下，渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來(lái)隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場(chǎng)需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢(shì)。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號(hào)價(jià)格自上而下全線走高，渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢(shì)拉漲DDR4 UDIMM報(bào)價(jià)，部分DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)格
2025-06-19 00:54:00
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、服務(wù)器斷供、交期延長(zhǎng)，堅(jiān)守傳統(tǒng) IT 架構(gòu)的企業(yè)陷入絕境。當(dāng)內(nèi)存價(jià)格年漲 171.8%、服務(wù)器采購(gòu)成本攀升 15%-20%，“重資產(chǎn)陷阱” 凸顯，而上云成為企業(yè)規(guī)避硬件通脹的唯一最優(yōu)金融對(duì)沖手段，以華為云為代表的云服務(wù)解決方案正成為破局關(guān)鍵。 超級(jí)漲價(jià)周期：傳統(tǒng) IT 的 “價(jià)值
2025-12-31 13:06:37137 開(kāi)關(guān)。下面我就帶大家深入了解這款芯片的特性、應(yīng)用和相關(guān)參數(shù)。 文件下載： ds10cp152q-q1.pdf 產(chǎn)品概述 DS10CP152Q是一款1.5 Gbps的2x2 LVDS交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)，符合
2025-12-25 15:50:18147 SN74CB3Q3257PWR4通道2選1（SPDT）FET總線開(kāi)關(guān)產(chǎn)品型號(hào)：SN74CB3Q3257PWR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TSSOP16產(chǎn)品功能：總線開(kāi)關(guān)
2025-12-23 11:32:16244 
（1）Id電流代表MOSFET能流過(guò)的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過(guò)這個(gè)值可能會(huì)因?yàn)槌?fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時(shí)，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來(lái)的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
深度剖析DS90UH940-Q1：FPD-Link III到CSI-2的卓越轉(zhuǎn)換芯片 在汽車(chē)電子與顯示技術(shù)飛速發(fā)展的今天，數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝耘c穩(wěn)定性成為了關(guān)鍵。DS90UH940-Q1作為一款專為
2025-12-22 16:00:02218 瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對(duì)大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q
2025-12-18 16:35:545783 
概述 Q-DPAK Full Bridge V2.1評(píng)估板（ISPN: EVAL_QDPAK_FB_V2_1）是一個(gè)專門(mén)用于評(píng)估英飛凌CoolSiC? 750 V G2碳化硅MOSFET在Q-DPAK封裝中開(kāi)關(guān)性能的平臺(tái)。它采用全橋
2025-12-18 11:50:12288 AP61100Q/AP61102Q：汽車(chē)級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選 在汽車(chē)電子領(lǐng)域，電源管理芯片的性能和可靠性直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。今天我們要探討的DIODES公司的AP61100Q
2025-12-17 16:55:12512 SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開(kāi)關(guān)產(chǎn)品型號(hào)：SN74CB3Q3257DGVR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TVSOP16產(chǎn)品功能：4位2選1FET總線開(kāi)關(guān)
2025-12-17 11:15:39218 
汽車(chē)級(jí)單路 3A USB Type-C 充電端口芯片 TPS25854-Q1 和 TPS25855-Q1 深度解析 在當(dāng)今的汽車(chē)電子領(lǐng)域，USB 充電端口的需求日益增長(zhǎng)。無(wú)論是為車(chē)載媒體中心、手機(jī)
2025-12-16 17:40:23548 AL8890Q/AL88902Q同步降壓轉(zhuǎn)換器：設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電源管理芯片的性能和適用性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天，我們將深入探討Diodes公司的AL8890Q
2025-12-10 11:00:02705 
新產(chǎn)能釋放，交期有望逐步恢復(fù)至16-20周
? 價(jià)格走勢(shì)：2025年Q4至2026年Q1，TAJ系列價(jià)格將持續(xù)上漲，漲幅預(yù)計(jì)達(dá)10-15%
? 供應(yīng)鏈多元化：AVX加速推進(jìn)\"中國(guó)+1\"戰(zhàn)略，降低對(duì)單一產(chǎn)地依賴
2025-12-09 10:44:11
OK，還剩MOSFET的最后一重防護(hù)，就是在DS之間加TVS做保護(hù)，對(duì)應(yīng)的就是下圖TVS3的位置。
2025-12-09 09:27:493997 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能和可靠性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天，我們來(lái)深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2和NXH450B100H4Q2F2PG - R Q2BOOST模塊，這兩款模塊憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和出色的性能，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-08 14:29:34312 
在同一時(shí)期，能在論壇出現(xiàn)3款RA6E2開(kāi)發(fā)板是一件不多見(jiàn)的罕見(jiàn)事兒。
出于好奇不免想對(duì)其做一下比較看看各自都有些啥特點(diǎn)。
1 . 體型和外觀
我們的地奇星主打的就是一個(gè)小巧秀氣，見(jiàn)圖1所示。
圖1
2025-12-06 10:06:08
第三季度交出亮眼成績(jī)單，并持續(xù)深化其在成品率提升與硅光等前沿領(lǐng)域的技術(shù)布局。 ? 業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)：Q3凈利潤(rùn)同比激增321%，研發(fā)投入占比超53% 由于高端客戶對(duì)先進(jìn)工藝開(kāi)發(fā)和成品率提升需求持續(xù)旺盛，廣立微在第三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)翻了三倍。財(cái)報(bào)
2025-11-27 03:12:003429 的應(yīng)用場(chǎng)景。l 高效率：峰值效率達(dá)97%，有助于降低能耗和散熱成本。l 供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)：作為現(xiàn)貨產(chǎn)品，交期短（1-2周，現(xiàn)貨可當(dāng)日發(fā)貨），適合對(duì)供應(yīng)鏈靈活性要求高的場(chǎng)景。若ADI/TI芯片因缺貨或價(jià)格高昂，MPN12AD20-TS可提供成本優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 09:43:44
的控制芯片，甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器，都能看到它的身影。
之前總擔(dān)心國(guó)產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”，但查了下中芯國(guó)際的最新動(dòng)態(tài)：2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%，良率穩(wěn)定
2025-11-25 21:03:40
廠商季度合計(jì) 500 億美元資本支出中，約 30% 流向了英偉達(dá)。 新一代 Blackwell 芯片已全面投產(chǎn)，Q3 交付 1.3 萬(wàn)個(gè) GPU 樣品，H200 GPU 理論性能較 H100 翻倍
2025-11-20 18:11:231146 降低 BOM 成本和 PCB 面積。l MPN12AD160-MQ 提供現(xiàn)貨供應(yīng)，部分渠道支持當(dāng)日發(fā)貨，避免因國(guó)際廠商缺貨導(dǎo)致的項(xiàng)目延期風(fēng)險(xiǎn)。l 對(duì)比痛點(diǎn)：ADI/TI 的芯片常因全球供應(yīng)鏈緊張出現(xiàn)交期延長(zhǎng)（如 12 周以上），而 MPN12AD160-MQ 的交期可縮短至 1-2 周。
2025-11-20 10:09:00
整流管，取決于輸出同步整流管的雪崩能力以及反灌電流形成的負(fù)向電流大小。輸出反灌電流還會(huì)影響初級(jí)功率MOSFET管工作。當(dāng)輸出形成反向電流時(shí)，若Q1/Q2是一個(gè)半橋臂，Q1為上管，Q2為下管；Q3/Q
2025-11-19 06:35:56
11月13日，國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際發(fā)布Q3業(yè)績(jī)報(bào)，三季度，中芯國(guó)際公司整體實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣 171.62 億元（23.81億美元），同比增長(zhǎng)9.9%；Q3歸屬上市公司凈利潤(rùn)達(dá)到15.17
2025-11-14 10:00:2012607 
11月6日，京東方華燦20周年慶典在廣東省珠海Micro LED智造研發(fā)基地隆重舉行!
2025-11-07 17:57:15767 11月3日，安森美發(fā)布2025年會(huì)計(jì)年度第三季度（截止10月3日）財(cái)報(bào)，營(yíng)收達(dá)到15.509億美元，雖較去年同期 17.6 億美元下滑，但仍優(yōu)于市場(chǎng)估計(jì)的 15.2 億美元。超出市場(chǎng)預(yù)期。主要來(lái)源于人工智能 (AI) 應(yīng)用蓬勃推動(dòng)數(shù)據(jù)中心對(duì)節(jié)能電源管理芯片需求強(qiáng)勁，抵銷(xiāo)汽車(chē)市場(chǎng)疲弱影響。
2025-11-06 08:34:0013362 
協(xié)同機(jī)制五大核心策略，以下為具體實(shí)施路徑與分析： PCBA代工代料交期保障核心措施 一、物料齊套管理：破解交期瓶頸的首道關(guān)卡 核心問(wèn)題：物料短缺是交期延誤的首要原因，BOM清單中單顆芯片或連接器缺貨即可導(dǎo)致整單停滯。 策略實(shí)施： 代工代料一體化
2025-10-29 09:12:14531 近期，國(guó)際高端進(jìn)口芯片價(jià)格再度上漲5%-10%，引發(fā)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的廣泛關(guān)注。自年初以來(lái)，人工智能與先進(jìn)封裝等領(lǐng)域所需的高端芯片價(jià)格漲幅已達(dá)10%-20%。行業(yè)普遍認(rèn)為，這一趨勢(shì)主要受美國(guó)關(guān)稅壁壘推
2025-10-15 17:23:40616 
與功率器件(如MOSFET)、變壓器保持至少10mm間距。例如，某服務(wù)器電源模塊通過(guò)調(diào)整電容與MOSFET的距離，溫降達(dá)8℃，壽命延長(zhǎng)30%。 散熱強(qiáng)化：在密閉環(huán)境中添加導(dǎo)熱墊片(導(dǎo)熱系數(shù)≥3W/mK)，配合殼體散熱齒設(shè)計(jì)。實(shí)測(cè)顯示，加裝鋁制散熱片的電容
2025-10-11 14:37:09259 
Q3季度相對(duì)平淡了一些，有亮點(diǎn)但是不多，對(duì)于廣大的DIY用戶來(lái)說(shuō)確實(shí)缺乏升級(jí)的欲望，今年P(guān)C市場(chǎng)或許要到雙11促銷(xiāo)的時(shí)候才能沖上一波，且看各家如何年終斗法。
2025-10-10 13:43:52282 
Microchip Technology PIC18-Q20微控制器是PIC18較小產(chǎn)品系列之一，有14/20引腳器件可選，用于傳感器連接、實(shí)時(shí)控制和通信應(yīng)用。該系列可演示經(jīng)過(guò)改進(jìn)的集成內(nèi)部電路
2025-10-10 11:40:07449 
Microchip Technology PIC18F16Q20 Curiosity Nano套件提供用于評(píng)估PIC18-Q20系列微控制器的硬件平臺(tái)。PIC18F16Q20微控制器安裝在電路板上
2025-10-10 10:31:25547 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換損失，優(yōu)化用于5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2025-09-22 15:43:41635 
近期，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)正遭受‘成本飆升’與‘交貨延期’的雙重夾擊，美國(guó)對(duì)華芯片關(guān)稅調(diào)整后，依賴進(jìn)口芯片的企業(yè)仍背負(fù)沉重成本，加之產(chǎn)能向西轉(zhuǎn)移，交貨周期已從8周陡增至16周乃至更長(zhǎng)。在此背景下，經(jīng)典芯片
2025-09-16 11:39:541172 
高度集成了內(nèi)置電流檢測(cè)、環(huán)路補(bǔ)償、輸入反向阻斷 FET（RBFET，Q1）、高側(cè)開(kāi)關(guān)FET（HSFET，Q2）、低側(cè)開(kāi)關(guān) FET（LSFET，Q3）以及電池FET（BATFET，Q4）。它使用NVDC
2025-09-06 10:35:16732 
和電池之間高度集成了內(nèi)置電流檢測(cè)、回路補(bǔ)償、輸入反向阻塞FET（RBFET、Q1）、高側(cè)開(kāi)關(guān)FET（HSFET、Q2）、低側(cè)開(kāi)關(guān)FET（LSFET、Q3）和電池FET（BATFET、Q4）。該器件采用
2025-08-20 15:47:41829 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合
2025-08-18 18:31:01
內(nèi)置電流檢測(cè)、環(huán)路補(bǔ)償和輸入反向阻斷 FET （RBFET、 Q1）。它還包含系統(tǒng)和電池之間的高側(cè)開(kāi)關(guān)FET（HSFET、 Q2）、低側(cè)開(kāi)關(guān)FET (LSFET、Q3）和電池FET （BATFET、Q
2025-08-18 15:35:52823 
話筒信號(hào)經(jīng)過(guò)C8耦合到Q1Q2組成的振蕩電路進(jìn)行調(diào)制，然后再經(jīng)C2送到Q3緩沖放大后由C3到天線發(fā)送出去。本電路的特點(diǎn)是元器件少而且比較穩(wěn)定，適合初學(xué)者制作
2025-08-04 14:56:20
0 20 %–30 %，在大批量采購(gòu)場(chǎng)景下可直接降低 BOM 成本 。2. 交期低VICOR 標(biāo)準(zhǔn)交期 20–26 周，而 CHB100-24S33 現(xiàn)貨或 4–6 周即可交付，顯著縮短項(xiàng)目周期 。3
2025-08-04 08:42:17
據(jù)第一財(cái)經(jīng)，360 集團(tuán)創(chuàng)始人周鴻祎在回答 “是否會(huì)重啟采購(gòu)英偉達(dá) H20 芯片” 問(wèn)題時(shí)表示，目前 360 對(duì)于芯片的采購(gòu)正往國(guó)產(chǎn)芯片方向轉(zhuǎn)變，最近采購(gòu)的（芯片）都是華為的產(chǎn)品。 ? 關(guān)于原因，他
2025-07-24 09:20:415006 Texas Instruments TDP20MB421四通道 DisplayPort 2.1復(fù)用器是四通道線性復(fù)用器，集成2:1 MUX。這款低功耗、高性能線性再驅(qū)動(dòng)器可支持 DisplayPort 2.1，最高可達(dá)20Gbps。
2025-07-23 14:16:33545 
產(chǎn)品描述：(替代LM74700Q)PC2571是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反向保護(hù)。該芯片可耐受低至-150V的負(fù)電源電壓，并提
2025-07-18 15:26:23
砹德曼半導(dǎo)體MOSFET代理
PC主板應(yīng)用 重點(diǎn)推薦MOSFET 規(guī)格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工交期過(guò)長(zhǎng)的原因有哪些？縮短PCBA加工交期的方法。在PCBA加工行業(yè)，交期是客戶選擇供應(yīng)商的重要考量因素之一。然而，許多工廠在交付周期上常常受到
2025-06-20 09:42:59552 TPS57114C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)集成 MOSFET。
TPS57114C-Q1 器件通過(guò)集成 MOSFET 實(shí)現(xiàn)小型設(shè)計(jì)，實(shí)施電流
2025-06-19 14:26:27589 
TPS54388C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、3A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)集成 MOSFET。
TPS54388C-Q1 器件通過(guò)集成 MOSFET 實(shí)現(xiàn)小型設(shè)計(jì)，實(shí)施電流
2025-06-19 14:19:56669 
TPS57112C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、2A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)集成 MOSFET。
TPS57112C-Q1 器件通過(guò)集成 MOSFET、實(shí)施電流模式控制以減少
2025-06-18 10:44:11763 
，若需 20A 電流需多芯片并聯(lián)，導(dǎo)致 PCB 面積增加 40%、成本上升 35%。SL3065 單顆即可滿足需求，簡(jiǎn)化 BOM 清單并降低布局難度。
三、國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)：供應(yīng)鏈安全與成本革命
價(jià)格直降 30
2025-06-17 15:36:03
產(chǎn)品描述:(替代LM74700Q/TPS65R01Q）PC2570是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反向保護(hù)。該芯片可耐受低至-65V
2025-06-17 10:35:33
產(chǎn)品描述:(替代LM74700Q)PC2570是一款低Iq理想二極管控制芯片，與外部N通道MOSFET配合工作，利用20mV正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反向保護(hù)。該芯片可耐受低至-65V的負(fù)電源電壓，并提
2025-06-16 17:31:34
TPS54618C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、6A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器，具有兩個(gè)集成 MOSFET。
TPS54618C-Q1 通過(guò)集成 MOSFET、實(shí)施電流模式控制以減少外部
2025-06-12 09:42:09688 
以下是基于最新行業(yè)爆料對(duì)蘋(píng)果A20芯片的深度解讀，綜合技術(shù)革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析： 一、核心技術(shù)創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球首款2nm芯片 ?：采用臺(tái)積電N2（第一代2納米
2025-06-06 09:32:012996 在智能手機(jī)芯片領(lǐng)域，蘋(píng)果向來(lái)以其前沿的技術(shù)和創(chuàng)新的理念引領(lǐng)行業(yè)潮流。近日，有關(guān)蘋(píng)果 A20 芯片的消息引發(fā)了廣泛關(guān)注，據(jù)悉，這款將搭載于 iPhone 18 系列的芯片，不僅將采用先進(jìn)的 2
2025-06-05 16:03:391296 板等芯片和半導(dǎo)體零部件。此前，拜登政府將豁免期延長(zhǎng)一年，這些零部件的進(jìn)口稅原定于2025年6月1日生效。然而，USTR發(fā)布最新聲明，將截止日期延長(zhǎng)至2025年8月31日。這意味著多年來(lái)潛伏在GPU和主板背后的價(jià)格上漲再次被推遲三個(gè)月。 ? USTR在聲明中表示：“2023年12月29日，
2025-06-05 11:04:061968 、成本直降”的突破，為新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)化選擇。 PART 01 行業(yè)痛點(diǎn)：進(jìn)口依賴的三大桎梏 1、封裝兼容壁壘 ：進(jìn)口IGBT封裝迭代頻繁（如Econo 2→3→4代），舊型號(hào)停產(chǎn)倒逼硬件 redesign，周期成本陡增； 2、供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：交期延長(zhǎng)、價(jià)格波動(dòng)、
2025-05-30 11:50:12627 Q1)CYPD7191-40LDXS 是否同時(shí)支持 Miniprog3 和 Miniprog4？
Q2) CYPD72xx 產(chǎn)品似乎與 PSoC 編程器兼容，但它是否不支持
2025-05-23 06:09:28
，徹底解決進(jìn)口芯片因國(guó)際貿(mào)易摩擦導(dǎo)致的交期延長(zhǎng)問(wèn)題。特別適合對(duì)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的工業(yè)客戶和新能源領(lǐng)域。
車(chē)規(guī)級(jí)品質(zhì)保障
符合 RoHS 無(wú)鉛環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，部分型號(hào)通過(guò) AEC-Q100 車(chē)規(guī)認(rèn)證（需
2025-05-20 17:53:33
：±6KV
空氣放電：±8KV
工作環(huán)境
推薦工作
-0~60°C
存儲(chǔ)溫度
-20~70°C
濕度
0~80% RH, 無(wú)凝結(jié)
第二款產(chǎn)品
120米網(wǎng)線型4K超清HDMI_KVM延長(zhǎng)器
2025-05-14 16:45:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20A TO252 -2L 20N10D N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-14 16:42:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 18:24:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-2.3A 150-160K N溝道MOSFET技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:40:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:34:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2302-20V-3A N溝道MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:31:150 TI的20周大幅縮短），部分型號(hào)支持現(xiàn)貨供應(yīng)。本土化技術(shù)支持響應(yīng)更快，規(guī)避?chē)?guó)際貿(mào)易摩擦帶來(lái)的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。2. 空間與集成度優(yōu)化采用先進(jìn)封裝技術(shù)（具體尺寸待確認(rèn)），較TPSM861253節(jié)省30%以上
2025-05-12 09:22:46
2025年4月26日，賽盛集團(tuán)迎來(lái)成立20周年的高光時(shí)刻。以“廿載電磁鑄輝煌，而今破浪再啟航”為主題，一場(chǎng)融合技術(shù)分享、未來(lái)展望與溫情慶典的直播盛會(huì)盛大開(kāi)啟！線上線下同步聯(lián)動(dòng)，集團(tuán)全員、行業(yè)伙伴
2025-04-30 18:22:41769 
TI的NRE費(fèi)用。批量采購(gòu)時(shí)，整體BOM成本可壓縮15%以上。 供應(yīng)鏈保障：Cyntec模塊交貨周期穩(wěn)定在4-8周，部分型號(hào)現(xiàn)貨供應(yīng)，相比TI/ADI交期20周大幅縮短。國(guó)內(nèi)代理商還能提供快速響應(yīng)
2025-04-29 09:46:38
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)PFD20-18S28A3(C)2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有PFD20-18S28A3(C)2的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文
2025-03-25 18:30:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)PFD20-36D09A3(C)2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有PFD20-36D09A3(C)2的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文
2025-03-25 18:29:59
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵
2025-03-21 15:33:20782 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FD20-110S40B3C3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FD20-110S40B3C3的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)D20-110S40B3C3真值表，F(xiàn)D20-110S40B3C3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:58:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD20-48E0524B3C3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DD20-48E0524B3C3的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DD20-48E0524B3C3真值表，DD20-48E0524B3C3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:57:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA3-220S24Q2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA3-220S24Q2的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)A3-220S24Q2真值表，F(xiàn)A3-220S24Q2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:31:23
無(wú)故障時(shí)間）超10萬(wàn)小時(shí)。
3. 成本直降50%，供應(yīng)鏈自主可控
價(jià)格優(yōu)勢(shì)：國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)+本地化服務(wù)，價(jià)格僅為進(jìn)口芯片的50%-70%；
交期穩(wěn)定：國(guó)內(nèi)晶圓廠直供，標(biāo)準(zhǔn)品庫(kù)存充足，2周內(nèi)快速交付；
定制
2025-03-14 17:01:16
北交所能夠順利上市，將會(huì)在今年有答案。 回顧杰理科技的上市歷程，杰理科技在8年時(shí)間里開(kāi)啟了4次IPO：2017年3月，杰理科技首次遞表擬登陸上交所主板，于2018年3月終止審核。2018年11月，杰理科技沖刺上交所主板，接受證監(jiān)會(huì)現(xiàn)場(chǎng)檢
2025-03-10 08:56:004102 
上。 交期背后藏著三本賬 市場(chǎng)賬 某智能穿戴品牌曾因SMT延遲2周，導(dǎo)致競(jìng)品搶先發(fā)布同類型產(chǎn)品，最終市占率差距超15%。這不是孤例——行業(yè)報(bào)告顯示，新產(chǎn)品每晚1天上市，利潤(rùn)流失風(fēng)險(xiǎn)增加1.3%。 成本賬 你以為只是晚幾天交貨？SMT產(chǎn)線
2025-03-04 18:00:18595 進(jìn)入2025年以來(lái)，全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象，比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn)：SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于IGBT！主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386 
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開(kāi)關(guān)損耗地驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級(jí)選項(xiàng)。本白皮書(shū)側(cè)重于
2025-02-21 11:24:201802 
MOS管防倒灌電路設(shè)計(jì)如下圖所示：在某些應(yīng)用中，如電池充電電路中，B點(diǎn)是充電器接口，C點(diǎn)是電池接口，為了防止充電器拔掉時(shí)，電池電壓出現(xiàn)在充電接口。（Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路）注意Q3的DS
2025-02-21 10:01:303923 
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2025-02-18 15:43:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SMA;用于SMD的卷軸包，13英寸;Q1/T1-Q2/T3產(chǎn)品定位.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-17 16:58:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:42:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BXK9Q29-60E N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 14:46:290 近日，備受用戶關(guān)注的DeepSeek-V3 API服務(wù)價(jià)格有所調(diào)整。據(jù)了解，此前DeepSeek為吸引用戶體驗(yàn)其服務(wù)，推出了45天的優(yōu)惠價(jià)格體驗(yàn)期。然而，該優(yōu)惠期已于2月9日正式結(jié)束
2025-02-10 10:41:391460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:29:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:28:350 影響25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來(lái)談?wù)動(dòng)绊憣?xiě)入速度九個(gè)方面：存儲(chǔ)容量和架構(gòu)：存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫(xiě)入速度。較大的閃存芯片在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，需要更多時(shí)間來(lái)定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會(huì)限制寫(xiě)入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
全球NOR Flash市場(chǎng)由四家主要制造商主導(dǎo)，除巨頭之外，還有華芯邦等廠商在市場(chǎng)上也占有一席之地，主要為藍(lán)牙、音頻、WIFI等SoC主控芯片生產(chǎn)商供貨，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子品牌。例如HT25Q20D廣泛應(yīng)用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中。
2025-01-13 15:20:411311 HT25Q20D是由深圳市華芯邦科技有限公司研發(fā)，適用于物聯(lián)網(wǎng)，5G，汽車(chē)，計(jì)算機(jī)，消費(fèi)品，HT25Q20D（2M位）串行閃存支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI），并支持雙SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行
2025-01-10 14:30:12933 從接收打樣訂單到完成生產(chǎn)并發(fā)貨給客戶所需的總時(shí)間。以下將介紹影響SMT打樣交期的因素以及如何高效縮短交期的策略。 影響SMT打樣交期的因素 1. 設(shè)計(jì)復(fù)雜度： - 設(shè)計(jì)越復(fù)雜，所需的元器件種類和數(shù)量越多，準(zhǔn)備時(shí)間越長(zhǎng)，直接影響打樣周期。 2. 元器件采
2025-01-10 09:43:50972 影響HT25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429 隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 模塊，憑借其卓越的性能
2025-01-06 14:57:13985 
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