隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長新的單晶薄膜，為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對外延技術(shù)的定義、分類、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。
2025-06-16 11:44:03
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摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382489 
的嵌入式源漏外延生長，LED襯底上的外延生長等。根據(jù)生長源物相狀態(tài)的不同，外延生長方式可以分為固相外延、液相外延、氣相外延。在集成電路制造中，常用的外延方式是固相外延和氣相外延。
2023-02-13 14:35:4717659 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:501336 
環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件：GaN外延片成本占比較高，目前主流仍采用硅或碳化硅（SiC）異質(zhì)襯底，其中硅基GaN成本較低（約50?100/片，6英寸），但性能受限；SiC基GaN性能更優(yōu)，但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
面，其均方根粗糙度在藍(lán)寶石襯底上生長的 GaN 的 16 nm 和尖晶石襯底上生長的 GaN 的 0.3 nm 之間變化。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于 KOH 的溶液可以蝕刻 AlN 和 InAlN，但之前沒有
2021-07-07 10:24:07
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
堆棧的滿空和生長方向的知識點(diǎn)匯總，絕對實(shí)用
2022-02-09 06:11:24
(外延)、non-epitaxial(非外延)、SOI (silicon-on-insulator)。外延襯底有一個重?fù)诫s的外延層，這樣會得到較低的電阻率，進(jìn)而預(yù)防電路產(chǎn)生latch up效應(yīng)。但也
2012-01-12 10:47:00
碳化硅做襯底的成本遠(yuǎn)高于藍(lán)寶石襯底，但碳化硅襯底的光效和外延成長品質(zhì)要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的兩類，如用透光的碳化硅材料做襯底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一樣，外延后也必須做基板的轉(zhuǎn)換
2012-03-15 10:20:43
`供應(yīng)藍(lán)寶石襯底！深圳永創(chuàng)達(dá)科技有限公司 聯(lián)系電話***齊先生 網(wǎng)址www.yochda.com適用于外延片生產(chǎn)商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:29
0 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:555648 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術(shù)：
一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482780 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 一般來說，GaN 的成長須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 通道或外延將其從原始的Si襯底中剝離下來，而后通過一個35 nm的SiN界面層結(jié)合在CVD合成的金剛石襯底上。
2018-07-26 17:50:4816140 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0611879 Soitec宣布收購EpiGaN nv，增強(qiáng)其優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合氮化鎵（GaN）材料優(yōu)勢，此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率。 中國北京，2019年5月16日作為
2019-05-16 09:17:001720 時，仍然可以獲得晶格匹配的異質(zhì)結(jié)。此時，外延層為適配襯底的晶格常數(shù)將會在平行于橫截面的方向產(chǎn)生拉伸應(yīng)變或壓縮應(yīng)變，垂直于橫截面方向的晶格也將產(chǎn)生相應(yīng)應(yīng)變。 AlGaN材料晶格常數(shù)介于AlN與GaN之間，當(dāng)在GaN襯底上生長Al
2020-03-10 14:14:3412728 
該項(xiàng)專利通過Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結(jié)構(gòu)組成電容式結(jié)構(gòu)，對高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用，減少了高壓靜電的破壞力，從而提高GaN基LED器件的抗靜電能力。
2020-03-25 16:38:364074 
，最優(yōu)質(zhì)的單晶GaN是通過幾種需要昂貴的一次性碳化硅（SiC）襯底的外延工藝生長而成的，這限制了其在包括消費(fèi)電子產(chǎn)品在內(nèi)的更廣泛市場中的商業(yè)化。IBM TJ Watson研究中心科學(xué)家最近的一項(xiàng)發(fā)現(xiàn)可能會在稱為直接范德華外延的單晶GaN薄膜生長過程中改變所有這些
2021-04-04 06:17:002050 
我國GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；⑸虡I(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化，8英寸正在進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)。 GaN材料應(yīng)用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴(kuò)展。
2020-12-23 15:15:093109 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:291175 看到一些新聞，表示某國高科技企業(yè)開發(fā)了一種新型襯底材料，與GaN晶格匹配，可以良好生長GaN。(備注：GaN體單晶制備難度非常大，因此此處所提的GaN是外延層，此處暴露了外延層存在的意義之一)。那
2021-01-11 11:18:0826793 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:061339 引言 基于Ge/GeSn體系的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)由于其特殊的能帶結(jié)構(gòu)以及在創(chuàng)新光電子器件和高性能微電子器件中的可能應(yīng)用，最近引起了廣泛的興趣。1 基于拉伸應(yīng)變Ge/GeSn虛擬襯底的多量子阱結(jié)構(gòu)和超晶格
2022-06-17 16:26:562441 
常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的不匹配導(dǎo)致外延層產(chǎn)生位錯和開裂。 熱管理的常用方法是使用具有高導(dǎo)熱率的基板，例如 SiC 或金剛石作為散熱器。然而，GaN 和 SiC/金剛石之間的晶格失配和熱膨脹系數(shù) (CTE) 失配都使得異質(zhì)外延非常具有挑戰(zhàn)性。此外，傳統(tǒng)的成核層由于缺陷和結(jié)晶
2022-07-29 11:23:361906 
的。IVWorks（韓國）利用基于深度學(xué)習(xí)的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計 1000 萬美元的資金。三星旗下專業(yè)投資子公司三星風(fēng)險投資參與了
2022-07-29 18:19:472652 
熱膨脹性能越高，生長襯底直徑越大。
2022-09-02 16:46:251330 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:403153 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級計算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:572465 
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:461078 目前來說，金剛石在半導(dǎo)體中既可以充當(dāng)襯底，也可以充當(dāng)外延（在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長一層新單晶的過程），單晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生長技術(shù)、馬賽克拼接技術(shù)、同質(zhì)外延生長技術(shù)
2023-02-02 16:58:141678 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254280 絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:165006 
可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而
無需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 研究進(jìn)展，簡要總結(jié)了外延材料表征技術(shù)的發(fā)展趨勢， 為 GaN HEMT 外延層的材料生長和性能優(yōu)化提供了反饋和指導(dǎo)。
2023-02-20 11:47:223015 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。
2023-06-03 10:28:352405 
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:442359 最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:554118 
SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:522521 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:232593 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343039 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面生長
2023-08-22 15:17:315816 近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311828 
HVPE主要是利用生長過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點(diǎn)，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:088586 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:285174 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:401429 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:383463 
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:572079 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535133 
Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2024-01-25 11:30:101046 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:413482 
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
2024-03-28 12:19:541861 
異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長技術(shù)，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生長出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421714 
Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。
2024-05-19 11:38:492253 
在半導(dǎo)體技術(shù)與微電子領(lǐng)域中，襯底和外延是兩個重要的概念。它們在半導(dǎo)體器件的制造過程中起著至關(guān)重要的作用。本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別，包括它們的定義、功能、材料結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面。
2024-05-21 09:49:394465 
其它高熱導(dǎo)率的鍵合層材料或通過高溫退火等方法提高鍵合層熱導(dǎo)率。2.2 金剛石異質(zhì)外延GaN 技術(shù)另一種金剛石襯底散熱技術(shù)是異質(zhì)外延技術(shù)，由于金剛石是立方晶體結(jié)構(gòu)，不同于GaN 的纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)，GaN
2024-11-01 11:08:071751 本文簡單介紹了幾種半導(dǎo)體外延生長方式。
2024-10-18 14:21:362784 
材料的制備和以其為基礎(chǔ)的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點(diǎn)。 近期，在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王占國院士的指導(dǎo)下，劉峰奇研究員團(tuán)隊(duì)等在量子點(diǎn)異質(zhì)外延的研究方面取得重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術(shù)，發(fā)展
2024-11-13 09:31:261405 
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)。
2024-11-14 14:46:302351 
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-11-14 14:51:322892 
基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個方面：
一、晶圓片制備優(yōu)化
多次減薄處理：
采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可以制備出預(yù)設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV
2024-12-06 14:11:58521 
復(fù)合材料，因其獨(dú)特的物理和電學(xué)特性，在半導(dǎo)體芯片制造中得到了廣泛應(yīng)用。 ? ? ? ? SiGe外延工藝的重要性 1.1 外延工藝簡介?? ?????????? 外延(Epitaxy, 簡稱Epi)是指在單晶襯底上生長一層與襯底具有相同晶格排列的單晶材料。外延層可以是
2024-12-20 14:17:496643 
一、引言
溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層，以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中，不僅要保證外延層的填充率，還要避免空洞和缺陷的產(chǎn)生，從而確保
2024-12-30 15:11:02504 隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長室的結(jié)構(gòu)設(shè)計
2024-12-31 15:04:18398 ，SiC外延生長過程對溫度、氣氛、襯底質(zhì)量等因素極為敏感，因此需要設(shè)計一種高效、穩(wěn)定的高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法，以滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。
裝置結(jié)構(gòu)
高溫大面
2025-01-03 15:11:42382 一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長過程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 原子級薄的范德瓦爾斯van der Waals (vdW) 薄膜，為量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長提供了新材料體系。然而，不同于三維塊晶體的遠(yuǎn)程外延生長，由于較弱的范德華vdW相互作用，跨原子層的二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長受到了限制。
2025-02-05 15:13:06966 
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長速率和品質(zhì)的同時，有效避免這些問題的產(chǎn)生，可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:581351 影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問題，應(yīng)力消除外延生長裝置及外延生長方法應(yīng)運(yùn)而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
應(yīng)力
2025-02-08 09:45:00268 本文介紹了利用X射線衍射方法測量薄膜晶體沿襯底生長的錯配角，可以推廣測量單晶體的晶帶軸與單晶體表面之間的夾角，為單晶體沿某晶帶軸切割提供依據(jù)。
2025-03-20 09:29:10850 
本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39869 在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底：作為整個器件的基礎(chǔ)載體
2025-09-03 10:01:101293 
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是
2025-12-04 08:23:541018 
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