
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