晶體管轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖僅使用一個(gè)單一晶體管,這可能是最簡單的轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖。
2012-03-16 11:39:24
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在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來搬運(yùn)電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以分為：．接合型場效應(yīng)管．MOS型場效應(yīng)管★MOS型場效應(yīng)管原 理 即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導(dǎo)體（S
2019-06-13 04:20:29
電路和放大倍數(shù)漏極接地電路（源極跟隨器）與晶體管的共集放大電路（射極跟隨器）相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接（關(guān)于n溝道FET），通過電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。信號的放大
2017-04-19 15:53:29
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應(yīng)管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應(yīng)晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
第一部分 晶體管的工作原理 N型場效應(yīng)管（N-Channel Field Effect Transistor，FET）是一種電極介質(zhì)驅(qū)動(dòng)的晶體管，通常用來將微弱的輸入信號增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬次。其
2023-03-08 14:21:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達(dá)到平衡。此時(shí)場效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因?yàn)榇藭r(shí)電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應(yīng)管的理解，如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
100GHz以上。使用了晶體管以后，電子線路的結(jié)構(gòu)大大改觀，進(jìn)入了晶體管為代表的第二代電子計(jì)算機(jī)時(shí)代。1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利等人發(fā)明了晶體管，又叫做三極管。下面兩圖是晶體管的產(chǎn)品照片和電路符號
2021-01-13 16:23:43
晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級電路對前級電路的影響和有些前級電路的輸出要求有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時(shí),要用到緩沖電路,從而達(dá)到增強(qiáng)電路的帶負(fù)載能力和前后級阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13
場效應(yīng)晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應(yīng)管，是一種通過對輸入回路電場效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件?？煞譃榻Y(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
示二進(jìn)制的“0”和“1”。 源極和漏極之間是溝道(Channel)，當(dāng)沒有對柵極(G)施加電壓的時(shí)候，溝道中不會(huì)聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會(huì)有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。可以把
2017-08-03 10:33:03
孔，按動(dòng)相應(yīng)的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長短可通過10MΩ電阻來調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫，是場效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種
2018-11-28 14:29:28
的縮寫，是場效應(yīng)晶體管 (FET) 的一種。IGBT為Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。 Si晶體管的特征 下面就雙極晶體管、MOSFET、IGBT，匯總了
2020-06-09 07:34:33
自來水的閥門，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-07-23 00:07:18
自來水的閥門，從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
編輯-Z場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類還沒結(jié)束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說場效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管?！ 鲂?yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一
2018-12-18 14:06:27
的復(fù)雜性，優(yōu)點(diǎn)是減小柵源電容和增加晶體管寬度，缺點(diǎn)是寄生電阻增加?！ ˇ袞艠O和Ω柵極器件 π柵極（圖5）和Ω柵極（圖6）器件是通過加長溝道下方三柵極FinFET的側(cè)壁部分而形成的。這種布置將有效門數(shù)從
2023-02-24 15:20:59
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時(shí)，c和e之間沒有電流流動(dòng)，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在圖（b）中，當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時(shí)，e的N區(qū)的負(fù)電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠的作用，它們沖向（擴(kuò)散
2023-02-15 18:13:01
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
的“0”和“1”。源極和漏極之間是溝道(Channel)，當(dāng)沒有對柵極(G)施加電壓的時(shí)候，溝道中不會(huì)聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會(huì)有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)?？梢园堰@種關(guān)閉
2017-09-12 11:10:57
場效應(yīng)晶體管只要三步:1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)2.確定場效應(yīng)晶體管的額定電流，選好額定電流以后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。3.確定熱要求，設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮到最壞和真實(shí)兩種情況。一般建議采用針對最 壞的結(jié)果計(jì)算,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能夠確保系統(tǒng)不會(huì)失效。`
2019-04-09 11:37:36
場效應(yīng)晶體管
結(jié)型場效應(yīng)晶體管有兩種基本配置：N 溝道 JFET 和 P 溝道 JFET。N 溝道 JFET 的溝道摻雜有施主雜質(zhì)，這意味著流過溝道的電流以電子形式為負(fù)（因此稱為 N 溝道）。這些晶體管有 P
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定。 達(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對晶體管元件。互補(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
，出于實(shí)際原因，保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八?，實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制
溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱耍矫?/div>
2023-02-24 15:25:29
ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊無焊面包板一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個(gè)100 Ω電阻一個(gè)4.7 kΩ電阻兩個(gè)小信號NPN晶體管（2N3904或SSM2212）說明BJT穩(wěn)定電流源對應(yīng)的電路如圖1所示
2021-11-01 09:53:18
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例說明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ ?b class="flag-6" style="color: red">圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應(yīng)晶體管是一種改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
MOS管在絕緣柵型場效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
,但不能說現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。 2. 場效應(yīng)管的特征：(a) JFET的概念圖 (b) JFET
2011-12-19 16:30:31
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個(gè) Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
。場效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)?！ ‰p極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
SI82XX-KIT，Si8235評估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅(qū)動(dòng)器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計(jì)的補(bǔ)丁區(qū)域，可用于滿足設(shè)計(jì)人員可能需要評估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29
檢驗(yàn)器，它只采用一個(gè) N 溝道結(jié)型場效應(yīng)管（FET），兩個(gè)普通 NPN 小功率晶體三極管，一個(gè)發(fā)光管和一些阻容元件，便可有效的檢驗(yàn)任何晶振的好壞。 晶振檢驗(yàn)器電路，2N3823 結(jié)型 N 溝道場效應(yīng)管
2008-10-16 12:40:36
等效的提高開關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
行必要的調(diào)整。因?yàn)樗麄兊钠鹗茧妷翰灰粯?，但是在脈沖電路和開關(guān)電路中不同材料的三極管是否能互換必須進(jìn)行具體的分析，切不可盲目代換。場效應(yīng)晶體管:選取場效應(yīng)晶體管只要三步：1.選擇須合適的勾道(N溝道還是P
2019-03-27 11:36:30
用一般的萬用表是不能測出晶振的好壞的，這里提供了一種簡單而實(shí)用的晶振檢驗(yàn)器，它只采用一個(gè) N 溝道結(jié)型場效應(yīng)管（FET），兩個(gè)普通 NPN 小功率晶體三極管，一個(gè)發(fā)光管和一些阻容元件，便可
2020-07-15 17:49:55
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號注意，它的三個(gè)電極分別為門極G、集電極C、發(fā)射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實(shí)際上，它相當(dāng)于把MOS管和達(dá)林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
型結(jié)構(gòu)，如圖所示。絕緣門/雙極性晶體管我們可以看到，絕緣柵雙極性晶體管是一個(gè)三端子，跨導(dǎo)器件，結(jié)合了絕緣柵 n 溝道 MOSFET 輸入和 PNP 雙極性晶體管輸出相連的一種達(dá)靈頓配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
。 Mos管在芯片中放大可以看到像一個(gè)“講臺(tái)”的三維結(jié)構(gòu)，晶體管是沒有電感、電阻這些容易產(chǎn)生熱量的器件的。最上面的一層是一個(gè)低電阻的電極，通過絕緣體與下面的平臺(tái)隔開，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
沒事看看了電力電子，看到這個(gè)原理圖，有點(diǎn)迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照圖中來C極應(yīng)該接負(fù)極才對呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對于p型TFET來說，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
越大,亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應(yīng)保持其電連接的,因此稱為靜電感應(yīng)晶體管。SIT和一般場效應(yīng)晶體管(FET)在結(jié)構(gòu)上的主要區(qū)別是：①SIT溝道區(qū)摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3
2010-06-25 20:35:16
驅(qū)動(dòng)篇 – BJT晶體管應(yīng)用感謝閱讀本文，在接下來很長的一段時(shí)間里，我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線通訊、無線通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)
2021-07-21 06:31:06
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應(yīng)晶體管的工作方式是溝道中的多數(shù)載流子在電場
2020-03-23 11:03:188778 
。AMCOM射頻晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強(qiáng)的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導(dǎo)體材料。 AMCOM射頻晶體管GaAs FET是一種耗盡器件，這意味著當(dāng)控制電極沒有電壓時(shí)，它會(huì)導(dǎo)電，當(dāng)柵極有電壓時(shí)，溝道電導(dǎo)率會(huì)降低。
2020-09-17 11:42:23821 晶體管和FET給人的印象是具有信號放大的功能，即當(dāng)輸入信號通過晶體管或者FET后，輸出信號被直接放大。
2023-10-21 10:23:07598 
MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:54619 已全部加載完成
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