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納米圖形襯底對AlGaN基深紫外LED中光子輸運的影響

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2025-06-10 16:30:17

安泰電壓放大器在全貼合石墨烯柔性應(yīng)變傳感器研究的應(yīng)用

目前,許多各種各樣的傳感器已經(jīng)被用于智能化檢測設(shè)備,這些傳感器多數(shù)基于硅襯底,例如硅壓力傳感器,硅溫度傳感器,硅濕度傳感器和硅熱風速傳感器等。
2025-06-07 16:08:17429

新成果:GaNVCSEL動態(tài)物理模型開發(fā)

團隊開發(fā)了 GaNVCSEL的動態(tài)物理模型 ,揭示了器件內(nèi)部載流子輸運行為對激光器動態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導(dǎo)致GaNVCSEL有源區(qū)中產(chǎn)生了量子限制斯塔克效應(yīng)(QCSE),這一效應(yīng)不僅會降低器件的受激復(fù)合效率,還會引發(fā)嚴重
2025-06-05 15:58:20440

基于光纖傳感的碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂抑制技術(shù)

引言 在碳化硅襯底厚度測量,探頭溫漂是影響測量精度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大,導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術(shù)憑借獨特的物理特性,為探頭溫漂抑制提供了新方向,對提升碳化硅襯底厚度
2025-06-05 09:43:15463

LED封裝器件熱阻測試與散熱能力評估

就相當于電阻。在LED器件的實際應(yīng)用,其結(jié)構(gòu)熱阻分布涵蓋了芯片襯底、襯底LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體以及自由空間的熱阻,這些熱阻通道呈串聯(lián)
2025-06-04 16:18:53681

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑

電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù),其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15669

納米成像掃描電鏡

納米成像掃描電鏡無需占據(jù)大量空間來容納整個電鏡系統(tǒng),這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上,在用戶手邊實時呈現(xiàn)所得結(jié)果。此外,該系列臺式電鏡也可以進入手套箱、車廂還是潛水器等狹小空間內(nèi)大顯身手
2025-05-23 14:31:58

超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)銀漿立大功

超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)銀漿立大功 在科技飛速發(fā)展的今天,指紋識別技術(shù)已經(jīng)成為我們生活不可或缺的一部分,宛如一位忠誠的安全小衛(wèi)士,時刻守護著我們的信息與財產(chǎn)安全。當你早上睡眼惺忪
2025-05-22 10:26:27

應(yīng)用介紹 | 單光子計數(shù)拉曼光譜

光子計數(shù)拉曼光譜實驗裝置示意圖脈沖激光聚焦在樣品表面,激發(fā)樣品產(chǎn)生熒光和拉曼散射,單光子探測器探測這些受激發(fā)射和散射。TimeTagger采集所有光子事件的時間戳并加以實時分析。1?什么是單光子
2025-05-20 16:07:44707

利用納米壓痕技術(shù)評估襯底和膜層的脆性

了一套簡明的納米壓痕實驗的組合,旨在評估襯底和外延層的脆性,并為半導(dǎo)體制造商提供反饋,以減少在制造過程可能產(chǎn)生和擴展的潛在缺陷。
2025-05-16 17:26:021041

納米級形貌光學輪廓測量儀

圖儀器SuperViewW納米級形貌光學輪廓測量儀具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點,測量單個精細器件的過程用時短,確保了高款率檢測。SuperViewW納米級形貌光學輪廓
2025-05-16 15:16:49

CSP封裝在LED、SIIC等領(lǐng)域的優(yōu)勢、劣勢

瑞沃微作為半導(dǎo)體封裝行業(yè)上先進封裝高新技術(shù)企業(yè),對CSP(芯片級封裝)技術(shù)在不同領(lǐng)域的應(yīng)用有不同見解。CSP封裝憑借其極致小型化、高集成度和性能優(yōu)越性,在LED、SIIC等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢,但也存在一定劣勢。
2025-05-16 11:26:251123

揭秘紫外氣候老化試驗箱:材料耐候性測試的幕后英雄

在材料科學與工程領(lǐng)域,紫外氣候老化試驗箱是不可或缺的“幕后英雄”。它通過模擬自然環(huán)境紫外線照射、溫濕度變化等條件,加速材料老化過程,幫助科研人員和企業(yè)快速評估材料的耐候性能。?上海和晟HS系列紫外
2025-05-15 15:52:45636

納米級臺階儀

圖儀器NS系列納米級臺階儀線性可變差動電容傳感器(LVDC),具有亞埃級分辨率,13μm量程下可達0.01埃。高信噪比和低線性誤差,使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51

光子 AI 處理器的核心原理及突破性進展

電子發(fā)燒友網(wǎng)(文 / 李彎彎)光子 AI 處理器,作為一種借助光子執(zhí)行信息處理與人工智能(AI)計算的新型硬件設(shè)備,正逐漸嶄露頭角。與傳統(tǒng)基于晶體管的電子 AI 處理器(如 GPU、TPU)截然不同
2025-04-19 00:40:003874

我國成功研制出全球首臺193納米緊湊型固態(tài)激光器

深紫外(DUV)激光器憑借其高光子能量和短波長特性,在半導(dǎo)體光刻、高分辨率光譜學、精密材料加工和量子技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。與準分子激光器或氣體放電激光器相比,這類激光器具有更高的相干性和更低
2025-04-11 06:26:07651

JCMsuite應(yīng)用:介質(zhì)超表面的仿真

這是一個簡單但常見的超原子結(jié)構(gòu)的案例:襯底上包含一個納米圓盤的雙重周期方形晶格。示例和參數(shù)均取自Berzins等的文章[1],單元格在X和Y方向上均是周期性的。它包含一個位于基板上的圓盤(或圓柱體
2025-04-08 08:52:05

光子倍增技術(shù)核心:量子裁剪在鐿摻雜金屬鹵化物鈣鈦礦的光線追蹤分析,16.27%功率躍升

UbiQD公司正在開發(fā)用于太陽能電池組件的新型聚合物封裝技術(shù),通過集成熒光量子點來提升光伏性能。摻鐿鈣鈦礦材料CsPb(Cl???Br?)?具有量子裁剪下轉(zhuǎn)換特性,可將紫外光子轉(zhuǎn)換為近紅外光子,從而
2025-03-31 09:01:251531

紫外線對產(chǎn)品的影響及紫外老化試驗的重要性

紫外線對產(chǎn)品的危害紫外線,作為電磁波譜紫光之外的不可見光,其對產(chǎn)品的破壞性不容忽視。在眾多外界因素紫外線是導(dǎo)致材料性能劣變的關(guān)鍵因素之一。材料或產(chǎn)品在加工、貯存或使用過程,會受到熱、光、氧
2025-03-26 15:34:441506

JCMSuite應(yīng)用-利用微柱和量子點產(chǎn)生單光子

這個例子的靈感來自Gregersen等人[1],其中將量子點放置在微柱以產(chǎn)生單光子源。但是,我們簡化了問題,以便3D計算可以在筆記本電腦上流暢地運行: 微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x
2025-03-24 09:05:20

深入解析硅光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

在信息技術(shù)日新月異的今天,硅光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術(shù)”,硅光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢,更以其獨特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022673

氮化鈦在芯片制造的重要作用

)、抗腐蝕性和熱穩(wěn)定性,使其成為芯片制造的關(guān)鍵材料。此外,TiN在紫外深紫外波段(UV-DUV)具有高吸收系數(shù)(約10^5 cm?1),遠高于SiO?或Al?O?等材料,這一特性使其在光刻工藝中發(fā)揮重要作用。
2025-03-18 16:14:432327

JCMSuite應(yīng)用——微透鏡(Micro lens)仿真

該示例是對 Gschrey 等人的單光子源設(shè)計[1]的改編。 該幾何結(jié)構(gòu)由多層襯底構(gòu)成,襯底為布拉格反射鏡,在襯底頂部有一個微透鏡,量子點位于頂層內(nèi): 由布拉格反射鏡組成的微透鏡幾何結(jié)構(gòu)示意圖
2025-03-13 08:54:56

集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。
2025-03-12 15:21:241689

新成果展示:發(fā)光-探測雙功能AlGaN集成光電子器件模型的開發(fā)與應(yīng)用

開發(fā)了 發(fā)光-探測雙功能物理模型 ,同時提出并設(shè)計了具有非對稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN發(fā)光-探測雙功能集成光電子器件:在發(fā)射區(qū)采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu),在探測區(qū)采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)
2025-03-03 11:45:22713

上海光機所在高能量深紫外激光研究方面取得進展

Letters。 高能深紫外激光具有脈沖能量高、波長短的優(yōu)勢,不僅能夠在材料中產(chǎn)生強烈的非線性展寬、多光子電離、光化學反應(yīng)等豐富物理機制,也是高能密度物理中等離子體診斷的理想光
2025-03-03 09:08:54644

EastWave應(yīng)用:自動計算光子晶體透反率

本案例使用“自動計算透反率模式”研究光子晶體的透反率,將建立簡單二維光子晶體結(jié)構(gòu)以說明透反率的計算方法。 模型示意圖: 預(yù)覽網(wǎng)格劃分效果如下: 觀察到下面的實時場: 記錄得到數(shù)據(jù)如下: 雙擊
2025-02-28 08:46:25

納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)?

在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來,隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù),備受業(yè)界關(guān)注。然而,在眾多應(yīng)用場景
2025-02-24 11:17:061760

Lightmatter借助Cadence工具構(gòu)建光子芯片

生成式 AI 日益普及,托管和訓練這些算法所消耗的能源也隨之增加。光子技術(shù)以光子為主要計算源,基于光子的系統(tǒng)具有低功耗的優(yōu)勢,有助減少碳排放,改善地球生態(tài)環(huán)境,提升居民生活質(zhì)量,更適用于最先進的 AI 和 HPC 工作負載。
2025-02-24 10:37:181103

保密通信之紫外光無線通信!

,為作戰(zhàn)行動提供有力支持。在智能交通領(lǐng)域,紫外光通信也有著巨大的潛力。未來的智能交通系統(tǒng),車輛之間可以通過紫外光進行快速、準確的信息交互。比如,在交叉路口,車輛
2025-02-21 13:32:511000

Moku實現(xiàn)單光子對符合計數(shù)實驗指南

前言光子對的符合計數(shù)是量子光學和量子信息科學的一項重要技術(shù),它檢測通過量子過程(通常是參量下轉(zhuǎn)換)同時產(chǎn)生的光子對并對其進行計數(shù)。在諸如量子密碼學、量子傳輸和量子計算的實驗和應(yīng)用,這項技術(shù)
2025-02-20 10:29:531130

紫外老化試驗箱:模擬陽光,預(yù)見未來

紫外老化試驗箱是現(xiàn)代工業(yè)不可或缺的環(huán)境測試設(shè)備,它通過模擬陽光紫外輻射,對材料進行加速老化試驗。這種設(shè)備能夠精確控制紫外線強度、溫度、濕度等參數(shù),在短時間內(nèi)模擬材料在戶外長期暴露的老化效果
2025-02-19 09:44:06611

365nm紫外點光源固化燈的特點、優(yōu)勢與應(yīng)用

在現(xiàn)代制造業(yè),紫外光固化技術(shù)已成為一種高效、環(huán)保的固化方式,廣泛應(yīng)用于涂料、油墨、膠水等多個領(lǐng)域。紫外點光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨特的光學性能和應(yīng)用優(yōu)勢,成為高精度固化過程
2025-02-13 15:44:392484

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造
2025-02-13 10:03:503709

日本國立材料所成功研發(fā)金剛石DUV探測器

在超寬帶隙半導(dǎo)體領(lǐng)域,研究者們正致力于開發(fā)具有超高增益的深紫外(DUV)光電探測器,以期達到與光電倍增管(PMT)相媲美的性能。這些探測器對于200-280納米波長范圍內(nèi)的日盲檢測和通信至關(guān)重要
2025-02-11 09:55:47976

如何在光子利用電子生態(tài)系統(tǒng)

本文介紹了如何在光子利用電子生態(tài)系統(tǒng)。 這一目標要求光子學制造利用現(xiàn)有的電子制造工藝和生態(tài)系統(tǒng)。光子學必須采用無晶圓廠模型、可以在焊接步驟幸存下來的芯片以及電子封裝和組裝方法。 ? 無晶圓廠
2025-02-10 10:24:231111

300 nm 以下激光驅(qū)動光源的操作:臭氧緩解

介紹 深紫外線源,例如 Energetiq 的 LDLS?,會產(chǎn)生臭氧,這會對與 LDLS 連接的儀器和實驗的性能產(chǎn)生不利影響。儀器光路的臭氧會吸收不同量的紫外光,具體取決于臭氧濃度。本應(yīng)用說明
2025-02-07 06:36:111064

紫外線輻射傳感器:為環(huán)保監(jiān)測注入 “智慧” 力量

線信號轉(zhuǎn)化為電信號。紫外線照射光敏元件,使電子吸收光子能量產(chǎn)生電子 - 空穴對,在電場作用下定向移動形成電流,通過測量電流確定紫外線輻射強度。常見材料有 GaN 和 ZnS,其中 ZnS 材料傳感器精度比 GaN 系提升近 10^5 倍 。按對不同波
2025-02-06 15:57:39958

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導(dǎo)率和化學穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001979

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

方案會對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。 二、常見吸附方案概述 在碳化硅襯底測量,常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負壓將襯底固定,操作相對簡
2025-01-23 10:30:54286

納米管在EUV光刻效率的作用

數(shù)值孔徑 EUV 光刻的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個 21 世紀,這種令人難以置信的縮小趨勢(從 90 納米到 7 納米及更?。╅_創(chuàng)了技術(shù)進步的新時代。 在過去十年,我們見證了將50
2025-01-22 14:06:531153

Jcmsuite應(yīng)用:光場遇到納米球的散射與吸收

、sources.jcmt、materials.jcmt、project.jcmpt)。 請注意,在這種情況下,JCMsuite是在Daemon模式下使用的,它允許同時執(zhí)行各種波長的波長掃描。 有了適當?shù)挠布驮S可證,所有波長響應(yīng)可以同時計算,允許快速計算整個參數(shù)掃描。 襯底頂部納米球基于波長的吸收和散射
2025-01-22 08:57:00

不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在當今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學與光學性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而,要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420

氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中,氮化鎵(GaN)襯底正憑借其優(yōu)異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景嶄露頭角,成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質(zhì)量的精準把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

工業(yè)級PERC、SHJ與TOPCon太陽能電池的紫外線UVID穩(wěn)定性評估研究

現(xiàn)代電池架構(gòu)PERC、TOPCon和SHJ因依賴近乎完美的表面鈍化來提高效率,可能對紫外線誘導(dǎo)的降解(UVID)更敏感。UVID由能量大于3.4eV的高能光子引起,高能光子可通過多種機制降解
2025-01-10 09:03:312066

納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻(EUV)競爭

來源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學會 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻技術(shù)(NIL
2025-01-09 11:31:181280

組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹

納米級別的分辨率。本文將詳細介紹光刻機的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機的心臟,負責提供曝光所需的能量。早期的光刻機使用汞燈作為光源,但隨著技術(shù)的進步,目前多采用深紫外(DUV)或極紫外(EUV)光源,
2025-01-07 10:02:304530

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