下，渠道搶貨助推價格上漲。未來隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場需求或將持續(xù)影響DDR4的供需走勢。 ? 極速漲價 ? CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號價格自上而下全線走高，渠道存儲廠商仍堅定強勢拉漲DDR4 UDIMM報價，部分DDR4顆?，F(xiàn)貨價格
2025-06-19 00:54:00
10157 
、服務器斷供、交期延長，堅守傳統(tǒng) IT 架構的企業(yè)陷入絕境。當內(nèi)存價格年漲 171.8%、服務器采購成本攀升 15%-20%，“重資產(chǎn)陷阱” 凸顯，而上云成為企業(yè)規(guī)避硬件通脹的唯一最優(yōu)金融對沖手段，以華為云為代表的云服務解決方案正成為破局關鍵。 超級漲價周期：傳統(tǒng) IT 的 “價值
2025-12-31 13:06:37137 開關。下面我就帶大家深入了解這款芯片的特性、應用和相關參數(shù)。 文件下載： ds10cp152q-q1.pdf 產(chǎn)品概述 DS10CP152Q是一款1.5 Gbps的2x2 LVDS交叉點開關，符合
2025-12-25 15:50:18147 SN74CB3Q3257PWR4通道2選1（SPDT）FET總線開關產(chǎn)品型號：SN74CB3Q3257PWR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TSSOP16產(chǎn)品功能：總線開關
2025-12-23 11:32:16244 
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負載能力，超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
深度剖析DS90UH940-Q1：FPD-Link III到CSI-2的卓越轉換芯片 在汽車電子與顯示技術飛速發(fā)展的今天，數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝耘c穩(wěn)定性成為了關鍵。DS90UH940-Q1作為一款專為
2025-12-22 16:00:02218 瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Validation)。該試驗嚴格遵循AEC-Q
2025-12-18 16:35:545783 
概述 Q-DPAK Full Bridge V2.1評估板（ISPN: EVAL_QDPAK_FB_V2_1）是一個專門用于評估英飛凌CoolSiC? 750 V G2碳化硅MOSFET在Q-DPAK封裝中開關性能的平臺。它采用全橋
2025-12-18 11:50:12288 AP61100Q/AP61102Q：汽車級同步降壓轉換器的卓越之選 在汽車電子領域，電源管理芯片的性能和可靠性直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。今天我們要探討的DIODES公司的AP61100Q
2025-12-17 16:55:12512 SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開關產(chǎn)品型號：SN74CB3Q3257DGVR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TVSOP16產(chǎn)品功能：4位2選1FET總線開關
2025-12-17 11:15:39218 
汽車級單路 3A USB Type-C 充電端口芯片 TPS25854-Q1 和 TPS25855-Q1 深度解析 在當今的汽車電子領域，USB 充電端口的需求日益增長。無論是為車載媒體中心、手機
2025-12-16 17:40:23548 AL8890Q/AL88902Q同步降壓轉換器：設計與應用全解析 在電子設計領域，電源管理芯片的性能和適用性對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關重要。今天，我們將深入探討Diodes公司的AL8890Q
2025-12-10 11:00:02705 
新產(chǎn)能釋放，交期有望逐步恢復至16-20周
? 價格走勢：2025年Q4至2026年Q1，TAJ系列價格將持續(xù)上漲，漲幅預計達10-15%
? 供應鏈多元化：AVX加速推進\"中國+1\"戰(zhàn)略，降低對單一產(chǎn)地依賴
2025-12-09 10:44:11
OK，還剩MOSFET的最后一重防護，就是在DS之間加TVS做保護，對應的就是下圖TVS3的位置。
2025-12-09 09:27:493997 
在電子設計領域，MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天，我們來詳細探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子工程領域，功率模塊的性能和可靠性對整個系統(tǒng)的運行起著關鍵作用。今天，我們來深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2和NXH450B100H4Q2F2PG - R Q2BOOST模塊，這兩款模塊憑借其獨特的設計和出色的性能，在眾多應用場景中展現(xiàn)出了強大的競爭力。
2025-12-08 14:29:34312 
在同一時期，能在論壇出現(xiàn)3款RA6E2開發(fā)板是一件不多見的罕見事兒。
出于好奇不免想對其做一下比較看看各自都有些啥特點。
1 . 體型和外觀
我們的地奇星主打的就是一個小巧秀氣，見圖1所示。
圖1
2025-12-06 10:06:08
第三季度交出亮眼成績單，并持續(xù)深化其在成品率提升與硅光等前沿領域的技術布局。 ? 業(yè)績高增長：Q3凈利潤同比激增321%，研發(fā)投入占比超53% 由于高端客戶對先進工藝開發(fā)和成品率提升需求持續(xù)旺盛，廣立微在第三季度實現(xiàn)凈利潤翻了三倍。財報
2025-11-27 03:12:003429 的應用場景。l 高效率：峰值效率達97%，有助于降低能耗和散熱成本。l 供應鏈優(yōu)勢：作為現(xiàn)貨產(chǎn)品，交期短（1-2周，現(xiàn)貨可當日發(fā)貨），適合對供應鏈靈活性要求高的場景。若ADI/TI芯片因缺貨或價格高昂，MPN12AD20-TS可提供成本優(yōu)勢。
2025-11-26 09:43:44
的控制芯片，甚至工業(yè)設備的傳感器，都能看到它的身影。
之前總擔心國產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”，但查了下中芯國際的最新動態(tài)：2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%，良率穩(wěn)定
2025-11-25 21:03:40
廠商季度合計 500 億美元資本支出中，約 30% 流向了英偉達。 新一代 Blackwell 芯片已全面投產(chǎn)，Q3 交付 1.3 萬個 GPU 樣品，H200 GPU 理論性能較 H100 翻倍
2025-11-20 18:11:231146 降低 BOM 成本和 PCB 面積。l MPN12AD160-MQ 提供現(xiàn)貨供應，部分渠道支持當日發(fā)貨，避免因國際廠商缺貨導致的項目延期風險。l 對比痛點：ADI/TI 的芯片常因全球供應鏈緊張出現(xiàn)交期延長（如 12 周以上），而 MPN12AD160-MQ 的交期可縮短至 1-2 周。
2025-11-20 10:09:00
整流管，取決于輸出同步整流管的雪崩能力以及反灌電流形成的負向電流大小。輸出反灌電流還會影響初級功率MOSFET管工作。當輸出形成反向電流時，若Q1/Q2是一個半橋臂，Q1為上管，Q2為下管；Q3/Q
2025-11-19 06:35:56
11月13日，國內(nèi)最大的晶圓代工企業(yè)中芯國際發(fā)布Q3業(yè)績報，三季度，中芯國際公司整體實現(xiàn)營業(yè)收入人民幣 171.62 億元（23.81億美元），同比增長9.9%；Q3歸屬上市公司凈利潤達到15.17
2025-11-14 10:00:2012607 
11月6日，京東方華燦20周年慶典在廣東省珠海Micro LED智造研發(fā)基地隆重舉行!
2025-11-07 17:57:15767 11月3日，安森美發(fā)布2025年會計年度第三季度（截止10月3日）財報，營收達到15.509億美元，雖較去年同期 17.6 億美元下滑，但仍優(yōu)于市場估計的 15.2 億美元。超出市場預期。主要來源于人工智能 (AI) 應用蓬勃推動數(shù)據(jù)中心對節(jié)能電源管理芯片需求強勁，抵銷汽車市場疲弱影響。
2025-11-06 08:34:0013362 
協(xié)同機制五大核心策略，以下為具體實施路徑與分析： PCBA代工代料交期保障核心措施 一、物料齊套管理：破解交期瓶頸的首道關卡 核心問題：物料短缺是交期延誤的首要原因，BOM清單中單顆芯片或連接器缺貨即可導致整單停滯。 策略實施： 代工代料一體化
2025-10-29 09:12:14531 近期，國際高端進口芯片價格再度上漲5%-10%，引發(fā)半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的廣泛關注。自年初以來，人工智能與先進封裝等領域所需的高端芯片價格漲幅已達10%-20%。行業(yè)普遍認為，這一趨勢主要受美國關稅壁壘推
2025-10-15 17:23:40616 
與功率器件(如MOSFET)、變壓器保持至少10mm間距。例如，某服務器電源模塊通過調整電容與MOSFET的距離，溫降達8℃，壽命延長30%。 散熱強化：在密閉環(huán)境中添加導熱墊片(導熱系數(shù)≥3W/mK)，配合殼體散熱齒設計。實測顯示，加裝鋁制散熱片的電容
2025-10-11 14:37:09259 
Q3季度相對平淡了一些，有亮點但是不多，對于廣大的DIY用戶來說確實缺乏升級的欲望，今年PC市場或許要到雙11促銷的時候才能沖上一波，且看各家如何年終斗法。
2025-10-10 13:43:52282 
Microchip Technology PIC18-Q20微控制器是PIC18較小產(chǎn)品系列之一，有14/20引腳器件可選，用于傳感器連接、實時控制和通信應用。該系列可演示經(jīng)過改進的集成內(nèi)部電路
2025-10-10 11:40:07449 
Microchip Technology PIC18F16Q20 Curiosity Nano套件提供用于評估PIC18-Q20系列微控制器的硬件平臺。PIC18F16Q20微控制器安裝在電路板上
2025-10-10 10:31:25547 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉換損失，優(yōu)化用于5V柵極驅動應用。
2025-09-22 15:43:41635 
近期，國內(nèi)半導體市場正遭受‘成本飆升’與‘交貨延期’的雙重夾擊，美國對華芯片關稅調整后，依賴進口芯片的企業(yè)仍背負沉重成本，加之產(chǎn)能向西轉移，交貨周期已從8周陡增至16周乃至更長。在此背景下，經(jīng)典芯片
2025-09-16 11:39:541172 
高度集成了內(nèi)置電流檢測、環(huán)路補償、輸入反向阻斷 FET（RBFET，Q1）、高側開關FET（HSFET，Q2）、低側開關 FET（LSFET，Q3）以及電池FET（BATFET，Q4）。它使用NVDC
2025-09-06 10:35:16732 
和電池之間高度集成了內(nèi)置電流檢測、回路補償、輸入反向阻塞FET（RBFET、Q1）、高側開關FET（HSFET、Q2）、低側開關FET（LSFET、Q3）和電池FET（BATFET、Q4）。該器件采用
2025-08-20 15:47:41829 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開關（符合 AEC-Q100 標準）相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開關（符合
2025-08-18 18:31:01
內(nèi)置電流檢測、環(huán)路補償和輸入反向阻斷 FET （RBFET、 Q1）。它還包含系統(tǒng)和電池之間的高側開關FET（HSFET、 Q2）、低側開關FET (LSFET、Q3）和電池FET （BATFET、Q
2025-08-18 15:35:52823 
話筒信號經(jīng)過C8耦合到Q1Q2組成的振蕩電路進行調制，然后再經(jīng)C2送到Q3緩沖放大后由C3到天線發(fā)送出去。本電路的特點是元器件少而且比較穩(wěn)定，適合初學者制作
2025-08-04 14:56:20
0 20 %–30 %，在大批量采購場景下可直接降低 BOM 成本 。2. 交期低VICOR 標準交期 20–26 周，而 CHB100-24S33 現(xiàn)貨或 4–6 周即可交付，顯著縮短項目周期 。3
2025-08-04 08:42:17
據(jù)第一財經(jīng)，360 集團創(chuàng)始人周鴻祎在回答 “是否會重啟采購英偉達 H20 芯片” 問題時表示，目前 360 對于芯片的采購正往國產(chǎn)芯片方向轉變，最近采購的（芯片）都是華為的產(chǎn)品。 ? 關于原因，他
2025-07-24 09:20:415006 Texas Instruments TDP20MB421四通道 DisplayPort 2.1復用器是四通道線性復用器，集成2:1 MUX。這款低功耗、高性能線性再驅動器可支持 DisplayPort 2.1，最高可達20Gbps。
2025-07-23 14:16:33545 
產(chǎn)品描述：(替代LM74700Q)PC2571是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實現(xiàn)低損耗反向保護。該芯片可耐受低至-150V的負電源電壓，并提
2025-07-18 15:26:23
砹德曼半導體MOSFET代理
PC主板應用 重點推薦MOSFET 規(guī)格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工交期過長的原因有哪些？縮短PCBA加工交期的方法。在PCBA加工行業(yè)，交期是客戶選擇供應商的重要考量因素之一。然而，許多工廠在交付周期上常常受到
2025-06-20 09:42:59552 TPS57114C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉換器，具有兩個集成 MOSFET。
TPS57114C-Q1 器件通過集成 MOSFET 實現(xiàn)小型設計，實施電流
2025-06-19 14:26:27589 
TPS54388C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、3A、同步降壓電流模式轉換器，具有兩個集成 MOSFET。
TPS54388C-Q1 器件通過集成 MOSFET 實現(xiàn)小型設計，實施電流
2025-06-19 14:19:56669 
TPS57112C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、2A、同步降壓電流模式轉換器，具有兩個集成 MOSFET。
TPS57112C-Q1 器件通過集成 MOSFET、實施電流模式控制以減少
2025-06-18 10:44:11763 
，若需 20A 電流需多芯片并聯(lián)，導致 PCB 面積增加 40%、成本上升 35%。SL3065 單顆即可滿足需求，簡化 BOM 清單并降低布局難度。
三、國產(chǎn)優(yōu)勢：供應鏈安全與成本革命
價格直降 30
2025-06-17 15:36:03
產(chǎn)品描述:(替代LM74700Q/TPS65R01Q）PC2570是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實現(xiàn)低損耗反向保護。該芯片可耐受低至-65V
2025-06-17 10:35:33
產(chǎn)品描述:(替代LM74700Q)PC2570是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實現(xiàn)低損耗反向保護。該芯片可耐受低至-65V的負電源電壓，并提
2025-06-16 17:31:34
TPS54618C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、6A、同步降壓電流模式轉換器，具有兩個集成 MOSFET。
TPS54618C-Q1 通過集成 MOSFET、實施電流模式控制以減少外部
2025-06-12 09:42:09688 
以下是基于最新行業(yè)爆料對蘋果A20芯片的深度解讀，綜合技術革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析： 一、核心技術創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球首款2nm芯片 ?：采用臺積電N2（第一代2納米
2025-06-06 09:32:012996 在智能手機芯片領域，蘋果向來以其前沿的技術和創(chuàng)新的理念引領行業(yè)潮流。近日，有關蘋果 A20 芯片的消息引發(fā)了廣泛關注，據(jù)悉，這款將搭載于 iPhone 18 系列的芯片，不僅將采用先進的 2
2025-06-05 16:03:391296 板等芯片和半導體零部件。此前，拜登政府將豁免期延長一年，這些零部件的進口稅原定于2025年6月1日生效。然而，USTR發(fā)布最新聲明，將截止日期延長至2025年8月31日。這意味著多年來潛伏在GPU和主板背后的價格上漲再次被推遲三個月。 ? USTR在聲明中表示：“2023年12月29日，
2025-06-05 11:04:061968 、成本直降”的突破，為新能源、工業(yè)控制等領域提供高性價比的國產(chǎn)化選擇。 PART 01 行業(yè)痛點：進口依賴的三大桎梏 1、封裝兼容壁壘 ：進口IGBT封裝迭代頻繁（如Econo 2→3→4代），舊型號停產(chǎn)倒逼硬件 redesign，周期成本陡增； 2、供應鏈風險：交期延長、價格波動、
2025-05-30 11:50:12627 Q1)CYPD7191-40LDXS 是否同時支持 Miniprog3 和 Miniprog4？
Q2) CYPD72xx 產(chǎn)品似乎與 PSoC 編程器兼容，但它是否不支持
2025-05-23 06:09:28
，徹底解決進口芯片因國際貿(mào)易摩擦導致的交期延長問題。特別適合對供應鏈穩(wěn)定性要求嚴苛的工業(yè)客戶和新能源領域。
車規(guī)級品質保障
符合 RoHS 無鉛環(huán)保標準，部分型號通過 AEC-Q100 車規(guī)認證（需
2025-05-20 17:53:33
：±6KV
空氣放電：±8KV
工作環(huán)境
推薦工作
-0~60°C
存儲溫度
-20~70°C
濕度
0~80% RH, 無凝結
第二款產(chǎn)品
120米網(wǎng)線型4K超清HDMI_KVM延長器
2025-05-14 16:45:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20A TO252 -2L 20N10D N溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 16:42:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 18:24:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:40:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:34:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:31:150 TI的20周大幅縮短），部分型號支持現(xiàn)貨供應。本土化技術支持響應更快，規(guī)避國際貿(mào)易摩擦帶來的供應鏈風險。2. 空間與集成度優(yōu)化采用先進封裝技術（具體尺寸待確認），較TPSM861253節(jié)省30%以上
2025-05-12 09:22:46
2025年4月26日，賽盛集團迎來成立20周年的高光時刻。以“廿載電磁鑄輝煌，而今破浪再啟航”為主題，一場融合技術分享、未來展望與溫情慶典的直播盛會盛大開啟！線上線下同步聯(lián)動，集團全員、行業(yè)伙伴
2025-04-30 18:22:41769 
TI的NRE費用。批量采購時，整體BOM成本可壓縮15%以上。 供應鏈保障：Cyntec模塊交貨周期穩(wěn)定在4-8周，部分型號現(xiàn)貨供應，相比TI/ADI交期20周大幅縮短。國內(nèi)代理商還能提供快速響應
2025-04-29 09:46:38
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換損耗 應用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換中的損耗 應用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗，并針對 5V 柵極驅動應用進行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)PFD20-18S28A3(C)2相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有PFD20-18S28A3(C)2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-25 18:30:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)PFD20-36D09A3(C)2相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有PFD20-36D09A3(C)2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-25 18:29:59
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵
2025-03-21 15:33:20782 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FD20-110S40B3C3相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FD20-110S40B3C3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)D20-110S40B3C3真值表，F(xiàn)D20-110S40B3C3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:58:29
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2025-03-20 18:57:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA3-220S24Q2相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA3-220S24Q2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)A3-220S24Q2真值表，F(xiàn)A3-220S24Q2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:31:23
無故障時間）超10萬小時。
3. 成本直降50%，供應鏈自主可控
價格優(yōu)勢：國產(chǎn)化生產(chǎn)+本地化服務，價格僅為進口芯片的50%-70%；
交期穩(wěn)定：國內(nèi)晶圓廠直供，標準品庫存充足，2周內(nèi)快速交付；
定制
2025-03-14 17:01:16
北交所能夠順利上市，將會在今年有答案。 回顧杰理科技的上市歷程，杰理科技在8年時間里開啟了4次IPO：2017年3月，杰理科技首次遞表擬登陸上交所主板，于2018年3月終止審核。2018年11月，杰理科技沖刺上交所主板，接受證監(jiān)會現(xiàn)場檢
2025-03-10 08:56:004102 
上。 交期背后藏著三本賬 市場賬 某智能穿戴品牌曾因SMT延遲2周，導致競品搶先發(fā)布同類型產(chǎn)品，最終市占率差距超15%。這不是孤例——行業(yè)報告顯示，新產(chǎn)品每晚1天上市，利潤流失風險增加1.3%。 成本賬 你以為只是晚幾天交貨？SMT產(chǎn)線
2025-03-04 18:00:18595 進入2025年以來，全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象，比行業(yè)認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點：SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT！主要源于技術突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386 
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關損耗地驅動大功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立，其導
2025-03-03 11:27:14
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于
2025-02-21 11:24:201802 
MOS管防倒灌電路設計如下圖所示：在某些應用中，如電池充電電路中，B點是充電器接口，C點是電池接口，為了防止充電器拔掉時，電池電壓出現(xiàn)在充電接口。（Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路）注意Q3的DS
2025-02-21 10:01:303923 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-18 15:43:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SMA;用于SMD的卷軸包，13英寸;Q1/T1-Q2/T3產(chǎn)品定位.pdf》資料免費下載
2025-02-17 16:58:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:42:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BXK9Q29-60E N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 14:46:290 近日，備受用戶關注的DeepSeek-V3 API服務價格有所調整。據(jù)了解，此前DeepSeek為吸引用戶體驗其服務，推出了45天的優(yōu)惠價格體驗期。然而，該優(yōu)惠期已于2月9日正式結束
2025-02-10 10:41:391460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:29:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:28:350 影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談談影響寫入速度九個方面：存儲容量和架構：存儲容量的增加會導致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時，需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲架構未經(jīng)優(yōu)化，同樣會限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
全球NOR Flash市場由四家主要制造商主導，除巨頭之外，還有華芯邦等廠商在市場上也占有一席之地，主要為藍牙、音頻、WIFI等SoC主控芯片生產(chǎn)商供貨，其產(chǎn)品廣泛應用于各種消費電子品牌。例如HT25Q20D廣泛應用在汽車電子領域中。
2025-01-13 15:20:411311 HT25Q20D是由深圳市華芯邦科技有限公司研發(fā)，適用于物聯(lián)網(wǎng)，5G，汽車，計算機，消費品，HT25Q20D（2M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI），并支持雙SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行
2025-01-10 14:30:12933 從接收打樣訂單到完成生產(chǎn)并發(fā)貨給客戶所需的總時間。以下將介紹影響SMT打樣交期的因素以及如何高效縮短交期的策略。 影響SMT打樣交期的因素 1. 設計復雜度： - 設計越復雜，所需的元器件種類和數(shù)量越多，準備時間越長，直接影響打樣周期。 2. 元器件采
2025-01-10 09:43:50972 影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429 隨著現(xiàn)代工業(yè)技術的快速發(fā)展，功率電子器件在能源轉換與控制領域發(fā)揮著越來越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 模塊，憑借其卓越的性能
2025-01-06 14:57:13985 
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