在亞微米以下的電路設(shè)計(jì)中，需要對(duì)電路進(jìn)行全芯片的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為全芯片設(shè)計(jì)者的主
2012-04-23 10:17:42
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大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接
2014-12-24 11:05:473291 
要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。 1 引言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能
2017-12-05 09:03:4013455 
近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2021-07-29 07:00:00
, EOS等各項(xiàng)指標(biāo)的要求。隨著IC先進(jìn)制程技術(shù)的應(yīng)用, 芯片功能的增多和尺寸的減小, 對(duì)于半導(dǎo)體廠和設(shè)計(jì)公司來(lái)說, 不斷面臨著產(chǎn)品對(duì)靜電保護(hù)ESD提出的越來(lái)越高的要求。這次授課老師為Bart Keppens
2015-04-22 22:19:54
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IC制造商已經(jīng)將ESD損傷確定為互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)元件現(xiàn)場(chǎng)可靠性的一項(xiàng)主要威脅，它可能損害品牌形象并妨礙市場(chǎng)接受新技術(shù)。為避免此情況，業(yè)界積極努力用后續(xù)新制程世代來(lái)最佳化整合ESD
2011-11-24 15:00:58
UM5051/5052的重要參數(shù)ESD保護(hù)器件的種類ESD應(yīng)用舉例
2021-04-02 07:37:30
能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。ESD保護(hù)方法為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行
2011-07-05 14:19:03
取舍，實(shí)際上會(huì)使系統(tǒng)整體性能在某種程度上受損。對(duì)于設(shè)計(jì)能夠同時(shí)符合更高數(shù)據(jù)率和更好ESD保護(hù)新需求的芯片的制造商來(lái)說，要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)極具挑戰(zhàn)性。ESD保護(hù)領(lǐng)域的變化 由于采用更小的制造幾何尺寸、片上保護(hù)
2011-01-27 10:35:10
水平，以便使那些采用了對(duì)ESD越來(lái)越敏感的IC的終端產(chǎn)品保持高可靠性。 ESD波形 以系統(tǒng)級(jí)的方法來(lái)定義典型的ESD事件所采用的最常見的波形，是以其亞納秒上升時(shí)間和高電流電平(參見圖1)為顯著特征
2010-08-18 19:44:07
徑，把異常電壓箝制在一個(gè)安全的水平，從而保護(hù)被保護(hù)IC或線路。ESD二極管憑借體積小、封裝多樣化、響應(yīng)速度快（小于1ns）、電容值低、漏電流低（小于1uA）、超低箝位電壓、電壓值低等獨(dú)有優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用
2018-10-17 16:04:52
如何正確保護(hù)IC？ESD傳遞模式有哪幾種？ESD保護(hù)和應(yīng)用電路如何提高ESD保護(hù)？
2021-04-23 06:23:47
告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，據(jù)統(tǒng)計(jì)，超過60%的IC失效都源于ESD。 隨著超大規(guī)模集成電路工藝的高速發(fā)展，特征尺寸已經(jīng)到深亞微米階段，大大提高了集成電路的性能及運(yùn)算速度，但隨著器件尺寸的減小，對(duì)可靠性
2013-02-21 10:54:18
對(duì)電子器件來(lái)說，一次我們無(wú)法察覺的輕微靜電放電就可能對(duì)其造成嚴(yán)重的損傷。泰科電子瑞侃電路保護(hù)產(chǎn)品應(yīng)用工程經(jīng)理董告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，據(jù)統(tǒng)計(jì)，超過60%的IC失效都源于ESD?！ ‰S著
2013-08-16 10:22:02
[table][tr][td]隨著現(xiàn)代社會(huì)的飛速發(fā)展，我們對(duì)電子設(shè)備的依靠與日俱增.現(xiàn)代電腦越來(lái)越多的采用低功率邏輯芯片，由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制，使這些邏輯芯片對(duì)ESD非常敏感
2013-11-20 15:43:19
`隨著半導(dǎo)體工藝尺寸從微米量級(jí)向納米量級(jí)縮小，靜電放電（ESD）對(duì)于半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的影響仍在持續(xù)。本書從全芯片ESD設(shè)計(jì)綜合的角度，對(duì)EOS、ESD以及Latchup進(jìn)行了探討。針對(duì)ESD保護(hù)
2013-09-04 09:17:26
因?yàn)橐蟾呒啥?、快速度和小體積，如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn)，芯片對(duì) ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境下受到 ESD沖擊時(shí)，IC 內(nèi)部更容易受到
2013-06-14 16:42:50
(螺絲起子)靠近有相反電勢(shì)的集成電路(IC)時(shí)，電荷“跨接”，引起靜電放電(ESD)。 ESD以極高的強(qiáng)度很迅速地發(fā)生，通常將產(chǎn)生足夠的熱量熔化半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部電路，在電子顯微鏡下外表象向外吹出的小?彈孔
2018-10-11 16:10:23
。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁麥滿權(quán)指出：真正有效的ESD保護(hù)是不能完全集成到CMOS芯片之中
2013-01-04 14:58:24
為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2KV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。真正有效
2014-02-14 10:30:16
的安全保護(hù)傘的所有部分都應(yīng)該“硬化”或者屏蔽攻擊，包括加密密鑰、驗(yàn)證碼和固件。深聯(lián)華 基于硬件的安全性可在很小的空間內(nèi)通過簡(jiǎn)單且高成本效益的方式實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。幾乎沒有任何方法可以下載已鎖定在芯片中的秘密
2013-12-30 16:04:47
摘 要：EDA技術(shù)是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)技術(shù)的核心，它在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中占據(jù)重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術(shù)的迅速發(fā)展，F(xiàn)PGA設(shè)計(jì)越來(lái)越多地采用基于VHDL的設(shè)計(jì)方法及先進(jìn)的EDA工具。本文詳細(xì)
2019-06-18 07:33:04
摘 要：EDA技術(shù)是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)技術(shù)的核心，它在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中占據(jù)重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術(shù)的迅速發(fā)展，F(xiàn)PGA設(shè)計(jì)越來(lái)越多地采用基于VHDL的設(shè)計(jì)方法及先進(jìn)的EDA工具。本文詳細(xì)
2019-06-27 08:01:28
HDMI接收器和發(fā)射器的IC芯片全部采用深亞微米工藝制造。亞微米CMOS制程十分敏感，通常設(shè)有ESD保護(hù)限制(最高2kV)，必須符合人體放電模式(HBM)標(biāo)準(zhǔn)。另外，LCD電視和機(jī)頂盒(STB)等
2013-11-21 09:57:59
和發(fā)射器IC芯片采用的是亞微米CMOS工藝制造而成的，而亞微米CMOS十分地敏感，為此需要借助ESD靜電保護(hù)器件和ESD靜電保護(hù)解決方案為其保駕護(hù)航。機(jī)頂盒STB、電視LCD等終端應(yīng)用極其容易受到ESD
2020-12-31 15:57:17
已經(jīng)過第三方實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證。 產(chǎn)品特點(diǎn)及其優(yōu)點(diǎn)l CMOS霍爾IC技術(shù)l 強(qiáng)大的抗RF噪聲技術(shù)l 工作電壓1.8至6V，適用于電池供電的應(yīng)用l 低至1.65V的工作電壓，全極霍爾開關(guān)微功耗l 高靈敏度可替換
2019-11-07 10:34:36
)的沖擊經(jīng)由NFC天線對(duì)整個(gè)NFC的溝通功能所造成的錯(cuò)誤動(dòng)作。移動(dòng)電話這些電子產(chǎn)品由于頻繁地與人體接觸，很容易受到靜電放電(ESD)的沖擊。此外，這些電子產(chǎn)品所采用的IC大多是使用最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程技術(shù)，所
2019-06-13 08:18:01
TVS的ESD保護(hù)原理ESD TVS器件采用的技術(shù)匯總
2021-04-02 06:19:56
的應(yīng)用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路，對(duì)電路瞬變過程的影響更加敏感，將導(dǎo)致上述的問題更加激化。電路保護(hù)元件存在幾種技術(shù)，當(dāng)選擇電路保護(hù)元件時(shí)，若
2019-07-29 17:50:09
的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來(lái)決定。因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)**的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路，對(duì)電路瞬變過程的影響更加
2018-11-20 14:09:05
如今的電子系統(tǒng)中越來(lái)越多地采用以CMOS工藝制造的低功率邏輯芯片。這些芯片如果遭遇足夠高的靜電放電(ESD)電壓，芯片內(nèi)部的電介質(zhì)上就會(huì)產(chǎn)生電弧，并在門氧化物層燒出顯微鏡可見的孔洞，造成芯片的永久
2013-12-27 16:21:39
...............................................................................1ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits ..........................1目錄
2011-02-24 09:55:18
)靠近有相反電勢(shì)的集成電路(IC)時(shí)，電荷“跨接”，引起靜電放電(ESD)。ESD以極高的強(qiáng)度很迅速地發(fā)生，通常將產(chǎn)生足夠的熱量熔化半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部電路，在電子顯微鏡下外表象向外吹出的小?彈孔，引起即時(shí)
2016-07-22 11:26:49
隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展和芯片工作頻率的提高，芯片的功耗迅速增加，而功耗增加又將導(dǎo)致芯片發(fā)熱量的增大和可靠性的下降。因此，功耗已經(jīng)成為深亞微米集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要考慮因素。為了使產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力
2019-10-14 07:48:14
深亞微米的CMOS工藝制造高速分頻器。由于CMOS器件的價(jià)格低廉，因而高速CMOS分頻器有著廣闊的市場(chǎng)前景。那分頻電路由什么構(gòu)成？你們知道2.4GHz動(dòng)態(tài)CMOS分頻器設(shè)計(jì)難嗎？
2021-04-07 06:17:39
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。
2021-04-02 06:35:57
，提高了
芯片的運(yùn)算速度。 但是，隨著工藝的進(jìn)步和尺寸的減小，靜電釋放(
ESD)，Elecyro Static Discharge)問題變得日益嚴(yán)峻。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在集成電路設(shè)計(jì)中大約40%的失效電路是
ESD問題造成的。如何設(shè)計(jì)
ESD保護(hù)電路？這個(gè)問題急需解決?！ ?/div>
2019-08-07 06:24:17
關(guān)鍵芯片組外部ESD保護(hù)要求硅ESD保護(hù)技術(shù)與無(wú)源ESD保護(hù)技術(shù)比較消除信號(hào)完整性問題的PicoGuard XS ESD保護(hù)技術(shù)智能手機(jī)等便攜及消費(fèi)產(chǎn)品電路保護(hù)及濾波應(yīng)用示例
2021-04-09 06:55:32
首創(chuàng)。集成式固態(tài)ESD保護(hù)是專有的ADI技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)非常高的ESD保護(hù)同時(shí)對(duì)MEMS開關(guān)RF性能影響最小。圖3顯示了采用SMD QFN封裝的ESD保護(hù)元件。其中，芯片安放在MEMS芯片上，通過焊線連接
2018-11-01 11:02:56
本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計(jì)中的IP硬核，在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33
近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、芯片測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)等主題，著重探討了深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和啟示。本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)（包括微電子與光電子）、電子與信息工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、自動(dòng)化等
2009-02-12 09:51:07
深亞微米CMOS工藝中，I/O單元的實(shí)現(xiàn)可以從235微米減小到160微米和138微米。 這種新的設(shè)計(jì)方法在ESD防護(hù)性能和效率上都很大程度提高，并且在實(shí)現(xiàn)防靜電保護(hù)避免IC損壞，進(jìn)一步提高晶圓使用的效率方面發(fā)揮了積極作用。參考資料：防靜電資訊網(wǎng)
2012-12-11 13:39:47
新型互補(bǔ)電容耦合ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)提出了一種改進(jìn)型的基于亞微米工藝中ESD 保護(hù)電路, 它由互補(bǔ)式電容實(shí)現(xiàn), 結(jié)構(gòu)與工藝簡(jiǎn)單。電路采用0.6μm1P2MCMOS 工藝進(jìn)行了驗(yàn)證, 結(jié)果表明
2009-12-23 16:33:58
。從成本效益比的角度來(lái)看，這已經(jīng)被證明是件很難做到的事。從圖1可以看出，隨著制造技術(shù)轉(zhuǎn)向90nm以下，將ESD保護(hù)水平維持在2，000V的成本，已開始以指數(shù)級(jí)上升。因此，現(xiàn)在新的目標(biāo)是降低芯片上
2019-05-22 05:01:12
我在LM386的技術(shù)文檔中看到了該芯片的內(nèi)部電路圖，發(fā)現(xiàn)電路中有兩個(gè)二極管連接了VSS和VDD，應(yīng)該是構(gòu)成了ESD保護(hù)電路，請(qǐng)問這個(gè)保護(hù)電路是只對(duì)輸出引腳Vout進(jìn)行保護(hù)，還是被所有引腳所共享，即
2024-09-30 06:22:18
IC。在一個(gè)新的模塊快速連接該器件和ESD測(cè)試開始獲得好的結(jié)果，因?yàn)镾ZESD9101成功保護(hù)了GPS通過所需的8kV存在等級(jí)。有了推薦的ESD保護(hù)器件、TLP的結(jié)果以及向上層管理報(bào)告8kV通過結(jié)果
2018-10-25 09:02:26
【作者】：張科營(yíng);郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來(lái)源】：《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】：采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級(jí)7種
2010-04-22 11:50:00
，不普通數(shù)字電路更容易遭到損壞，因?yàn)橛糜?b class="flag-6" style="color: red">ESD保護(hù)的傳輸入保護(hù)結(jié)構(gòu)會(huì)增加輸入泄露，因此不能使用。所有ESD敏感器件均采用保護(hù)性封裝。IC通常裝在導(dǎo)電泡沫中或者防靜電包裝套管中，而后將容器密封在一個(gè)靜電
2018-01-16 14:21:19
解讀ESD靜電抑制器 因?yàn)橐蟾呒啥?、快速度和小體積，如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn)，芯片對(duì) ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境下受到 ESD沖擊
2013-12-11 15:58:03
使用液晶電視等HDMI終端設(shè)備支持的音頻/視頻格式。 HDMI接收器和發(fā)射器的IC芯片全部采用深亞微米工藝制造。亞微米CMOS制程十分敏感，通常設(shè)有ESD保護(hù)限制(最高2kV)，必須符合人體放電模式
2019-06-17 05:00:06
摩爾定律對(duì)先進(jìn)CMOS IC的ESD保護(hù)的影響 持續(xù)不斷的特征尺寸小型化趨勢(shì)，已經(jīng)使半導(dǎo)體制造商能夠在過去幾十年中通過把幾十億三極管集成到單一芯片之中來(lái)提高芯片性能、降低功耗及驅(qū)動(dòng)成本的下降。盡管
2018-12-05 10:39:44
隨著現(xiàn)代社會(huì)的飛速發(fā)展，我們對(duì)電子設(shè)備的依賴與日俱增.現(xiàn)代電腦越來(lái)越多的采用低功率邏輯芯片，由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制，使這些邏輯芯片對(duì)ESD非常敏感。大多數(shù)USB集成電路都是
2019-08-02 17:43:22
本文介紹了以超深亞微米技術(shù)為支撐的 SOC 的定義以及芯片設(shè)計(jì)方法，并闡述了軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)理論、IP 核生成及復(fù)用技術(shù)、超深亞微米IC 設(shè)計(jì)面對(duì)的難題以及SOC 測(cè)試與驗(yàn)證技術(shù)。
2009-06-19 09:28:12
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隨著工藝的發(fā)展，器件閾值電壓的降低，導(dǎo)致靜態(tài)功耗呈指數(shù)形式增長(zhǎng)。進(jìn)入深亞微
米工藝后，靜態(tài)功耗開始和動(dòng)態(tài)功耗相抗衡，已成為低功耗設(shè)計(jì)一個(gè)不可忽視的因素
2009-09-15 10:18:1018 隨著工藝的發(fā)展，器件閾值電壓的降低，導(dǎo)致靜態(tài)功耗呈指數(shù)形式增長(zhǎng)。進(jìn)入深亞微米工藝后，靜態(tài)功耗開始和動(dòng)態(tài)功耗相抗衡，已成為低功耗設(shè)計(jì)一個(gè)不可忽視的因素。針對(duì)近
2009-09-15 10:18:1026 CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì):采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護(hù)電路的工作原理和對(duì)其進(jìn)行的ESD 實(shí)驗(yàn),提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過實(shí)驗(yàn)可以看出其性
2009-11-20 14:48:4341 本文研究了在CMOS 工藝中I/O 電路的 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及相關(guān)版圖的要求，其中重點(diǎn)討論了PAD 到VSS 電流通路的建立。關(guān)鍵詞：ESD 保護(hù)電路，ESD 設(shè)計(jì)窗口，ESD 電流通路Constru
2009-12-14 10:45:5455 本文采用 MEDICI 作為集成電路ESD 保護(hù)常用器件—柵極接地N 型MOS 管（GGNMOS）ESD 性能分析的仿真工具，綜合分析了各種對(duì)GGNMOS 的ESD 性能有影響的因素，如襯底摻雜、柵長(zhǎng)、接觸
2009-12-14 10:59:0222 本文通過對(duì)傳統(tǒng)大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)流程的優(yōu)化，得到了更適合于深亞微米工藝集成電路的后端設(shè)計(jì)流程，詳細(xì)介紹了包括初步綜合、自定義負(fù)載線的生成、版圖規(guī)劃、時(shí)鐘樹綜合
2009-12-14 11:03:0915 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 基于深亞微米MOS 器件溝道的熱噪聲淺析曾獻(xiàn)芳摘要： 隨著 MOS 器件工藝尺寸的不斷減小，其不斷增高的單位增益截止頻率足以滿足射頻/模擬電路的工作要求。然而，隨著溝
2009-12-15 14:31:0410 超深亞微米IC設(shè)計(jì)中的天線效應(yīng)李蜀霞 劉輝華 趙建明 何春(電子科技大學(xué)電子電子科學(xué)技術(shù)研究院 成都 610054)【摘要】本文主要分析了超深亞微米集成電路設(shè)計(jì)中天線效應(yīng)
2009-12-19 14:54:5345 摘要：就超深亞微米集成電路中高K柵介質(zhì)、金屬柵、cU／低K互連等相關(guān)可靠性熱點(diǎn)問題展開討論．針對(duì)超深亞微米集成 電路可靠性問題．提出可靠性設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制、可
2010-04-27 14:13:3319 摘要：增強(qiáng)測(cè)試質(zhì)量和抑制測(cè)試代價(jià)是超深亞微米集成電路測(cè)試及可測(cè)性設(shè)計(jì)領(lǐng)域的兩個(gè)研究主題。本文介紹了一個(gè)基于Mentor公司可測(cè)性設(shè)計(jì)工具的面向多種故障模型的超深亞微
2010-06-07 11:01:1710 分析了在超深亞微米階段，串?dāng)_對(duì)高性能芯片設(shè)計(jì)的影響，介紹了消除串?dāng)_影響的方法。 關(guān)鍵詞：串?dāng)_，布線，關(guān)鍵路徑，
2009-05-05 20:59:161434 
一種全新的深亞微米IC設(shè)計(jì)方法
本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計(jì)流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計(jì)方法。
眾所周知，傳統(tǒng)的IC設(shè)計(jì)流
2009-12-27 13:28:50896 
TSMC推出最新深亞微米互通式EDA格式
TSMC 7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36:49939 新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)設(shè)計(jì)
隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能
2010-04-27 17:37:46873 
目前幾乎所有的芯片組都有片上ESD保護(hù)。ESD電路放在芯片的外圍和鄰近I/O焊墊處，它用于在晶圓制造和后端裝配流程中保護(hù)芯片組。在這些環(huán)境中，ESD可通過設(shè)備或工廠的生產(chǎn)線工作人員引入到芯片組上
2011-02-18 10:29:071260 
模擬/混合信號(hào)Ic設(shè)計(jì)一直是困擾很多中國(guó)Ic設(shè)計(jì)工程師的難題。與數(shù)字電路設(shè)計(jì)相比，模擬/混合電路設(shè)計(jì)要求更為嚴(yán)苛，而且需要嚴(yán)格的環(huán)境控制工藝。而對(duì)于深亞微米級(jí)的SOC設(shè)計(jì)還必
2011-03-31 16:16:100 下一代的實(shí)體設(shè)計(jì)系統(tǒng)IC Compiler，為Synopsys Galaxy Design Platform 2005的核心，其設(shè)計(jì)概念就在解決這些浮現(xiàn)的挑戰(zhàn)，提供從RTL到芯片的一貫解決方案
2011-04-19 11:14:511312 研究了深亞微米pMOS 器件的熱載流子注入(hot2carrier injection ,HCI) 和負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定效應(yīng)(negative bias temperature instability ,NBTI) 的耦合效應(yīng)和物理機(jī)制.
2012-04-23 15:35:3934 近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利
2012-05-21 10:06:192373 
BiCMOS[B]的 Twin-Well[1]與P-Well[2]或 N-Well[3] 的制造技術(shù)有很大的不同。主要是 CMOS 特征尺寸為亞微米級(jí)，使制造技術(shù)發(fā)生了重要的變化。
由于器件
2017-12-18 14:30:187653 1 深亞微米 BiCMOS[B] 技術(shù)
器件進(jìn)入深亞微米特征尺寸，為了抑制 MOS 穿通電流和減小短溝道效應(yīng)，深亞微米制造工藝提出如下嚴(yán)格的要求：
（1）高質(zhì)量柵氧化膜。柵氧化膜厚度
2018-03-16 10:29:548670 ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害，保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD，都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個(gè)低阻旁路不但要能吸收ESD電流，還要能箝位工作電路的電壓，防止工作電路由于電壓過載而受損。
2019-03-04 14:24:015070 
ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害，保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD，都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個(gè)低阻旁路不但要能吸收ESD電流，還要能箝位工作電路的電壓，防止工作電路由于電壓過載而受損。
2019-04-08 15:26:112997 
隨著CMOS集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，越來(lái)越多的CMOS芯片應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中，但在電子產(chǎn)品系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程中，隨著CMOS工藝尺寸越求越小，單位面積上集成的晶體管越來(lái)越多，極大地降低了芯片的成本
2020-12-30 10:28:002 ESD保護(hù)設(shè)計(jì)隨著CMOS工藝的演進(jìn)而越來(lái)越困難，迄今已有六百多件ESD相關(guān)的美國(guó)專利。而且，ESD更應(yīng)當(dāng)從芯片全局考慮，而不只是Input PAD，Output PAD，或Power PAD的問題。
2021-03-17 22:28:5525 采用基于物理的指數(shù)MOSFET模型與低功耗傳輸域MOSFET模型，推導(dǎo)了新的超深亞微米無(wú)負(fù)載四管與六管SRAM存儲(chǔ)單元靜態(tài)噪聲容限的解析模型．對(duì)比分析了由溝道摻雜原子本征漲落引起的相鄰MOSFET的閾值電壓失配對(duì)無(wú)負(fù)載四管和六管SRAM單元靜態(tài)噪聲容限的影響。
2021-03-26 15:17:546 數(shù)字集成電路分析與設(shè)計(jì):深亞微米工藝免費(fèi)下載。
2021-05-12 14:52:40180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護(hù)芯片CH412技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2022-09-09 11:29:033 點(diǎn)擊上方“藍(lán)字”關(guān)注我們！IC片上保護(hù)設(shè)計(jì)對(duì)EOS的影響全面的方法可以減少與EOS相關(guān)的故障通常理解的是，芯片上ESD保護(hù)是必不可少的，以滿足人體模型(HBM)和充電裝置模型產(chǎn)品合格(CDM)ESD
2021-12-31 16:08:023499 
靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說，經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
2023-12-15 15:32:091548 據(jù)江陰發(fā)布的信息透露，此次發(fā)布的亞微米互聯(lián)技術(shù)依托本土設(shè)備技術(shù)實(shí)力，運(yùn)用大視場(chǎng)光刻技術(shù)達(dá)到了0.8um/0.8um的線寬線距技術(shù)水準(zhǔn)，所生產(chǎn)的硅穿孔轉(zhuǎn)接板產(chǎn)品達(dá)到3倍光罩尺寸，這標(biāo)志著盛合晶微在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域邁入亞微米時(shí)代
2024-05-20 11:47:571632 據(jù)統(tǒng)計(jì)，靜電放電(Electro-Static Discharge, ESD)造成的芯片失效占到集成電路產(chǎn)品失效總數(shù)的38%。完好的全芯片ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，一方面取決于滿足ESD設(shè)計(jì)窗口要求的優(yōu)質(zhì)ESD器件結(jié)構(gòu)，另一方面全芯片ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)的考量也格外重要。
2024-06-22 00:31:592157 
如下圖1所示為HDMI接口與ESD保護(hù)芯片連接示意圖，其中HDMI CONNECTOR指的是HDMI接口，HDMI RECEVIER指的是各種器件所配置的HDMI連接端口，ESD保護(hù)芯片主要
2024-12-29 13:56:102044 
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