絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT）

　　GTR和MOSFET復合，結(jié)合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導器件。

　　IGBT的結(jié)構(gòu)

　　IGBT相當于一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)GTR。從圖中我們還可以看到在集電極和發(fā)射極之間存在著一個寄生晶閘管，寄生晶閘管有擎住作用。采用空穴旁路結(jié)構(gòu)并使發(fā)射區(qū)寬度微細化后可基本上克服寄生晶閘管的擎住作用。IGBT的低摻雜N漂移區(qū)較寬，因此可以阻斷很高的反向電壓。

　　IGBT的結(jié)構(gòu)、符號及等效電路

? ? ? ? IGBT的各種保護設(shè)計方法

　　IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此，必須但對IGBT進行相關(guān)保護 本文從實際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)出了過流、過壓與過熱保護的相關(guān)問題和各種保護方法，實用性強，應(yīng)用效果好。

　　1、過流保護

　　生產(chǎn)廠家對IGBT提供的安全工作區(qū)有嚴格的限制條件，且IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒（SCR、GTR等器件承受過流時間為幾十微秒），耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。

　　對IGBT的過流檢測保護分兩種情況：

　?。?）驅(qū)動電路中無保護功能。這時在主電路中要設(shè)置過流檢測器件。對于小容量變頻器，一般是把電阻R直接串接在主電路中，如通過電阻兩端的電壓來反映電流的大??；對于大中容量變頻器，因電流大，需用電流互感器TA（如霍爾傳感器等）。電流互感器所接位置：一是像串電阻那樣串接在主回路中；二是串接在每個IGBT上。前者只用一個電流互感器檢測流過IGBT的總電流，經(jīng)濟簡單，但檢測精度較差；后者直接反映每個IGBT的電流，測量精度高，但需6個電流互感器。過電流檢測出來的電流信號，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號，從而關(guān)斷IGBT的觸發(fā)，實現(xiàn)過流保護。

　?。?）驅(qū)動電路中設(shè)有保護功能。如日本英達公司的HR065、富士電機的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驅(qū)動與保護功能于一體的集成電路（稱為混合驅(qū)動模塊），其電流檢測是利用在某一正向柵壓Uge下，正向?qū)ü軌航礥ce（ON）與集電極電流Ie成正比的特性，通過檢測Uce（ON）的大小來判斷Ie的大小，產(chǎn)品的可靠性高。不同型號的混合驅(qū)動模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據(jù)實際情況恰當選用。

　　由于混合驅(qū)動模塊本身的過流保護臨界電壓動作值是固定的（一般為7～10V），因而存在著一個與IGBT配合的問題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在IGBT集電極與驅(qū)動模塊之間的二極管V的個數(shù)，使這些二極管的通態(tài)壓降之和等于或略大于驅(qū)動模塊過流保護動作電壓與IGBT的通態(tài)飽和壓降Uce（ON）之差。

　　上述用改變二極管的個數(shù)來調(diào)整過流保護動作點的方法，雖然簡單實用，但精度不高。這是因為每個二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動模塊與IGBT集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實際工作中，改進方法有兩種：

　?。?）改變二極管的型號與個數(shù)相結(jié)合。例如，IGBT的通態(tài)飽和壓降為2.65V，驅(qū)動模塊過流保護臨界動作電壓值為7.84V時，那么整個二極管上的通態(tài)壓降之和應(yīng)為7.84-2.65=5.19V，此時選用7個硅二極管與1個鍺二極管串聯(lián)，其通態(tài)壓降之和為0.7×7+0.3×1=5.20V（硅管視為0.7V，鍺管視為0.3V），則能較好地實現(xiàn)配合（2）二極管與電阻相結(jié)合。由于二極管通態(tài)壓降的差異性，上述改進方法很難精確設(shè)定IGBT過流保護的臨界動作電壓值 如果用電阻取代1～2個二極管，則可做到精確配合。

　　另外，由于同一橋臂上的兩個IGBT的控制信號重疊或開關(guān)器件本身延時過長等原因，使上下兩個IGBT直通，橋臂短路，此時電流的上升率和浪涌沖擊電流都很大，極易損壞IGBT 為此，還可以設(shè)置橋臂互鎖保護。圖中用兩個與門對同一橋臂上的兩個IGBT的驅(qū)動信號進行互鎖，使每個IGBT的工作狀態(tài)都互為另一個IGBT驅(qū)動信號可否通過的制約條件，只有在一個IGBT被確認關(guān)斷后，另一個IGBT才能導通，這樣嚴格防止了臂橋短路引起過流情況的出現(xiàn)。

　　2、過壓保護

　　IGBT在由導通狀態(tài)關(guān)斷時，電流Ic突然變小，由于電路中的雜散電感與負載電感的作用，將在IGBT的c、e兩端產(chǎn)生很高的浪涌尖峰電壓uce=L dic/dt，加之IGBT的耐過壓能力較差，這樣就會使IGBT擊穿，因此，其過壓保護也是十分重要的。過壓保護可以從以下幾個方面進行：

　?。?）盡可能減少電路中的雜散電感。作為模塊設(shè)計制造者來說，要優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)（如采用分層電路、縮小有效回路面積等），減少寄生電感；作為使用者來說，要優(yōu)化主電路結(jié)構(gòu)（采用分層布線、盡量縮短聯(lián)接線等），減少雜散電感。另外，在整個線路上多加一些低阻低感的退耦電容，進一步減少線路電感。所有這些，對于直接減少IGBT的關(guān)斷過電壓均有較好的效果。

　?。?）采用吸收回路。吸收回路的作用是；當IGBT關(guān)斷時，吸收電感中釋放的能量，以降低關(guān)斷過電壓。常用的吸收回路有兩種，如圖4所示。其中（a）圖為充放電吸收回路，（b）圖為鉗位式吸收回路。對于電路中元件的選用，在實際工作中，電容c選用高頻低感圈繞聚乙烯或聚丙烯電容，也可選用陶瓷電容，容量為2 F左右。電容量選得大一些，對浪涌尖峰電壓的抑制好一些，但過大會受到放電時間的限制。電阻R選用氧化膜無感電阻，其阻值的確定要滿足放電時間明顯小于主電路開關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計算，T為主電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復時間短的軟特性緩沖二極管。

　?。?）適當增大柵極電阻Rg。實踐證明，Rg增大，使IGBT的開關(guān)速度減慢，能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了開關(guān)損耗，使IGBT發(fā)熱增多，要配合進行過熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開關(guān)損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實際工作中按Rg=3000/Ic 選取。

　　除了上述減少c、e之間的過電壓之外，為防止柵極電荷積累、柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT，可在g、e之間設(shè)置一些保護元件，電路如圖5所示。電阻R的作用是使柵極積累電荷泄放，其阻值可取4.7kΩ；兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1、V2。是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。

　　3、過熱保護

　　IGBT 的損耗功率主要包括開關(guān)損耗和導通損耗，前者隨開關(guān)頻率的增高而增大，占整個損耗的主要部分；后者是IGBT控制的平均電流與電源電壓的乘積。由于IGBT是大功率半導體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多（尤其是Rg選擇偏大時），加之IGBT的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當?shù)纳岽胧┻M行過熱保護。

　　散熱一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進行強迫風冷。散熱器的結(jié)構(gòu)設(shè)計應(yīng)滿足：Tj=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm　　式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫

　　P△－損耗功率

　　Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng)

　　Rcs－殼－散熱器熱阻

　　Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻

　　Tjm－IGBT的最高結(jié)溫

　　在實際工作中，我們采用普通散熱器與強迫風冷相結(jié)合的措施，并在散熱器上安裝溫度開關(guān)。當溫度達到75℃～80℃時，通過SG3525的關(guān)閉信號停止PMW 發(fā)送控制信號，從而使驅(qū)動器封鎖IGBT的開關(guān)輸出，并予以關(guān)斷保護。