大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?b class="flag-6" style="color: red">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機(jī)帶載就炸了
2011-12-29 17:22:40
6450 
? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182225 
IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因為電子電流、空穴電流關(guān)斷不同步
2023-12-01 10:29:12284 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對這些原因的分析： 正向電壓的增加 ：當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時，例如正向電壓，漏結(jié)區(qū)就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產(chǎn)生
2023-12-13 16:01:59847 IGBT導(dǎo)通后，電源1000V，電阻100Ω，仿真出電路電流10A（如圖1、圖2），這個沒問題。但電源1000V，電阻10Ω，仿真出電流為什么不是100A（如圖3、圖4）？是IGBT引起的嗎？
圖1
圖2
圖3
圖4
2023-05-25 11:47:38
的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常
2012-07-25 09:49:08
，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT在關(guān)斷過程 IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的 第二段是在MOSFET關(guān)斷
2011-08-17 09:26:02
IGBT中頻電源并聯(lián)諧振式電流型逆變器原理 IGBT中頻電源并聯(lián)諧振式電流型逆變器的基本電路如圖所示。 電流型逆變器的直流電源中串聯(lián)了大電感厶，因而負(fù)載電流是恒定的，不受負(fù)載阻抗變化的影響。當(dāng)負(fù)載
2013-02-21 21:02:50
`驅(qū)動器用的是infineon的1EDI2002AS+1EBN1001AE，驅(qū)動部分原理圖如下：測試方法如下：本來想做去飽和測試，但接上300V，一導(dǎo)通IGBT就燒了(脈沖12us內(nèi)，IGBT要求
2019-07-04 21:27:32
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。IGBT模塊：即模塊化封裝
2012-07-09 14:14:57
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?b class="flag-6" style="color: red">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
**Mosfet **和 IGBT 驅(qū)動對比的簡介簡述：一般中低馬力的電動汽車電源主要用較低壓（低于 72V）的電池組構(gòu)成。由于需求的輸出電流較高，因此市場上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27
誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性，目前，在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種
2020-09-29 17:08:58
，功率提升主要靠電力電子器件串并聯(lián)數(shù)目的增加來實現(xiàn)，因此具有成本較低，便于不同功率等級變流器進(jìn)行模塊化設(shè)計和生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。通過串聯(lián)IGBT可以提高變流器的電壓等級，而通過并聯(lián)IGBT則可以提高變流器的電流
2015-03-11 13:18:21
摘要：本文主要分析如何實現(xiàn)并聯(lián)IGBT靜態(tài)和動態(tài)過程的均流，并提出了一些用于減少電流不平衡的相關(guān)并聯(lián)方法，以便于客戶并聯(lián)設(shè)計。重點(diǎn)突出一些易實現(xiàn)并聯(lián)方案的IGBT模塊新封裝，又提出一些實現(xiàn)并聯(lián)均流
2018-12-03 13:50:08
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
的非常快速，一秒鐘可以開關(guān)近萬次，換言之，IGBT開關(guān)頻率可以達(dá)到10kHz級別，這也是IGBT選做成為開關(guān)的主要原因。而且IGBT導(dǎo)通時的電壓相對于大電流不敏感，可以承受幾十到幾百安培量級的電流；當(dāng)其關(guān)斷
2023-02-16 15:36:56
峰值電流： RGint：大電流IGBT內(nèi)部會集成一些芯片，每個芯片都有單獨(dú)的柵極電阻，RGint是這些柵極電阻并聯(lián)之后的值。集成內(nèi)部柵極電阻的作用是為了實現(xiàn)模塊內(nèi)部IGBT芯片的均流，該思路在做單
2021-02-23 16:33:11
串接在主電路中，通過電阻兩端的電壓來反映電流 的大小;對于大中容量變頻器，因電流大，需用電流互感器TA。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中，二是串接在每個IGBT模塊上，。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00
要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個和IGBT選型密切相關(guān)，額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式
2022-05-10 10:06:52
以上兩種情況，不知哪種情況是對的？請教論壇里的專家，究竟這個先短路再開通是指什么？是針對同一個IGBT的CE先短路，然后啟動，觀察記錄此IGBT的驅(qū)動、CE電壓和電流，還是針對同一相上下橋臂兩個IGBT，先把其中一個CE短路，觀察記錄另外一個IGBT的驅(qū)動、CE電壓和電流？
2024-02-29 23:08:07
。在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流的能力強(qiáng)于PT型IGBT。因此，PT型IGBT不適用于電感負(fù)載電路和馬達(dá)驅(qū)動等電路，而且短路持續(xù)時間TSC較短，一般不給出短路安全工作區(qū)。所以，NPT型IGBT的可靠性高于
2017-03-16 21:43:31
的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定：——IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓
2018-10-18 10:53:03
開啟IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時間和關(guān)斷時間是否相同，如果不相同，哪個時間更長一些？并且，在設(shè)計IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT的電流，D_on （t）代表調(diào)制的占空比。 6.1 參數(shù)Vce（t）求取 Vce （t）一般情況下可以等效為： 6.2參數(shù)ic（t）求取 按照上述認(rèn)定特性可以定義為： 6.3導(dǎo)通損耗
2023-02-24 16:47:34
交流電動機(jī)有哪些優(yōu)點(diǎn)？IGBT的過電流保護(hù)類型可以分為哪幾種呢？
2021-10-26 07:52:47
我要做個HCPL316J驅(qū)動IGBT的電路，我不懂那個門極電流的峰值怎么計算，還有門極電阻怎么取值！希望賜教！非常感謝！{:soso_e121:}
2012-03-26 10:52:38
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
大家好，我畢設(shè)遇到一個問題想問一下大家：用HCPL3120驅(qū)動IGBT，但是手冊上面說只能驅(qū)動1200V/100A的IGBT，我不明白為什么用電壓驅(qū)動IGBT，怎么還與IGBT電流有關(guān)，我現(xiàn)在的IGBT要260A電壓1100V，用什么芯片能驅(qū)動？
2013-03-22 15:19:08
誰能仔細(xì)闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
` 誰知道igbt是電壓型還是電流型？`
2019-10-25 15:55:28
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
` 本帖最后由 24不可說 于 2018-9-28 14:16 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上
2018-09-28 14:14:34
1 引言 在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后, 最終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT
2018-10-12 17:07:13
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
BJT結(jié)構(gòu)，流入n漂移區(qū)的電子為PNP晶體管的n區(qū)持續(xù)提供電子，這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE，使PNP正向?qū)ǎ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT器件正常工作。這就是定義中為什么說IGBT是由
2019-07-18 14:14:01
要求這份材料能深入淺出地把IGBT講明白。筆者深知要做到這種程度，難度之大，實難預(yù)料，但心中卻有一股躍躍欲試之情，想一想，試試倒也無妨，且看能做到什么程度。IGBT是一個針對高電壓大電流的開關(guān)器件
2019-11-21 09:13:48
本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
應(yīng)用場景為高壓（>3000V）和高電流(>30A)。目標(biāo)：電流/電壓異常增大時，能及時（微秒量級）切斷短路，以保護(hù)IGBT不炸管；切機(jī)后，設(shè)備可以通過軟件和（或）硬件重啟的方式，恢復(fù)正常工作。
2019-03-05 15:26:08
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅(qū)動器光電耦合器的評估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
。含有IGBT過流信息的Vce不直接送至EXB841的集電極電壓監(jiān)視腳6，而是經(jīng)快速恢復(fù)二極管VD1，通過比較器IC1輸出接至EXB841的腳6，其目的是為了消除VD1正向壓降隨電流不同而異，采用閾值
2009-01-21 13:06:31
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因為在這類應(yīng)用中，單個 IGBT 無法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計采用一個增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
顯示了IGBT的理想導(dǎo)通特性以及針對不同類型驅(qū)動器的相應(yīng)柵極電流。在整篇文章中，僅考慮開啟特性。 ?。ˋ） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)公司提供 ?。˙） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 ?。–
2023-02-21 16:36:47
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-11-02 08:30:41
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd永磁同步電機(jī)，IGBT關(guān)波后，怎么會有一段持續(xù)電流
2019-06-25 09:46:28
你好，問一個簡單的問題。我最近，在用SiMetrix研究IGBT的功耗問題時，碰到一個令我不理解的現(xiàn)象。像下面這個IGBT，型號為irg4pc40u，datasheet里面，它能通過的電流，最大
2020-04-29 09:11:12
，IGBT應(yīng)該不會導(dǎo)通，圖2中信號3似乎表明IGBT有通斷。然后又想會不會因為IGBT中的續(xù)流二極管的影響，于是我做了以下仿真，如圖3，圖4.圖3 圖4圖4為電流傳感器的波形，電流很小，應(yīng)該不是續(xù)流二極管
2016-01-09 12:10:23
什么是拉電流？什么是灌電流？靜態(tài)電流是如何定義的？
2021-10-14 07:26:21
igbt工作原理
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。
2007-12-22 10:36:06
117 本文探討了一種應(yīng)用于燃料電池發(fā)電系統(tǒng)的DC/DC 變換器，該DC/DC 變換器采用電流型結(jié)構(gòu)和逆阻型IGBT。分析了逆阻型IGBT 電流型DC/DC 變換電路的工作原理和參數(shù)設(shè)計，介紹在燃料
2009-04-03 10:31:5427 為了改善電流型PFC的性能，本文采用逆阻型IGBT而不是普通IGBT作為功率器件。在三相9kW的PFC樣機(jī)中，對逆阻型IGBT的靜態(tài)和動態(tài)性能進(jìn)行了測試，測試結(jié)果顯示逆阻型IGBT具有較低的通
2009-10-16 09:01:1438 IGBT的過電流及其保護(hù):在IGBT應(yīng)用開發(fā)中，防止其過電流損壞是最令人關(guān)注的問題。
2010-03-14 19:02:3143 多的這個P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關(guān)斷是電流會拖尾，關(guān)斷速度
2017-05-14 10:09:4253166 
在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后， 最終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗及熱循環(huán)能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3730 IGBT、MOSFET的過電流保護(hù)
2018-03-19 15:10:477 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0816934 IGBT由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。
2019-04-24 15:38:2383762 IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓，將它們組合在一起，產(chǎn)生另一種類型的晶體管開關(guān)器件，能夠處理大的集電極 - 發(fā)射極電流，幾乎沒有柵極電流驅(qū)動。
2019-06-25 18:27:5723092 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-07-09 08:55:378700 首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
2020-01-02 16:24:1410350 
新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180 、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。 ? IGBT管 IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管
2022-11-29 18:10:252756 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOS管和IGBT管的定義與辨別資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-26 08:44:5323 開關(guān)上管IGBT1時產(chǎn)生的電壓和電流波形。作為集中參數(shù)顯示的電路雜散電感Lσ，代表了整個回路（陰影區(qū)域）中的所有的分布電感（電容器、母線和IGBT模塊）。 半橋電路以及開關(guān)IGBT1時的電流和電壓波形 由于電流的變化，在雜散電感Lσ上產(chǎn)生
2021-10-13 15:36:133500 
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解
2021-11-01 15:51:534122 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?b class="flag-6" style="color: red">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-08 14:21:0528 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國家列為重點(diǎn)研究對象。
2022-02-16 15:50:112999 
市面上適用于電力電子領(lǐng)域測量的電流探頭有許多，根據(jù)實際需求選擇合適的對波形的測量非常重要?，F(xiàn)代的IGBT器件不斷地向著大電流密度和高頻率應(yīng)用這兩個方向發(fā)展，但是幾乎找不到能同時符合各類IGBT開關(guān)特性測量的電流探頭，這就需要我們搞清楚自己的需求。
2022-03-10 15:38:41490 
，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。那么對于IGBT開關(guān)時間的定義，你又了解多少？具體如下。 1. 開通時間ton 開通時間還可以分為兩個部分：開通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時間內(nèi)IGBT主要工作在主動區(qū)域。 當(dāng)柵極和發(fā)射極之向被加上一個階躍式的正向驅(qū)
2022-03-26 18:33:364680 功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路是集成電路的一個重要子類，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動IC除了提供驅(qū)動電平和電流，往往帶有驅(qū)動的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC（slew
2022-05-07 17:23:395512 
我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時會發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 , 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由
于對IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識不清, 對關(guān)斷時間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長、
死區(qū)時間長等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT的性能; 導(dǎo)致IGBT因使用不當(dāng), 燒毀。今天我們就IGBT關(guān)斷時的
2023-02-22 14:57:543 IGBT保護(hù)的問題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動芯片能保護(hù)到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護(hù)4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0015 目錄
定義和分類
IGBT的使用和門極電路設(shè)計
各類型的驅(qū)動電路介紹
IGBT過壓的產(chǎn)生和抑制機(jī)理
2023-02-24 15:15:441 摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028172 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（2）
2023-12-05 10:26:20308 
IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（1）
2023-12-05 14:09:41333 
Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個開關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45458 由于短路會導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關(guān)管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導(dǎo)致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個重要區(qū)域，但是
2024-02-18 14:35:35327 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28481 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12260
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