橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的航天用半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布其歐洲抗輻射航天用半導(dǎo)體產(chǎn)品組合新增四款獲得QML V官方認(rèn)證的放大器芯片。新產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)一步鞏固了意法半導(dǎo)體抗輻射模擬器件的堅實基礎(chǔ)。意法半導(dǎo)體的抗輻射模擬器件具有極強的抗輻射性能，在已發(fā)現(xiàn)的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運行，確保設(shè)備具有更長的耐用性。
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意法半導(dǎo)體高可靠性和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部總經(jīng)理Alberto De Marco表示：“衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會研究報告數(shù)據(jù)顯示，全球衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)正在健康發(fā)展。2010年全球衛(wèi)星市場收入總計1681億美元，近五年來平均增長率超過11.2%[1] 。在娛樂、導(dǎo)航、通信等很多日常生活方面我們都離不開衛(wèi)星，衛(wèi)星的功能和可靠性極其重要，意法半導(dǎo)體推出的這四款全新產(chǎn)品能夠在太空中承受現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的輻射強度對于衛(wèi)星正常運轉(zhuǎn)至關(guān)重要?！?br /> ?
意法半導(dǎo)體以300 krad(Si)的標(biāo)準(zhǔn)抗離子化輻射能力（總離子化劑量測試，簡稱TID）（包括抗低速率輻射測試）而成為航天工業(yè)的半導(dǎo)體器件抗輻射參考標(biāo)準(zhǔn)。無增強型低劑量速率敏感效應(yīng)（ELDRS-free）芯片讓意法半導(dǎo)體成為首家獲得抗輻射保證（RHA）認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商。通過推出無單粒子閂鎖（SEL）效應(yīng)和無單粒子錯誤中斷（SEFI）效應(yīng)的器件，意法半導(dǎo)體取得了市場上最高的抗離子化輻射能力，將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術(shù)提高至新的水平。在這些新產(chǎn)品中，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先市場的尖端技術(shù)還包括單粒子瞬變（SET）保護(hù)功能。單粒子瞬變現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯誤，是航天用模擬器件必須克服的一大挑戰(zhàn)。
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新產(chǎn)品包括以下四款芯片：
RHF484：由4個RHF43B組成的4路運算放大器，可替代工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)運算放大器芯片，采用Flat-14W封裝，2011年通過QML V認(rèn)證。
RHF310和RHF330是超低功耗5V運算放大器，是各種信號調(diào)節(jié)應(yīng)用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個型號已取得QML V證書。另一款產(chǎn)品550 MHz RHF350預(yù)計于2011年第四季度通過認(rèn)證。
意法半導(dǎo)體航天用模擬器件在設(shè)計方面特別關(guān)注單粒子瞬變效應(yīng)，并經(jīng)過了全面的特征化分析，擁有瞬間錯誤脈沖的振幅低，時間短的特性。
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意法半導(dǎo)體的抗輻射模擬芯片均采用BICMOS制程，功耗極低。在法國國家宇航空研究中心（CNES）的積極支持下，這些器件通過測試后直接進(jìn)入歐洲產(chǎn)品目錄（EPPL）。
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意法半導(dǎo)體 QML V模擬產(chǎn)品主要特性
通過QML V質(zhì)量認(rèn)證300 krad (Si)總離子化劑量（TID）測試
無ELDRS（增強型低劑量速率敏感性）效應(yīng)
單粒子閂鎖（SEL）防護(hù)能力：110 MeV/mg/cm2（125 °C）
完整的單粒子瞬變特征化分析
氣密封裝
歐洲出口認(rèn)證產(chǎn)品