MOSFET開關(guān)管的的損耗分析與計算
當(dāng)開關(guān)電源完成初步設(shè)計后就可以進(jìn)行下一步的優(yōu)化設(shè)計了，所謂優(yōu)化設(shè)計就是為當(dāng)前的方案選取最合適的器件以及為選取的器件配置最優(yōu)的參數(shù)。開關(guān)電源中對效率影響較大的是開關(guān)管（包括二極管）和磁性元件（包括導(dǎo)線），在以往的設(shè)計參考資料中會給出一些一般取值，當(dāng)建立了損耗模型后估計可以用公式把這些最優(yōu)參數(shù)推導(dǎo)出來而不再依賴經(jīng)驗值了。
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發(fā)表于 03-08 10:27
一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計算?。。夥e分）
的選用，有更細(xì)膩的考慮因素，
以下將簡單介紹 Power MOSFET 的參數(shù)在應(yīng)用上更值得注意的幾項重點。
1 、功率損耗及安全工作區(qū)域(Safe Operating Area, SOA
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