HMC - APH596：16 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器深度解析 在微波和毫米波頻段的應(yīng)用中，功率放大器是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天，我們就來詳細(xì)探討一款性能出色
2025-12-31 10:50:12
148 探索HMC - AUH256：高性能GaAs HEMT MMIC驅(qū)動(dòng)放大器 在當(dāng)今高速發(fā)展的通信技術(shù)領(lǐng)域，對(duì)于高性能放大器的需求日益增長(zhǎng)。HMC - AUH256作為一款GaAs HEMT MMIC
2025-12-31 10:50:09127 探索HMC - AUH232：DC - 43 GHz的GaAs HEMT MMIC調(diào)制器驅(qū)動(dòng)放大器 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子領(lǐng)域，對(duì)于高性能、寬帶寬的放大器需求日益增長(zhǎng)。HMC - AUH232作為一款
2025-12-31 10:50:06159 71 - 86 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器 HMC - AUH320 深度解析 在高頻電子設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，高性能放大器的選擇對(duì)于系統(tǒng)的整體性能起到至關(guān)重要的作用。今天，我們就來
2025-12-31 10:50:02138 探索HMC - AUH249：DC - 35 GHz GaAs HEMT MMIC調(diào)制器驅(qū)動(dòng)放大器 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子通信領(lǐng)域，高性能的放大器對(duì)于各類系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天，我們將深入探討
2025-12-31 10:45:03136 探索HMC - APH462：15 - 27 GHz GaAs HEMT MMIC 1瓦功率放大器 在高頻電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率放大器的性能往往決定了整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們就來深入了解一款高性能
2025-12-31 10:30:06154 探索HMC - ALH482：2 - 22 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在當(dāng)今的電子工程領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）在眾多應(yīng)用中都起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一款
2025-12-31 10:30:02145 HMC - APH460：27 - 31.5 GHz GaAs HEMT MMIC 0.5 瓦功率放大器解析 在毫米波頻段的功率放大器設(shè)計(jì)中，HMC - APH460 這款 GaAs HEMT
2025-12-31 10:25:19131 HMC - APH196：17 - 30 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器的深度解析 在射頻和微波領(lǐng)域，功率放大器是至關(guān)重要的組件，它直接影響著系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。今天，我們將
2025-12-31 10:25:14144 探索HMC - ALH445：18 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的卓越性能 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子通信領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）作為關(guān)鍵組件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)
2025-12-31 10:10:09143 HMC - ALH444：1 - 12 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析 在電子工程領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是射頻前端電路的關(guān)鍵組件，其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度
2025-12-31 10:10:03158 詳解 HMC - ALH435：5 - 20 GHz GaAs HEMT MMIC 低噪放大器 在射頻和微波領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能夠在放大微弱信號(hào)的同時(shí)，盡可能
2025-12-31 10:05:0581 HMC - ALH310：37 - 42 GHz GaAs HEMT低噪聲放大器的全方位解析 在毫米波頻段的射頻應(yīng)用中，低噪聲放大器（LNA）的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度和信號(hào)質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。今天我們
2025-12-31 09:55:1380 HMC-ALH313：27 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析 在毫米波頻段的射頻設(shè)計(jì)中，低噪聲放大器（LNA）起著至關(guān)重要的作用。今天我們要深入探討
2025-12-31 09:55:10104 探索HMC - ALH364：24 - 32 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 一、引言 在射頻和微波領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能夠在放大信號(hào)的同時(shí)盡可能
2025-12-31 09:55:0768 探索HMC - ALH369：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在毫米波頻段的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能有效放大微弱信號(hào)同時(shí)盡量減少
2025-12-31 09:55:0379 探索 HMC - ALH244：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC 低噪聲放大器 在高頻通信和雷達(dá)系統(tǒng)中，低噪聲放大器是至關(guān)重要的組件，它能夠在放大信號(hào)的同時(shí)盡可能減少噪聲的引入
2025-12-31 09:10:12109 探索HMC - ALH140：24 - 40 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在毫米波通信和雷達(dá)系統(tǒng)等高頻應(yīng)用領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能夠在放大信號(hào)的同時(shí)
2025-12-31 09:10:0292 探索HMC - ABH209：55 - 65 GHz GaAs HEMT MMIC中功率放大器 在毫米波頻段的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，合適的功率放大器對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的信號(hào)傳輸至關(guān)重要。今天，我們就來深入
2025-12-30 17:25:16389 探索HMC - ABH241：50 - 66 GHz GaAs HEMT MMIC 中功率放大器 在當(dāng)今的高頻通信和雷達(dá)系統(tǒng)中，高性能的功率放大器至關(guān)重要。今天，我們就來詳細(xì)探討一下Analog
2025-12-30 17:15:17413 深入剖析SN65LVDS18/19與SN65LVP18/19：高頻振蕩器增益級(jí)/緩沖器的卓越之選 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)高頻電路時(shí)，選擇合適的振蕩器增益級(jí)和緩沖器至關(guān)重要。今天，我們就來詳細(xì)探討
2025-12-29 15:05:2295 探索SN65LVDS18/19、SN65LVP18/19：高頻振蕩器增益級(jí)/緩沖器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高頻振蕩器增益級(jí)/緩沖器對(duì)于信號(hào)處理和傳輸至關(guān)重要。今天，我們將深入探討德州儀器（TI
2025-12-29 14:50:19106 NSM2012霍爾效應(yīng)電流傳感器，高集成、高精度、高可靠性，如同一把為高效能源世界打造的“精密尺子”和“安全衛(wèi)士”。
2025-12-29 14:32:4568 
MXM系列MEGA? - MIDI?保險(xiǎn)絲座：高電流應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的保險(xiǎn)絲座對(duì)于電路的安全和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天，我們來詳細(xì)了解一下MXM系列MEGA
2025-12-15 14:55:09212 探索SSH - G01霍爾效應(yīng)齒輪齒速與方向傳感器：電子工程師的理想之選 在電子工程領(lǐng)域，傳感器的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。今天，我們來深入了解Piher Sensing Systems公司
2025-12-12 15:20:09204 探索 HCSP - 1BS 汽車開環(huán)電流傳感器：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選 各位電子工程師們，在汽車電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，電流傳感器是至關(guān)重要的元件，它直接影響著電池管理、電機(jī)控制等關(guān)鍵系統(tǒng)的性能。今天，我們
2025-12-12 11:15:09286 探索HRPS霍爾效應(yīng)旋轉(zhuǎn)位置傳感器：工業(yè)與交通領(lǐng)域的理想之選 在電子工程領(lǐng)域，傳感器的性能和穩(wěn)定性對(duì)于各種應(yīng)用的成功至關(guān)重要。今天，我們將深入探討PIHER（Amphenor旗下公司）的HRPS霍爾
2025-12-11 15:30:15280 探索HRPS-M50霍爾效應(yīng)角度傳感器：工業(yè)應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常工作中，角度傳感器是一個(gè)至關(guān)重要的組件，它廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、可再生能源等眾多領(lǐng)域。今天，我們就來深入
2025-12-10 10:05:10285 組態(tài)。
39、在多級(jí)放大電路中總的通頻帶比其中每一級(jí)的通頻帶窄。
40、場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。
41、場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型
2025-12-05 08:21:15
、MC74HC4852A、MC74HCT4851A和MC74HCT4852A，這些器件具有獨(dú)特的注入電流效應(yīng)控制功能，為電子工程師帶來了新的設(shè)計(jì)思路和解決方案。
2025-11-26 16:26:48429 
的工程設(shè)計(jì)、材料研發(fā)和工藝創(chuàng)新，有效應(yīng)對(duì)高電流工況下的散熱挑戰(zhàn)，為電力設(shè)備提供安全可靠的連接保障。在800A滿載連續(xù)運(yùn)行測(cè)試中，拓普聯(lián)科大電流端子展現(xiàn)出卓越的溫升控
2025-10-31 16:06:172008 
在伺服驅(qū)動(dòng)器的相電流采樣中，速度波動(dòng)是影響控制精度的關(guān)鍵問題，其根源往往與 Shunt 電阻的熱電偶效應(yīng)相關(guān)。本文以 NSI1306 隔離 ΣΔADC 的應(yīng)用為例，首先剖析 Shunt 電阻誤差
2025-10-27 14:10:212263 
閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險(xiǎn)的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀。它的本質(zhì)是由芯片內(nèi)部的寄生PNP和NPN雙極型晶體管（BJT）相互作用，形成類似可控硅（SCR）的結(jié)構(gòu)，在特定條件下觸發(fā)低阻抗通路，使電源（VDD）和地（GND）之間短路，引發(fā)大電流失控。
2025-10-21 17:30:381965 
傳感器，作為一種基于霍爾效應(yīng)原理的非接觸式測(cè)量器件，正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成為洞察電流信息的“智慧之眼”，廣泛應(yīng)用于從工業(yè)到民用的各個(gè)角落。一、核心原理與獨(dú)特優(yōu)勢(shì)?霍爾電流傳感
2025-10-17 17:08:23703 
### 一、MT19N10-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 MT19N10-VB 是一款 **單 N 溝道 MOSFET**，采用 **TO252** 封裝，專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有
2025-10-11 17:10:33
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
海量知識(shí)隨手查你的AI小助理為何越來越“絲滑”？三兩句文字眨眼變身美圖動(dòng)畫是誰將你的奇思妙想逐一實(shí)現(xiàn)？手機(jī)拍照秒出大片行車導(dǎo)航精準(zhǔn)選定最佳路線是誰在為你的假日保駕護(hù)航？輕輕一點(diǎn)，海量運(yùn)算在你每一次
2025-08-26 09:24:19889 
電流探頭基于電磁感應(yīng)和霍爾效應(yīng)，用于精準(zhǔn)測(cè)量電流，適用于不同領(lǐng)域，需關(guān)注參數(shù)如量程、帶寬和精度。
2025-08-22 13:38:39561 焊接吊橋效應(yīng)：表面貼裝技術(shù)中的立碑現(xiàn)象解析
2025-08-20 10:04:13838 德州儀器 (TI) 的封裝內(nèi)基于霍爾效應(yīng)的技術(shù)（例如 TMCS112x 和 TMCS113x）不僅可以提供高精度和低漂移，能夠在整個(gè)生命周期和溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)精確的電流測(cè)量，而且易于使用且成本低
2025-08-04 17:40:427218 
Texas Instruments TMCS1123/TMCS1123-Q1精密霍爾效應(yīng)電流傳感器設(shè)計(jì)用于滿足電動(dòng)汽車 (EV) 充電和太陽能等高壓系統(tǒng)中高精度電流測(cè)量的需求。這些電流隔離傳感器在
2025-08-04 14:26:39904 
Texas Instruments TMCS1126/TMCS1126-Q1霍爾效應(yīng)電流傳感器是電流隔離型傳感器，具有高抗外部磁場(chǎng)能力。提供與這些傳感器中輸入電流成正比的輸出電壓，在所有靈敏度選項(xiàng)
2025-07-30 09:57:32602 
Texas Instruments TMCS1127/TMCS1127-Q1霍爾效應(yīng)電流傳感器是電隔離霍爾效應(yīng)電流傳感器，具有業(yè)界領(lǐng)先的精度和隔離特性。在所有靈敏度選項(xiàng)下均提供與輸入電流成正比的輸出
2025-07-23 10:12:53598 
分立元件知識(shí)與應(yīng)用專題--電感知識(shí)及應(yīng)用案例
2025-07-15 19:24:22353 
分立元件知識(shí)與應(yīng)用專題--電容知識(shí)及應(yīng)用案例
2025-07-15 19:22:33371 
項(xiàng)目講解的方式，為我們鋪開了一條從電路設(shè)計(jì)、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)，再到信號(hào)仿真互連優(yōu)化的完整知識(shí)鏈路。點(diǎn)擊圖片，查看課程詳情！今年，我們將目光聚焦于一個(gè)極具挑戰(zhàn)性
2025-07-11 16:31:01565 
在CMOS電路中，存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產(chǎn)生一低阻通路，形成大電流，燒壞芯片，這就是閂鎖效應(yīng)，簡(jiǎn)稱latch-up。
2025-07-03 16:20:463775 
問題的根源，正是組件與地之間持續(xù)存在的直流漏電流。PID效應(yīng)的隱形殺手當(dāng)光伏組件負(fù)偏壓超過閾值，離子會(huì)穿透玻璃向電池片遷移。這種看似微弱的漏電流（通常80mA時(shí)，啟動(dòng)夜間
2025-06-30 15:18:18568 
的，這將使不同空間位置的光所經(jīng)歷的光程長(zhǎng)度不同，即介質(zhì)對(duì)入射光束的作用等價(jià)于光學(xué)透鏡，從而導(dǎo)致光束的自行聚焦效果。
特別地，當(dāng)入射光束強(qiáng)度沿垂直光軸的界面內(nèi)呈高斯形時(shí)，且強(qiáng)度足夠產(chǎn)生非線性效應(yīng)的情況下
2025-06-17 08:52:44
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱，他們已經(jīng)打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052284 進(jìn)行仿真，結(jié)果不就能和測(cè)試對(duì)得上了嘛！按照燈芯效應(yīng)大致建模后，仿真得到的過孔阻抗也是47歐姆的樣子，和測(cè)試出來的非常接近！
這次的確不止是粉絲們漲知識(shí)的一天，對(duì)于Chris來說同樣也是哈！當(dāng)然這種效應(yīng)
2025-05-26 14:10:09
霍爾效應(yīng)由埃德溫·霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)，但直到數(shù)十年后技術(shù)發(fā)展才使得集成電路能夠充分利用這一現(xiàn)象。如今，霍爾效應(yīng)傳感器集成電路為實(shí)現(xiàn)精確電流測(cè)量提供了便捷方案，同時(shí)保持被測(cè)電流路徑與測(cè)量電路之間
2025-05-21 11:58:291020 
電流傳感器在各類應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛使用。傳統(tǒng)電阻式電流檢測(cè)技術(shù)通過測(cè)量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實(shí)現(xiàn)電氣隔離，且在測(cè)量大電流時(shí)能效較低。另一種主流技術(shù)基于霍爾效應(yīng)原理?；魻?b class="flag-6" style="color: red">電流
2025-05-20 11:59:081550 
Javg，或稱Iavg/Jdc/Idc，即保證EM低風(fēng)險(xiǎn)的最大直流DC電流，是直接和電遷移效應(yīng)失效相關(guān)聯(lián)的。
2025-05-20 11:16:151268 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
的，這將使不同空間位置的光所經(jīng)歷的光程長(zhǎng)度不同，即介質(zhì)對(duì)入射光束的作用等價(jià)于光學(xué)透鏡，從而導(dǎo)致光束的自行聚焦效果。
特別地，當(dāng)入射光束強(qiáng)度沿垂直光軸的界面內(nèi)呈高斯形時(shí)，且強(qiáng)度足夠產(chǎn)生非線性效應(yīng)的情況下
2025-05-16 08:47:10
本篇技術(shù)文章深入探討了Allegro APS11753霍爾效應(yīng)開關(guān)，分析了其復(fù)雜性并為工程師們提供了優(yōu)化設(shè)計(jì)開窗檢測(cè)解決方案所需的見解。我們將在基礎(chǔ)知識(shí)之上，根據(jù)霍爾效應(yīng)原理，結(jié)合磁性開關(guān)的內(nèi)部架構(gòu)并探討為提升性能的先進(jìn)設(shè)計(jì)技術(shù)。
2025-05-12 10:14:49949 
電流探頭作為泰克示波器的重要配件，在電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域承擔(dān)著精確測(cè)量電流信號(hào)的關(guān)鍵任務(wù)。本文將結(jié)合泰克示波器的技術(shù)特性，從基礎(chǔ)連接、參數(shù)配置到高級(jí)調(diào)試技巧，系統(tǒng)講解電流探頭的設(shè)置流程
2025-05-06 16:15:441007 
商用的最核心技術(shù)之一。本課程對(duì)BMS技術(shù)相關(guān)知識(shí)， 進(jìn)行概念級(jí)、掃盲級(jí)講解；讓所有關(guān)注、關(guān)心、以及想進(jìn)入新能源行業(yè)發(fā)展的朋友們，能夠?qū)MS技術(shù)知識(shí)有最基本的 認(rèn)識(shí)；也希望通過本課程的引導(dǎo)，讓相關(guān)人員有
2025-05-02 11:04:52
以工作中使用最多的反激電源來說，個(gè)人認(rèn)為最重要的是變壓器和環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)，而前者涉及的知識(shí)點(diǎn)又比較龐雜，包括晦澀難懂的磁學(xué)理論，變壓器設(shè)計(jì)的好壞更是直接決定了電源項(xiàng)目的成敗。
此文檔將詳細(xì)講解反激電源變壓器的基礎(chǔ)原理
2025-04-28 16:51:20
效應(yīng)?；魻?b class="flag-6" style="color: red">效應(yīng)電流傳感器由于其傳感器與待測(cè)電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾
2025-04-21 11:56:271098 
的表面呢？答案就是“電子”
圖1
交變電流通過導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體的中心部位沒有任何電流，電流幾乎都集中到導(dǎo)體的表面很薄很薄的一層，這個(gè)現(xiàn)象就稱之為“趨膚效應(yīng)”，如上圖1中右邊所示。
那趨膚效應(yīng)產(chǎn)生
2025-04-21 11:37:24
有一個(gè)米勒效應(yīng)的。 米勒效應(yīng)，實(shí)際上是有一個(gè)固有的轉(zhuǎn)移特性。在這個(gè)轉(zhuǎn)移特性里面有什么關(guān)系 呢？就是：柵極的電壓 Vgs 和漏極的電流 Id 保持一個(gè)比例關(guān)系。其實(shí)
2025-04-17 13:25:17
9 MCS1823 是一款用于交流或直流電流采樣的線性霍爾效應(yīng)電流傳感器 IC。其霍爾陣列為差分式，可以抵消雜散磁場(chǎng)。 該器件的低電阻 (0.6mΩ) 原邊導(dǎo)體允許大電流在包含高精度霍爾傳感器的IC附近
2025-04-07 11:25:391403 
在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，高清視頻的應(yīng)用無處不在。無論是安防監(jiān)控領(lǐng)域，需要清晰捕捉每一個(gè)細(xì)節(jié)以保障安全；還是在教育行業(yè)，通過高清視頻實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程教學(xué)，讓知識(shí)跨越地域傳播；又或是在娛樂產(chǎn)業(yè)，追求極致的高清畫質(zhì)為
2025-04-01 16:44:44
昨天，在成都舉辦的第十二屆中國(guó)網(wǎng)絡(luò)視聽大會(huì)智慧媒體論壇上，人民網(wǎng)正式發(fā)布了智能硬件“AI之眼”。據(jù)悉，此次發(fā)布的“AI之眼”1.0版本名叫“AIyou（愛游）”。 這也是人民網(wǎng)研發(fā)的首款智能硬件
2025-03-28 16:48:441483 米勒效應(yīng)的影響：MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)
2025-03-25 13:37:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD150-24S19N-H相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ZCD150-24S19N-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，ZCD150-24S19N-H真值表，ZCD150-24S19N-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:31:30
LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫，即閂鎖效應(yīng)，也叫可控硅效應(yīng)，表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都不會(huì)提供這個(gè)參數(shù)，而車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常都會(huì)明確標(biāo)注出來這個(gè)參數(shù)。這也是一個(gè)極為重要卻極容易被電子工程師忽略的參數(shù)。
2025-03-24 17:02:322735 
半導(dǎo)體器件二極管、三極管、MOSFET，課程不僅講解基礎(chǔ)概念，更側(cè)重于進(jìn)階應(yīng)用與案例分析，確保知識(shí)的實(shí)用性與深度。2、系統(tǒng)化的電源電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)：深入電源設(shè)計(jì)的核心
2025-03-13 15:14:21593 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112141 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
近期，鉍金屬市場(chǎng)經(jīng)歷了一輪前所未有的瘋漲，這一趨勢(shì)對(duì)多個(gè)行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響，其中就包括電子焊接領(lǐng)域。中低溫焊錫膏作為電子產(chǎn)品制造中不可或缺的材料，其成分中的鉍金屬正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。本文將
2025-03-07 13:43:201256 
模電手賬筆記（19）
2025-03-07 09:29:29568 
高精度電流測(cè)試產(chǎn)品 電流測(cè)量可利用電流的各種效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量，比如電效應(yīng)、磁效應(yīng)、熱效應(yīng)、化學(xué)效應(yīng)等都可以，其中最方便、用的最多的還是電效應(yīng)和磁效應(yīng)。 一常用的電流測(cè)量技術(shù) ?常用的電流測(cè)量技術(shù)多是
2025-03-05 08:51:581276 
電流檢測(cè)技術(shù)在現(xiàn)今的生活與工作中都有廣泛的應(yīng)用，許多的系統(tǒng)中都需要檢測(cè)流入和流出的電流大小，檢測(cè)電流大小能夠避免器件出錯(cuò)。所以我們今天的主角就是“開關(guān)模式電源的電流檢測(cè)技術(shù)”。
基本知識(shí)談電流模式
2025-02-28 14:54:50
?：本文檔詳細(xì)介紹了如何準(zhǔn)確測(cè)量高速GaN E-HEMT的性能，包括電流和電壓的測(cè)量技術(shù)、雙脈沖開關(guān)測(cè)試、開關(guān)能量測(cè)量等。 這里給大家?guī)砻赓M(fèi)的下載地址： *附件：高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧.pdf 二、測(cè)量技術(shù) 1. 短環(huán)路的重要性 ? 原因 ?：長(zhǎng)地線會(huì)引入不必要的電感，導(dǎo)致
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:25999 摘要
Talbot效應(yīng)是一種眾所周知的近場(chǎng)衍射效應(yīng)。當(dāng)周期結(jié)構(gòu)(例如，一個(gè)光柵)被準(zhǔn)直的光照射時(shí)，在該光柵后面的特定規(guī)則間隔，可以觀察到其重建圖像。分隔這兩個(gè)平面的具體距離被稱為Talbot距離，以
2025-02-26 08:52:16
在衍射光學(xué)中，當(dāng)周期性結(jié)構(gòu)被準(zhǔn)直光照射時(shí)，可以觀察到在物體后面周期性距離處形成的周期性結(jié)構(gòu)的圖像。這就是眾所周知的 Talbot 效應(yīng)（用所謂的 Talbot 距離來描述周期性間隔），它已經(jīng)在例如
2025-02-26 08:49:53
騰訊AI圖書館來了，是時(shí)候升級(jí)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體的《微信圖書館》啦。（對(duì)于工程師零難度）近日騰訊推出了AI智能工作臺(tái)ima.copilot，本人親測(cè)，可以在微信平臺(tái)上建立方便實(shí)用的私人圖書館
2025-02-25 17:33:262299 
TMCS1100EVM 是一種工具，旨在促進(jìn) TMCS1100 的快速、便捷使用， 是一款利用外部參考的隔離式霍爾效應(yīng)精密 Crent Sense 監(jiān)控器。該評(píng)估模塊允許用戶在測(cè)量隔離輸出時(shí)，將最大
2025-02-25 17:09:59862 
TMCS1100 是一款電流隔離霍爾效應(yīng)電流傳感器，能夠進(jìn)行直流或交流電流測(cè)量，具有高精度、出色的線性度和溫度穩(wěn)定性。低漂移、溫度補(bǔ)償信號(hào)鏈在整個(gè)器件溫度范圍內(nèi)提供 < 1% 的滿量程誤差
2025-02-25 16:24:091326 
此參考設(shè)計(jì)采用霍爾效應(yīng)電流傳感器 TMCS1100，可測(cè)量絕對(duì)誤差< 1%（–40°C 至 125°C）的電流，并提供高達(dá) 600 V 的工作隔離電壓。低電阻封裝內(nèi)電流傳感元件無需高側(cè)電源，為
2025-02-25 16:10:43969 
為確保BNC連接器的質(zhì)量使用的穩(wěn)定，一般都會(huì)對(duì)BNC連接器采用電鍍工藝，從而提高電氣性能，那么BNC連接器使用電鍍技術(shù)的要關(guān)注哪些因素呢?工程師在使用BNC連接器之前，要先掌握相關(guān)的電鍍技術(shù)知識(shí)，才能嚴(yán)格保障鍍金層工藝的質(zhì)量。下面由德索精密工業(yè)小編為大家科普一些常見影響鍍金層的質(zhì)量問題。
2025-02-20 09:59:31794 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 的電鍍技術(shù)知識(shí)，才能嚴(yán)格保障鍍金層工藝的質(zhì)量。下面由德索精密工業(yè)小編為大家科普一些常見影響鍍金層的質(zhì)量問題。
2025-02-17 15:11:39728 ~同時(shí)加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
川土微電子CA-IS23XXXS系列高精度霍爾效應(yīng)電流傳感器新品發(fā)布！
2025-02-13 10:26:22971 
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 利用這段時(shí)間給大家整理了五期儲(chǔ)能基礎(chǔ)知識(shí)的分享。 1、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)ESS/BESS 電池儲(chǔ)能系統(tǒng)（Energy Storage System / Battery Energy Storage
2025-01-27 17:37:002937 
凱歌4B19-20電路圖
2025-01-15 16:12:4211 雖然本博客主要是講解單片機(jī)的不過對(duì)于初學(xué)電子的人員而言。一定的硬件知識(shí)是必須的。而且書本上的教學(xué)方式太正確，太具體一本厚厚的模擬電路。嚇都嚇?biāo)廊肆恕Ｗ屓嗣坏街攸c(diǎn)。太具體 讓我們不知道到底在講
2025-01-15 14:36:361669 
在長(zhǎng)江連接器小課堂，工程課長(zhǎng)尹志鵬第開課內(nèi)容小結(jié)。主要講解長(zhǎng)江連接器分類及產(chǎn)品相關(guān)材料內(nèi)容解析。?一、連接器分類?高速連接器?：適用于高速信號(hào)傳輸，具有優(yōu)異的電氣性能和信號(hào)完整性。?航空連接器
2025-01-10 16:40:401535 
場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213 理解量子力學(xué)和受限電子系統(tǒng)的行為提供了獨(dú)特視角。理解量子霍爾效應(yīng)首先需要了解經(jīng)典霍爾效應(yīng)。 霍爾效應(yīng)的起源與發(fā)現(xiàn) 霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)是在19世紀(jì)末，當(dāng)時(shí)電磁學(xué)和物理學(xué)取得了顯著進(jìn)展。埃德溫·霍爾當(dāng)時(shí)是約翰·霍普金斯大學(xué)的一名研
2025-01-07 10:20:442545 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng)，
2025-01-06 17:05:481328
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