“GaN”中文名“氮化鎵”，是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動通信，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項。

采用了GaN氮化鎵元件的充電器最直觀的感受就是體積小、重量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢，大大的提升了我們的使用體驗。

納微NV6115目前已被45W GaN PD充電器采用

納微半導(dǎo)體 NV6115 詳細資料

用料方面，市場上的大部分PD充電產(chǎn)品內(nèi)部采用了行業(yè)前沿的GaN氮化鎵技術(shù)，內(nèi)置Navitas納微半導(dǎo)體的NV6115氮化鎵芯片，高度集成的驅(qū)動電路和單晶片的設(shè)計使得氮化鎵芯片的開關(guān)頻率大幅度提高，最終實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化和高效率。