非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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集成芯片種類繁多，每種類型都有其獨(dú)特的應(yīng)用和功能。
2024-03-18 15:12:3285 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了兩片閃存；前512KB容量在第一片閃存（bank0）中，后續(xù)的容量在第二片閃存（bank1）中；3、對于flash容量
2024-02-19 12:46:25380 
逐次比較輸入信號與參考電壓的大小，逐步逼近輸入信號的數(shù)值，并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出。SAR ADC具有高速、低功耗和高精度的特點(diǎn)，適用于各種應(yīng)用場合。 閃存型ADC（Flash ADC）：閃存型ADC是一種基于電容陣列和開關(guān)的高速ADC。它通過控制開關(guān)將輸入信號采樣到電容陣
2024-02-16 16:24:001748 
親愛的收件人，
我們知道 PSoC 6 中有許多種類的電源。
例如：有 VDDD、VDDIO1、VDDIO2、VDDA 等
據(jù)我所知，\"閃存\"的電源來自VDDD。
接下來
2024-01-31 07:36:02
在用戶手冊中，Pflash 和 Dflash 都有閃存 ECC 保護(hù)，我想知道 ECC 內(nèi)存在哪里？ 它會占用 pflash 空間還是存儲在用戶無法訪問的地方？
在此先謝謝！
2024-01-26 08:12:37
我用了 moduxTooBox 版本 3.0.0， 在我設(shè)置 QSPI Configurator 4.0 之后，我仍然遇到編譯錯誤，因?yàn)?cy_serial_flash_qspi.h：\"
2024-01-24 07:09:52
*/
FLASH_CM0P_SIZE = 0x20000；FLASH_CM0P_START = ORIGIN（閃存）；
/* CRTEX-M4 應(yīng)用程序圖像的大小和起
始地址 */ FLASH
2024-01-22 06:42:24
的Flash存儲芯片，用于擴(kuò)展ESP32的存儲容量。 ESP32外置Flash的大小是可以根據(jù)需求而定的。通常，外置Flash的大小可以從幾兆字節(jié)到幾十兆字節(jié)不等，常見的大小有16MB、32MB、64MB等。 為什么需要外置Flash？ 首先，ESP32內(nèi)置的閃存空間有限，僅為4MB或者8MB（不同
2024-01-09 11:24:25752 當(dāng)涉及到將變量存儲在Flash中時(shí)，我們通常指的是將變量存儲在STM32微控制器的閃存器件中。在STM32芯片中，閃存用于存儲程序代碼和只讀數(shù)據(jù)，但對于一些應(yīng)用情況，我們可以使用閃存來存儲可讀
2023-12-28 15:33:33545 NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05293 FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 運(yùn)算放大器的種類都有哪些？你知道嗎？
2023-12-13 15:14:11262 
Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲技術(shù)，用于存儲數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術(shù)，對計(jì)算機(jī)存儲具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
、高可靠性等特點(diǎn)。但嵌入式Flash的邊界主要包括以下幾個(gè)方面。 首先，嵌入式Flash的物理存儲空間是有限的，這個(gè)邊界可以根據(jù)存儲芯片的型號和容量來確定。通常，嵌入式Flash的存儲容量不如普通閃存存儲器，一般在數(shù)百兆到幾個(gè)G之間，因此需要謹(jǐn)
2023-10-29 17:29:44250 地解釋它們之間的差異。 1. FLASH存儲器結(jié)構(gòu) NOR Flash和NAND Flash的主要區(qū)別在于它們的存儲器結(jié)構(gòu)。 NOR Flash 的存儲器結(jié)構(gòu)
2023-10-29 16:32:58646 工業(yè)閃存卡有很多種類，常見的有CF卡、SD卡、MMC卡、記憶棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ鳌Ｋ且环N非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
對閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護(hù)。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進(jìn)行整片擦除，使用整片擦除函數(shù)
2023-10-20 08:21:03
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實(shí)就是單片機(jī)留給用戶存儲自己數(shù)據(jù)的地方，類似于單片機(jī)內(nèi)部的EEPROM，在CS+for CA，CX中也是可以直接配置生成庫函數(shù)的，但也可以使用FDL庫。
2023-09-13 12:25:19639 
是源（Source）、漏（Drain）、控制柵（ControlGate）和浮柵（FloatingGate）。 Flash 器件與普通MOS管的主要區(qū)別在于浮柵，Flash 器件通過浮柵注入和釋放電荷表征
2023-09-09 14:27:383604 
光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？
2023-09-06 10:25:011152 
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09496 下降，因此采用硬件加解密，避免效能降低，且能達(dá)到最高等級的安全防護(hù)將是較佳選擇。
硬件加解密主要優(yōu)點(diǎn)：
銅墻鐵壁安全保護(hù)：使用硬件方式來儲存與保護(hù)金鑰，加解密運(yùn)算(Cryptography)過程都在
2023-08-28 07:29:03
基于閃存的存儲，它是否被添加到現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動器系統(tǒng)或?qū)Ｓ?b class="flag-6" style="color: red">閃存陣列，可以啟用數(shù)據(jù)中心以獲得更高的投資回報(bào)(ROI)虛擬化(桌面和服務(wù)器)和數(shù)據(jù)庫應(yīng)用基礎(chǔ)設(shè)施。FLASH響應(yīng)性提供更高的密度，更多
2023-08-25 17:28:26
0 Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
FLASH，指Flash Memory，是一種非易失性存儲器（閃存），掉電能正常保存數(shù)據(jù)。
2023-08-16 12:22:211442 
rh850的pflash和dflash數(shù)據(jù)分配 RH850是一種流行的微控制器，廣泛用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。它有兩種類型的閃存-P-flash和D-flash。P-Flash是程序閃存，D-Flash
2023-08-15 16:23:10779 語音芯片的型號有哪些？為什么強(qiáng)烈推薦使用flash型可擦寫的芯片。這里我們簡單描述一下如下常見類容：
1、他們都有什么特點(diǎn)？以及發(fā)展的歷程簡介
2、常見的語音芯片有哪些？
3、為什么推薦使用flash型可以重復(fù)擦寫的
2023-08-14 11:05:24397 
AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統(tǒng)和閃存之間提供簡單的接口，簡化了子系統(tǒng)中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側(cè)和下級側(cè)之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
?閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術(shù)，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲單元。 1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)
2023-08-02 15:16:593365 
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù)，用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313550 板對板連接器，根據(jù)電路板之間不同的連接方式，分為不同的種類，每個(gè)種類都有自己的特性。
2023-07-18 09:34:241832 Renesas Flash Programmer V3.05 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-06 18:52:010 Renesas Flash Programmer V3.06 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-05 19:58:380 相對于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對便宜和可靠的存儲解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072134 Renesas Flash Programmer V3.08 閃存編程軟件用戶手冊
2023-07-03 20:57:330 Renesas Flash Programmer V3.09 閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 20:53:531 Renesas Flash Programmer V3.10 閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 20:06:200 Renesas Flash Programmer V3.11閃存編程軟件用戶手冊
2023-06-30 19:18:547 編碼器是一種常見的電子設(shè)備，用于將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。它被廣泛應(yīng)用在數(shù)字通信、音頻和視頻編碼、機(jī)器人控制、工業(yè)自動化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、工程機(jī)械設(shè)備、冶金、礦井、航天航空等領(lǐng)域。根據(jù)不同的工作原理和適用場景，編碼器可以分為多種類型。編碼器有幾種類型？都有哪些用途？
2023-06-26 13:32:322572 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325866 
Flash是存儲器的一種統(tǒng)稱，單片機(jī)內(nèi)部Flash、外掛Flash、U盤、SSD等，到處都有Flash的身影。
2023-06-16 16:41:376445 
Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 value: 0
我不明白No boot這個(gè)選項(xiàng)。我的意思是無論閃存如何，內(nèi)部 ROM 都有引導(dǎo)加載程序。
為什么需要在閃存中生成額外的引導(dǎo)選項(xiàng)或第二階段引導(dǎo)選項(xiàng)？
2023-06-12 07:56:12
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
修改了我的閃存如下：
flash_rchw: org = 0x00F90000,len = 0x4
cpu0_reset_vec: org = 0x00F90000+0x10, len = 0x4
2023-05-24 08:47:04
處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創(chuàng)建一個(gè)使用 LVGL 庫在監(jiān)視器上顯示 GUI 的項(xiàng)目，因此我們需要一個(gè)外部閃存來存儲大量數(shù)據(jù)。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我們想同時(shí)使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個(gè)內(nèi)核都有自己的內(nèi)存區(qū)域，驅(qū)動程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)信號量或其他
2023-05-18 07:47:18
上個(gè)月，我在您的幫助下實(shí)現(xiàn)了閃存 ECC 錯誤注入代碼。
我對附加代碼中的奇偶校驗(yàn)生成有疑問
2023-05-17 08:20:37
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會知道這個(gè)？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個(gè)替換類，以在閃存扇區(qū)內(nèi)進(jìn)行磨損均衡。我還想編寫類來檢測而不是使用壞的 4 字節(jié)區(qū)域
2023-05-12 06:30:50
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個(gè)序列，相當(dāng)于 16 個(gè)閃存命令。
現(xiàn)在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個(gè)
2023-05-08 06:52:22
內(nèi)部閃存的負(fù)載仍然太大。利用率超過100%。
這是我的項(xiàng)目的輸出。
內(nèi)存區(qū)域已用大小已用區(qū)域大小百分比
PROGRAM_FLASH：598048 B 512 KB 114.07
2023-05-06 08:47:13
無法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或?qū)懭?MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發(fā)生，錯誤信息如下所示。
需要您的支持來解決這個(gè)問題
2023-04-28 06:20:00
？
我們嘗試使用 add flash tap -:0x60000000 添加閃存，大小為 0x4000000 并構(gòu)建項(xiàng)目，然后項(xiàng)目構(gòu)建成功但出現(xiàn) 0 錯誤但是當(dāng)我們運(yùn)行代碼時(shí)，處理器進(jìn)入看門狗部分并且代碼不工作
有誰能幫忙介紹一下如何添加flash，我們還需要做什么其他設(shè)置嗎？
2023-04-25 09:06:38
我們正在考慮使用 MIMXRT1021 的新設(shè)計(jì)。我們正在尋找合適的閃存。它應(yīng)該通過 Q-SPI 連接并且應(yīng)該支持 RWW (ReadWhileWrite)。目的是能夠在執(zhí)行時(shí)擦除/寫入 FLASH
2023-04-20 07:07:30
我的項(xiàng)目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個(gè)閃存數(shù)據(jù)塊，如 RM 所示。 所以我的應(yīng)用程序在主閃存陣列 1 中運(yùn)行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數(shù)據(jù)區(qū)。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
。***/ /* 使閃存控制器緩存無效 */ DisableFlashControllerCache(FLASH_PFCR1, FLASH_FMC_BFEN_MASK, &
2023-04-17 07:17:57
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類！
2023-04-14 15:26:45554 
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時(shí)，鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 Flash_Driver_Source_Project.map5.制作閃存驅(qū)動 Note 6 創(chuàng)建閃存圖像 Note 7 選擇圖片格式Note 8 制作閃存驅(qū)動鏡像新建一個(gè)“xx.s19”文件，然后將0x1fffe000~0x1ffffffff 范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)
2023-04-14 08:46:14
在嵌入式系統(tǒng)中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲設(shè)備。在單片機(jī)中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
和我的主要應(yīng)用程序代碼重新定位到另一個(gè)閃存地址（用于兩步引導(dǎo)加載程序）時(shí)，我遺漏了什么或者我應(yīng)該設(shè)置一些特定的選項(xiàng)嗎？只是為了測試和復(fù)制這個(gè)問題，我為 EVB-OM13092 創(chuàng)建并附加了 2 個(gè)
2023-04-06 06:49:13
在查看 S32DS 中 S32K 閃存分區(qū)的示例代碼時(shí)，我發(fā)現(xiàn)生成的配置文件 (peripherals_flash_FTFC.c) 存在問題。閃存配置生成如下：/* 閃存用戶配置 0
2023-03-30 07:47:57
Flash Driver V.2動態(tài)啟動失敗 - 驅(qū)動程序 Init 未提供閃存參數(shù)Flash Driver V.2 動態(tài)啟動失敗 - 驅(qū)動程序 Init 未提供閃存參數(shù)op 終止 (0x0
2023-03-30 06:22:03
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動應(yīng)用程序，所以首先我創(chuàng)建了一個(gè)使用 S32DS 閃爍 LED 的項(xiàng)目，我將 linker_flash.ld 中的默認(rèn)閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">flash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應(yīng)該什么時(shí)候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個(gè)更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
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