體驗要求也越來越高，因此智能手機的性能也遇到了空前考驗，這也成為一直困擾智能手機廠商的問題?！ 〔痪们?，華為重磅推出了華為Mate 20 X，在業(yè)內(nèi)首次運用了VC液冷+石墨烯膜的散熱技術(shù)，配合此前華為推出
2020-12-18 07:34:15
/index.html摘要：氮化鎵 (GaN) 納米線 (NW) 的器件近年來引起了很多興趣。超薄 GaN NW 可用于制造許多用于未來通信和加密系統(tǒng)的新型器件，例如單光子發(fā)射器 (SPE)。傳統(tǒng)的生長技術(shù)在可制造性
2021-07-08 13:11:24
Sinitskii表示，“我們以前也研究過其它碳基材料傳感器，如
石墨烯和氧化
石墨烯。使用
石墨烯納米帶，我們確定可以看到傳感器的響應(yīng)，但是我們沒有預(yù)想到會比過去所看到的更高?！?/div>
2020-05-18 06:44:27
天線尖端尺寸減少到納米量級,并非常接近另一金屬表面而形成一個納米腔室時,就可【關(guān)鍵詞】：納米,表面等離激元,國家實驗室,科研人員,中國科學技術(shù)大學,物理化學,通信天線,研究團隊,物質(zhì)科學,微尺度【DOI
2010-04-24 09:32:32
在觀察佩戴假肢的人如何與之交互。科學的發(fā)展，會促使這一技術(shù)更加成熟。” 該學院的研究人員在近兩年的時間里，一直在嘗試通過3D打印技術(shù)將石墨烯制作成化學改性涂層，探究其在高靈敏度人造皮膚上的可行性
2016-01-28 10:23:12
銀納米線被用于生物傳感器和電路中。 該所大學化學系的Ehud Gazit研究了聚集在Alzheimer病人大腦內(nèi)的淀粉蛋白質(zhì)纖維。這種蛋白質(zhì)還聚集在人體的其它部位，可引發(fā)二類糖尿病和朊病毒病。 他
2018-11-20 15:53:47
碳原子呈六角形網(wǎng)狀鍵合的材料“石墨烯”具有很多出色的電特性、熱特性以及機械特性。具體來說，具有在室溫下也高達20萬cm2/Vs以上的載流子遷移率，以及遠遠超過銅的對大電流密度的耐性。為此，石墨烯有望
2019-07-29 06:27:01
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
`隨著三部委《關(guān)于加快石墨烯產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干意見》持續(xù)推進、《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃》的出臺和石墨烯產(chǎn)業(yè)化進程的不斷推進，預(yù)計2017年我國石墨烯產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱度仍將不減。一是低成本制備技術(shù)
2017-01-18 09:09:18
可供集成的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)素材的理論性能（價值）的30%以下，都還很有進步空間，煎熬著進步吧。二、 石墨烯：石墨烯這樣的東東全世界都比較熱，尤其在中國，熱炒，都要炒糊啦。石墨烯在各方面的性能潛力確實很誘人
2016-03-14 10:00:19
月19日消息，從青島市科技局獲悉，近日青島市儲能產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成功研發(fā)出高能量密度鋰離子電容器，專家鑒定總體達到國際先進水平。該技術(shù)突破了石墨烯復合電極設(shè)計與批量制備、可控均勻預(yù)嵌鋰、充放電脹氣
2016-01-20 14:52:37
一、引言2010年，諾貝爾物理學被兩位英國物理學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖諾夫奪得，他們因制備出了石墨烯而獲此殊遇。而石墨烯的成功制備，引起了學界的巨大轟動，也引發(fā)了一場石墨烯制備、理論研究、應(yīng)用開發(fā)的浪潮。石墨烯
2019-07-29 07:48:49
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
什么是硅基CMOS技術(shù)？如何去實現(xiàn)一種石墨烯CMOS技術(shù)？
2021-06-17 07:05:17
用石墨烯電導率變化實現(xiàn)太赫茲調(diào)制
2020-12-31 06:05:10
石墨烯是2004年被發(fā)現(xiàn)的一種新型的碳納米材料，是由平面單層碳原子緊密結(jié)合在一起形成的二維蜂窩晶格材料，每個碳原子均為sp2雜化，并貢獻剩余一個p軌道電子形成大π鍵，在整個π鍵的超大共軛體系中電子
2018-10-18 09:16:55
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
建議論壇中增加關(guān)于藝術(shù)文化與科學技術(shù)之間的關(guān)系的版塊，并希望從業(yè)前前輩推薦一些
2015-09-04 13:57:08
續(xù)航能力強的電池又邁進了一步。美國加利福尼亞大學洛杉磯分校段鑲鋒教授解釋，新研制出來的復合電極技術(shù)，是以多孔石墨烯為三維框架結(jié)構(gòu)、表面均勻生長納米顆粒五氧化二鈮的方式制成的，它能同時實現(xiàn)充電快和使用時間
2017-07-12 15:54:13
待技術(shù)的進一步完善。艾邁斯作為鋰電池接插件的生產(chǎn)企業(yè)，也在時刻關(guān)注石墨烯電池發(fā)展，并將積極開發(fā)石墨烯電池適用的接頭。`
2017-02-15 08:20:03
日本研究員將納米銀顆粒技術(shù)用于觸摸面板傳感器 田中貴金屬工業(yè)公司預(yù)定從2017年開始制造并銷售觸摸面板傳感器。該觸摸面板傳感器使用了田中貴金屬工業(yè)與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、東京大學、山形大學、日本科學技術(shù)
2016-04-26 18:30:37
據(jù)國外媒體報道，英國倫敦皇家學院生物物理和納米技術(shù)小組的科學家研究出了一種新的納米技術(shù)，該技術(shù)能讓具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)把光線散射成不同的顏色而形成彩虹。這種納米結(jié)構(gòu)能夠使金屬表面的不同位置捕獲不同波長
2013-09-17 17:09:20
據(jù)SlashGear網(wǎng)站報道，去年，美國萊斯大學研究人員宣布他們已經(jīng)開發(fā)出利用計算機控制的激光生產(chǎn)石墨烯的方法，由這種方法生產(chǎn)的石墨烯產(chǎn)品被稱作激光誘導石墨烯。他們現(xiàn)在稱，這種材料適合
2016-01-28 11:37:22
1.8 W/A的藍光激光器，在良好散熱封裝的條件下單管連續(xù)波輸出光功率4~5 W?！ ≈袊?b class="flag-6" style="color: red">科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所的劉建平研究員課題組通過優(yōu)化藍光激光器p-AlGaN限制層的生長條件，優(yōu)化量子
2020-11-27 16:32:53
用matlab畫出石墨烯的能帶關(guān)系圖HomewoHomework110/31/20161.計算做圖畫出石墨烯蜂窩格子的倒格子和第一布里淵區(qū)，用matlab畫出石墨烯的能帶關(guān)系圖the heavier
2021-08-17 09:25:52
英國劍橋大學29日發(fā)布的一項研究成果顯示，研究人員成功將石墨烯電極植入小鼠腦部，并直接與神經(jīng)元連接，這項技術(shù)未來可用于修復截肢、癱瘓甚至帕金森氏 癥患者的感知功能，協(xié)助他們更好地康復。石墨烯是從
2016-02-01 15:39:08
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
將首次亮相，另外聚碳還將對外公布其在石墨烯電池領(lǐng)域的三項前瞻性技術(shù)。據(jù)了解，此次發(fā)布會將會有三大亮點。第一個就是可能作為行業(yè)標桿的石墨烯基鋰離子移動電源。它利用了石墨烯超高的導電和電阻率最小的特性
2017-09-02 11:42:51
計算機科學技術(shù)具有一系列特點,諸如技術(shù)密集、知(2010-05-28 09:45:40)標簽：教育計算機科學技術(shù)具有一系列特點,諸如技術(shù)密集、知 識密集、應(yīng)用面廣、更新速度快等。因此計算機教育
2021-09-13 08:17:17
納米線被用于生物傳感器和電路中。 該所大學化學系的EhudGazit研究了聚集在Alzheimer病人大腦內(nèi)的淀粉蛋白質(zhì)纖維。這種蛋白質(zhì)還聚集在人體的其它部位，可引發(fā)二類糖尿病和朊病毒病。 他的研究
2018-12-03 10:47:43
的科學家創(chuàng)建出一種全新的石墨烯納米帶環(huán)氧涂層，在被施加電壓后，能通過產(chǎn)生的電熱實現(xiàn)覆冰的融化。 在James Tour教授的帶領(lǐng)下，研究人員將環(huán)氧樹脂涂層與石墨烯納米帶相結(jié)合。石墨烯納米帶是由單層碳原子
2016-01-29 11:16:41
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-03 13:21:23
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-06 08:02:08
石墨烯粉體是一種由碳原子組成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新型納米材料，由于其優(yōu)異的導電性、導熱性和散熱性，各行各業(yè)都對其寄予厚望。石墨烯粉體適用于儲能和動力電池、新能源、熱管理、新型建材、大健康、太陽能、電子
2024-01-28 10:30:58
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:29
0 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 太赫茲科學技術(shù)和應(yīng)用
2017-07-27 09:42:070 本文檔內(nèi)容介紹了先進的科學技術(shù)測試測量。
2017-09-12 10:32:362 團隊將工業(yè)多晶銅箔轉(zhuǎn)化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長技術(shù)和超快生長技術(shù)成功在20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:33
3620 新世代高能量納米電池，亦可組成透明電極網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)手機電池、屏幕元件透明化設(shè)計，有助加快新世代透明手機問市。 斯坦福大學材料科學與工程系終身教授Yi Cui表示，納米線和納米碳管（Carbon Nanotube）技術(shù)將開創(chuàng)鋰電池設(shè)計新紀元，在硅架構(gòu)中導入納米線、納米碳管
2017-12-07 12:20:01284 近日，科技日報記者從中國科學技術(shù)大學獲悉，該校俞書宏教授課題組與合作者合作，設(shè)計了一種“脈沖式軸向外延生長”方法，成功制備了尺寸、結(jié)構(gòu)可調(diào)的一維膠體量子點-納米線分段異質(zhì)結(jié)，利用ZnS納米線對CdS
2018-11-27 16:19:593143 據(jù)麥姆斯咨詢報道，韓國科學技術(shù)院的研究人員通過開發(fā)一種柔性、透明的超薄分層納米復合材料（HNC）薄膜，研究出了一種高性能的透明納米觸摸傳感器。
2018-10-22 15:32:222954 中國科學院半導體研究所照明研發(fā)中心與北京大學納米化學研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團隊合作，開發(fā)出了石墨烯/藍寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進AlN薄膜生長實現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:262919 
11月22日，2019年新當選科學院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學副校長江風益教授赫列其中，這是國家對其科學成就的最高榮譽，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎以來，我國LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:432741 上海微系統(tǒng)所研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。
2020-06-01 14:23:561969 
在半導體科學技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:314761 
北極星智能電網(wǎng)在線訊：為深入貫徹落實習近平總書記關(guān)于科技創(chuàng)新的重要思想，不斷推動工程建設(shè)企業(yè)實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，依據(jù)《工程建設(shè)科學技術(shù)獎評選辦法（2019年修訂稿）》的規(guī)定，對2019年工程建設(shè)科學技術(shù)
2020-08-31 15:05:01968 中國汽車界與媒體界廣泛關(guān)注的年度盛事，由深圳市汽車電子行業(yè)協(xié)會主辦的汽車電子產(chǎn)業(yè)的奧斯卡獎 2019年度汽車電子科學技術(shù)獎頒獎典禮于2020年9月12日下午在2020中國（深圳）國際汽車電子產(chǎn)業(yè)年會
2020-11-10 11:37:312676 中國汽車界與媒體界廣泛關(guān)注的年度盛事，由深圳市汽車電子行業(yè)協(xié)會主辦的汽車電子產(chǎn)業(yè)的奧斯卡獎 2019年度汽車電子科學技術(shù)獎頒獎典禮于2020年9月12日下午在2020中國（深圳）國際汽車電子產(chǎn)業(yè)年會
2020-11-10 11:44:432357 圖形化藍寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M的半導體仿真設(shè)計平臺，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:28464 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:06808 首次在極細的InAs納米線上原位外延生長出超導鋁薄膜，并觀察到硬超導能隙和雙電子庫侖阻塞等現(xiàn)象。通過調(diào)節(jié)納米線的直徑，為未來研究馬約拉納零能模打開了一個新的實驗維度。
2022-04-11 13:17:43905 新發(fā)布的正陽極是OneD電池科學開發(fā)的突破性技術(shù)。它是生產(chǎn)硅納米線的技術(shù)組合，硅納米線是纖維狀結(jié)構(gòu)，熔合到EV電池陽極中使用的石墨顆粒上。該技術(shù)通過融合大量非常小的硅納米線來增強商業(yè)石墨。隨著
2022-10-18 15:07:46492 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質(zhì)結(jié)的高靈敏度近紅外光探測器，并對其電性能與光學特性進行了研究。
2022-11-24 11:20:561110 納米線是一種很長很細的納米材料。在技術(shù)術(shù)語中，這意味著它們具有高縱橫比?？紤]到這是一個與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀，它們在電子和納米電子設(shè)備中具有很大的潛力。
2022-12-19 10:56:443456 100nm ，長度方向上遠高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中心及難點。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實驗室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。 SiC納米線 SiC晶須SiC
2023-02-20 15:52:540 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長度方向上遠高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中
心及難點。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實驗室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 近日，漢威科技集團榮獲吉林省人民政府、河南省人民政府頒發(fā)的3項科學技術(shù)獎，均與氣體傳感器有關(guān)。
2023-04-07 15:47:164255 
近日，漢威科技集團榮獲吉林省人民政府、河南省人民政府頒發(fā)的3項科學技術(shù)獎，均與氣體傳感器有關(guān)。 其中漢威科技集團及子公司煒盛科技參與研發(fā)的“全固態(tài)氣體傳感器的開發(fā)及其在環(huán)境監(jiān)測和安全監(jiān)控等領(lǐng)域
2023-04-11 14:43:54279 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092833 
襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應(yīng)實現(xiàn)的，生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:44682 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32277 近日，哪吒走進了北歐的大學課堂。挪威科技大學的MichaelEngel教授就在操作系統(tǒng)的課程中介紹并使用了哪吒D1及玄鐵C906，并在課件中詳細展示了如何在哪吒上玩轉(zhuǎn)MIT的xv6OS。挪威科
2022-03-25 10:02:53738 
GaN半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面生長
2023-08-22 15:17:312379 
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