對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
2022-09-29 08:49:17
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大電流功率開關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管，集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。
2023-02-10 15:01:521420 在測試BUCK的開關(guān)波形時(shí),經(jīng)?？吹讲煌酒?b class="flag-6" style="color: red">波形不一樣,比如有的上管導(dǎo)通前有下沖,導(dǎo)通后有過沖,斷開后有下沖,有的除了有過沖外,還有振蕩的情況,比如下圖中的A,B,C ,D幾個(gè)地方,什么情況下會出現(xiàn)這種情況呢?
2023-11-03 16:13:3012756 
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級同步整流開關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過程。
2023-12-04 16:05:409017 
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
最近在調(diào)試PFC，上電瞬間，TT PFC的高頻下半橋就短路了，燒了好幾只管子，后面發(fā)現(xiàn)是Mosfet的驅(qū)動電阻沒有貼上，請問這個(gè)對Mos的影響有多大？多大的電壓、電流會使得開關(guān)管失效？
2021-04-07 21:02:00
，勵(lì)磁電流經(jīng)二極管D流向復(fù)位繞組，最后減小到零，此時(shí)Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關(guān)管集電極電流和電壓波形?？梢姡?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)管不帶緩沖電路時(shí)，在Q關(guān)斷時(shí)，其兩端的漏感電壓尖峰很大，產(chǎn)生的關(guān)斷損耗也很大
2018-11-21 16:22:57
開關(guān)電源功率是由開關(guān)管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開關(guān)管選多大的電流，這個(gè)電流是如何算出來的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
寄生的參數(shù)。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅(qū)動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
參數(shù)和各種儀表數(shù)據(jù)?！ ?、輔助電源實(shí)現(xiàn)電源的軟件（遠(yuǎn)程）啟動，為保護(hù)電路和控制電路（PWM等芯片）工作供電。 二、開關(guān)電路輸出波形的分析 1．單管反激電路基本結(jié)構(gòu) 2. 兩種模式DCM
2018-12-03 11:06:30
改善開關(guān)電流電路主要誤差的方案
2019-04-26 11:43:23
部分對于LLC工作過程中MOSFET的波形進(jìn)行進(jìn)一步分析，更對容易失效的問題點(diǎn)進(jìn)行研究。 上面的圖給出了啟動時(shí)功率MOSFET前五個(gè)開關(guān)波形。在變換器啟動開始前，諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況
2019-09-17 09:05:04
對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS 開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS 管的 GS 波形，我們拿開關(guān) GS 波形為例來聊一下 GS 的波形。我們測試
2020-10-01 13:30:00
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
vishay半導(dǎo)體的NMOS管si2302的Id是2.1A，Is是0.6A。當(dāng)這個(gè)管子用來做開關(guān)電路時(shí)，開關(guān)電流最大以Id為準(zhǔn)還是Is ?
2016-06-02 11:24:33
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
演示電路1160是具有2.3A開關(guān)電流的全功能LED驅(qū)動器，具有LT3518特性。該電路板經(jīng)過優(yōu)化，可在升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中驅(qū)動330mA LED串，輸入電壓和40V之間的總LED電壓
2020-08-20 08:38:54
功率MOSFET管的電流值有哪幾種？如何去選取這些電流值呢？這些電流值又是如何影響系統(tǒng)的呢？
2021-09-08 08:00:58
。
雙管和單管功率MOSFET管，要綜合考慮開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，RDS(on)不是簡單減半，因?yàn)殡p管并聯(lián)工作，會有電流不平衡性的問題存在，特別是開關(guān)過程中，容易產(chǎn)生動態(tài)不平衡性。不考慮開關(guān)損耗，僅僅
2025-11-19 06:35:56
大于B管，因此選取的MOSFET開關(guān)損耗占較大比例時(shí)，需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開關(guān)損耗為開通及關(guān)斷的開關(guān)損耗之和：從上面的分析可以得到以下結(jié)論：（1）減小驅(qū)動電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路：2）MOSFET 的電壓和電流波形：3）開關(guān)過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動開通；[t0-t1]區(qū)間
2021-08-29 18:34:54
；該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形（1）：實(shí)驗(yàn)電路（2）：因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開關(guān)波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導(dǎo)通損耗該公式對控制
2021-09-05 07:00:00
%的VDS的最大電壓到90%的VDS最大電壓的時(shí)間。圖1：阻性開關(guān)測試電路和波形測試時(shí)，所用的負(fù)載為電阻， 也就是電流和電壓線性的變化：開通時(shí)，電流從0線性地增加到最大值的同時(shí)，電壓也線性地從最大值下降到0
2016-12-16 16:53:16
和關(guān)斷過程原理（1）：開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3）：開關(guān)過程原理開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0
2018-10-25 16:11:27
這個(gè)是現(xiàn)在的電路，然后我測得的上管的電流波形如下圖所示1是上管電流，4是上管驅(qū)動，2是下管電流2，3通道分別為開關(guān)管DS電壓現(xiàn)在電壓加不上去，加到400V左右管子就受不住了，而且電流波形與仿真差別有點(diǎn)大，可能是什么原因造成的呢？
2018-12-12 10:45:04
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中，測的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對反激電源實(shí)測波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅(qū)動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一個(gè)典型系統(tǒng)包括一個(gè)電源和多個(gè)負(fù)載，需要各種不同的負(fù)載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)
2022-11-17 08:05:25
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)，提出了一套“輔助補(bǔ)償”算法?；谶@套算法，對開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)進(jìn)行了理論分析和計(jì)算機(jī)仿真。仿真結(jié)果表明了這套算法的可行性和先進(jìn)性。開關(guān)電源MOSFET的交越損耗分析
2020-07-15 15:17:28
封裝在開關(guān)速度、效率和驅(qū)動能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實(shí)驗(yàn)波形和效率測量，以驗(yàn)證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關(guān)
2018-10-08 15:19:33
， 接下來我們分析LLC轉(zhuǎn)換器在啟機(jī)， 短路， 動態(tài)負(fù)載下的工作情況?！ ?.21 啟機(jī)狀態(tài)分析 通過LLC 仿真我們得到如圖3所示的波形，在啟機(jī)第一個(gè)開關(guān)周期，上下管會同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)短暫的峰值電流
2018-12-03 11:00:50
摘要:介紹了一種用 MOSFET導(dǎo)通電阻代替電流傳感器檢測功率變換器主開關(guān)電流的技術(shù),該技術(shù)根據(jù)流過MOSFET 開關(guān)管的電流大小與其通態(tài)壓降成正比的原理,用檢測通態(tài)管壓降的方法檢測通態(tài)電流,分析了
2025-06-26 13:47:05
。數(shù)據(jù)表中ID只考慮導(dǎo)通損耗，在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，要計(jì)算功率MOSFET的最大功耗包括導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、寄生二極管的損耗等，然后再據(jù)功耗和熱阻來校核結(jié)溫，保證其結(jié)溫小于最大的允許值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31:59
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
基于開關(guān)電流技術(shù)與數(shù)字CMOS工藝的延遲線電路設(shè)計(jì)
2019-04-26 11:41:28
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
開關(guān)電流電路中的時(shí)鐘饋通誤差和傳輸誤差分析，如何解決開關(guān)電流電路的誤差問題？
2021-04-12 07:04:33
小波變換開關(guān)電流電路CAD設(shè)計(jì)(2)
2019-04-18 07:55:58
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測試過程中，SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
摘要：為了提高數(shù)字通信電路的速度，設(shè)計(jì)了兩種BiCMOS開關(guān)電流存儲器。設(shè)計(jì)過程中在電路的關(guān)鍵部位配置有限的雙極型晶體管(BJT)，但在電路的主體部分則設(shè)置MOS器件。推導(dǎo)出了存
2010-05-13 09:04:13
16 對第一代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開關(guān)電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管，使誤差降為原來的4%，
2010-07-05 14:50:4822 基于開關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程，用Matlab對逼近過程進(jìn)
2010-12-10 17:41:1926 開關(guān)電流技術(shù)(SI)是一種可取代開關(guān)電容技術(shù)的數(shù)據(jù)采樣技術(shù)。首先介紹了SI技術(shù),然后以SI電路基本單元為例，分析了SI電路存在的各種誤差，并針對這些誤差提出了解決方法
2010-12-20 09:45:3537 并聯(lián)應(yīng)用時(shí)MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不勻的現(xiàn)象，為減小此問題造成的不良影響，只能通過實(shí)驗(yàn)確定有關(guān)的電路參數(shù)。這里用數(shù)學(xué)方法詳細(xì)分析MOSFET管的特性參數(shù)和電路參數(shù)對
2010-12-28 16:24:3285 低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲單元
引言 開關(guān)電流存儲單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)
2007-08-15 16:06:29710 MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究
1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵
2009-11-02 10:04:002732 
LT3517 - 具1.5A開關(guān)電流的全功能LED驅(qū)動器
特點(diǎn)5000：1 True Color PWMTM 調(diào)光比 1.5A、45V 內(nèi)部開關(guān) 100mV 高端電流檢測 開路 LED 保
2010-04-12 16:52:321061 
O 引言
開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器，
2010-08-11 09:27:212656 
開關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點(diǎn)，如速度快，適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需
2010-08-11 09:32:553100 
摘要：開關(guān)電源已是當(dāng)今二次電源的主要發(fā)展方向，在開關(guān)電源的分析與設(shè)計(jì)中，對開關(guān)工作時(shí)所形成的電壓波形及其參數(shù)的分析是致關(guān)重要的。為了分析開關(guān)電源的工作特性，研究了開關(guān)電源的電路模型及電壓波形的形成過程，針對分析開關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)，
2011-02-22 16:20:14206 講述了用信號流圖和積分器設(shè)計(jì) 開關(guān)電流濾波器 的方法。本方法簡明直觀，無力概念清楚，容易推廣到其他開關(guān)電流濾波器的設(shè)計(jì)
2011-06-13 18:28:4859 結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效
2013-09-26 14:54:2392 MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45218 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0543 常用的開關(guān)電源mosfet管，可制作大功率小電流開關(guān)電源。
2016-03-25 15:23:3311 基于IIR數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的開關(guān)電流電路小波變換方法_童耀南
2017-01-07 21:45:570 開關(guān)電流--數(shù)字工藝的模擬技術(shù)
2017-09-11 17:01:176 基于開關(guān)電流電路提出一種用小波濾波器實(shí)現(xiàn)小波變換的方法。通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Mexican Hat小波為例模擬該逼近過程，用Matlah對逼近過程進(jìn)行仿真，同時(shí)
2017-12-06 17:15:2518 及非線性跨導(dǎo)系數(shù)等參數(shù)。詳細(xì)介紹了建立分析模型的原理，并給出了分析模型中各關(guān)鍵參數(shù)的提取方法。對比了基于分析模型計(jì)算得到的開關(guān)波形與實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果，對比電壓電流波形匹配度較高，證明了此分析模型的正確性。對比了分析模型的開關(guān)損耗與基于實(shí)驗(yàn)計(jì)算的開關(guān)損耗，
2018-03-13 15:58:3813 開關(guān)電流技術(shù)是一種模擬取樣信號處理新技術(shù)，主要應(yīng)用于開關(guān)電流濾波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。由于開關(guān)電流電路無需使用雙層多晶硅電容，因此電路可以采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS數(shù)字工藝實(shí)現(xiàn)，從而降低了制造成本；采用
2020-05-21 08:03:002027 
對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
2018-08-30 15:03:5117789 開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器，整個(gè)電路均由MOS管構(gòu)成，因此可與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容
2018-09-29 08:57:0013333 
對于電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
2018-12-21 14:14:3815187 
MOSFET的損耗分析
2019-04-17 06:44:007278 
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2019-09-08 09:59:079892 對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
2020-09-09 14:22:1617988 
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2020-12-28 06:12:0019 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0250 LT3952：帶4A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表的60V LED驅(qū)動器
2021-04-17 19:40:375 LT3518：功能齊全的LED驅(qū)動器，帶2.3A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-13 16:11:381 LT3517：全功能LED驅(qū)動器，1.5A開關(guān)電流數(shù)據(jù)表
2021-05-24 11:15:365 對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。我們測試MOS管GS波形
2021-11-09 11:20:5939 對于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。
2022-08-14 10:09:074311 
大電流功率開關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管，集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。在大功率汽車電源系統(tǒng)中，通過背靠背連接的 MOSFET開關(guān)管
2023-02-10 15:04:401652 中大功率的ACDC電源都會采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù)，減少對電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡(luò)線的開關(guān)電流波形，從而提高輸入的功率因數(shù)，減小輸入諧波分量。
2023-02-16 09:59:317432 
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2023-04-10 09:42:003901 
1、Flyback變換器工作模態(tài)分析； 2、Flyback關(guān)鍵波形分析； 3、RCD吸收電路設(shè)計(jì)及開關(guān)管應(yīng)力； 4、從噪音回路看布線要點(diǎn)。 5、基于實(shí)際項(xiàng)目，原創(chuàng)反激開關(guān)電源視頻教程曝光
2023-05-24 15:28:41903 
點(diǎn)擊關(guān)注，電磁兼容不迷路。對于我們的電源工程師來說，我們經(jīng)?？吹捷斎氩?、MOS開關(guān)波、電流波、輸出二極管波、芯片波、MOS管GS波。以開關(guān)GS波為例，談?wù)凣S波。當(dāng)我們測量MOS管GS波形時(shí)，有時(shí)
2022-04-15 16:11:584501 
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓的原理？? MOSFET（MOS管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它可以作為電路中的開關(guān)來控制電流的通斷狀態(tài)。MOSFET有很多種，但是最常用的是n
2023-09-05 14:56:293463 。本文將詳細(xì)探討功率管開關(guān)波形對尖峰干擾的影響，并對抑制尖峰干擾的方法進(jìn)行細(xì)致分析。 一、功率管開關(guān)波形的影響 1. 尖峰干擾的定義 尖峰干擾是指在功率管開關(guān)過程中，由于電壓和電流的突變導(dǎo)致的瞬態(tài)電壓或電流的尖峰現(xiàn)象。
2023-11-29 10:55:561631 開關(guān)電流與輸入輸出電流有什么關(guān)系，知道了開關(guān)電流限值，我們怎么確定最大輸入、輸出電流呢？
2023-12-15 11:09:5010943 由于電感的放電，電感的電流逐漸下降，同時(shí)，肖特基二極管與電感是串聯(lián)在一起，故此時(shí)肖特基二極管的電流等于電感的電流。
2023-12-15 11:15:563499 
由一個(gè)開關(guān)和一個(gè)電容組成。開關(guān)可以是電子管、晶體管或者MOSFET。當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí)，電容開始充電，當(dāng)開關(guān)打開時(shí)，電容開始放電。這樣，通過不斷地開關(guān)操作，電容的充放電過程就會不斷地進(jìn)行，從而產(chǎn)生了正激波形。 在正激電路
2023-12-20 09:26:295765 在降壓轉(zhuǎn)換器/開關(guān)穩(wěn)壓器的電流波形圖中，可以看出電感電流是二極管和輸入/開關(guān)電流的總和。電流流過開關(guān)或二極管。
2024-02-09 07:19:003522 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《6.5μA 靜態(tài)電流、1.8A 開關(guān)電流升壓轉(zhuǎn)換器TPS61322數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-12 10:39:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《6.5μA 靜態(tài)電流、1.8A 開關(guān)電流升壓轉(zhuǎn)換器TPS61322數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-11 09:10:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《負(fù)載開關(guān)電流檢測評估板NTMFS4854NSGEVB數(shù)據(jù)手冊.rar》資料免費(fèi)下載
2024-04-22 17:14:201 開關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分，其輸出波形的質(zhì)量直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。因此，對開關(guān)電源輸出波形的深入分析顯得尤為關(guān)鍵。本文將從多個(gè)角度對開關(guān)電源輸出波形進(jìn)行詳細(xì)分析，并探討其影響因素和改進(jìn)方法。
2024-05-30 17:06:195746 功率器件，特別是如功率MOSFET和IGBT等，在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行具有重要意義。
2024-07-19 14:08:562343 驅(qū)動電流對MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件，其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)分析驅(qū)動電流對MOSFET性能的影響。
2024-07-24 16:27:591630 BUCK電路的占空比對電流波形具有顯著的影響。以下是對這一影響的分析： 一、占空比對電流波形的影響機(jī)制 在BUCK電路中，占空比決定了開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間比例。這一比例直接影響電感在充電和放電
2024-12-12 17:08:332763 點(diǎn)焊電流波形分析儀是一種專門用于檢測和分析電阻點(diǎn)焊過程中電流波形的設(shè)備。它能夠精確測量焊接時(shí)的電流變化，為焊接質(zhì)量控制提供重要數(shù)據(jù)支持。隨著制造業(yè)對產(chǎn)品質(zhì)量要求的不斷提高，點(diǎn)焊電流波形分析儀在汽車
2025-01-11 08:59:58758
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