英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器,具備通用SPI接口,覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項,為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
49 綠芯半導(dǎo)體已為其重點工業(yè)、航空航天以及關(guān)鍵領(lǐng)域的客戶提供高耐久性、小尺寸封裝(16mmx20mm)的NVMe NANDrive EX系列BGA固態(tài)硬盤樣品。采用綠芯專有的EnduroSLC技術(shù)設(shè)計
2025-12-29 16:39:53
178 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長,應(yīng)用場景日益多樣,這也給電源設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料,如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的采用,因其在效率、功率密度和可靠性方面的顯著優(yōu)勢,正助推著這一需求。
2025-12-22 15:35:00
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電容器,對于電子工程師來說,了解其特性、規(guī)格和使用注意事項至關(guān)重要。 文件下載: Panasonic Electronic Components EEF-KX導(dǎo)電鋁電解電容器.pdf 一、KX系列電容器的特性 1. 卓越的耐久性與濕熱性能 KX系列電容器具有出色的耐久性,能夠在125℃
2025-12-22 09:45:08
227 在存儲技術(shù)快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù),兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04
243 旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I 2Gb Serial NAND Flash具備-40℃~85℃工業(yè)級寬溫、60,000次擦寫壽命及10年數(shù)據(jù)保存能力,支持133MHz高速讀取與x4總線傳輸,以高可靠性、高耐久性與靈活適配性,為工業(yè)PLC提供穩(wěn)定、高效的存儲解決方案,滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境長期運行需求。
2025-12-15 09:54:00
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的 10000 小時耐久性,這意味著它可以在惡劣的環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。而且,它的 ESR 比同類產(chǎn)品低 70% 以上,紋波電流高 100%,這使得它非常適合用于需要高
2025-12-12 17:44:25
可靠性是測量或方法的一致性。可靠性對我們行業(yè)的重要性再怎么強調(diào)也不為過。然而,一個必要的、可以帶來可靠性階躍式提升的概念討論得較少:即我們 Wolfspeed 所強調(diào)的"耐久性"
2025-12-09 14:03:58
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在計算機和電子設(shè)備中,存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
294 所需的高壓 BOOST 電路,無須額外提供編程電壓。
FLASH存儲器組織總?cè)萘?4KB,分頁管理
每頁 512 字節(jié)
共 128 頁
FLASH存儲器保護FLASH 存儲器具有擦寫保護和讀保護功能
2025-12-05 08:22:19
在各類存儲設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計,在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
275 在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器)的新型非易失存儲器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性,更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35
248 在嵌入式存儲應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41
146 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,傳統(tǒng)存儲技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片,以其獨特的磁阻存儲技術(shù),為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46
210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建,這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢,成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28
280 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一,是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
414 作為磁阻存儲器領(lǐng)域的重要分支,SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結(jié)構(gòu)設(shè)計,正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術(shù)利用具有強自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層,通過自旋軌道力矩驅(qū)動磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn),從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24
338 一次性可編程(OTP)非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無需額外的制造工序,因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長,平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
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汽車物理接口的堅固性與耐久性評估是一個多學(xué)科、系統(tǒng)化的工程。它融合了機械工程、材料科學(xué)和電氣工程的知識,通過一系列嚴(yán)苛的、可重復(fù)的測試,模擬車輛在整個生命周期內(nèi)可能遇到的最惡劣工況。
2025-09-27 08:00:00
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隨著新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展,智能座艙作為人車交互的核心載體,其復(fù)雜度和集成度不斷提高。大尺寸觸摸屏、語音識別系統(tǒng)、智能座椅、多區(qū)溫控、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等功能模塊的融合,對座艙系統(tǒng)的耐久性和可靠性提出了更高要求。智能座艙耐久測試已成為確保產(chǎn)品質(zhì)量和用戶體驗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-09-19 09:39:21
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富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案,支持納秒級寫入與10^12次擦寫,解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題,適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境,顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00
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,作為數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵載體,其重要性不言而喻。不同類型的存儲器,憑借各自獨特的性能、特點與成本優(yōu)勢,在多樣化的應(yīng)用場景中扮演著不可或缺的角色。
2025-09-09 17:31:55
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沃華慧通的滾筒跌落試驗機,也常被稱為 “滾筒跌落測試儀” 或 “tumbling drop tester”,其核心目的是模擬產(chǎn)品在日常使用中可能發(fā)生的重復(fù)性、隨機性的跌落和碰撞,以評估產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)強度、耐用性和整體可靠性。
2025-08-29 09:09:06
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智能座椅動態(tài)壓力分布與疲勞耐久性綜合測試技術(shù)是推動智能座椅行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。通過對座椅舒適性和耐久性的精準(zhǔn)把控,為座椅的設(shè)計優(yōu)化、材料選擇和質(zhì)量提升提供了堅實的數(shù)據(jù)支持,為用戶帶來更加舒適、健康
2025-08-21 09:19:57
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在智能座艙的安全矩陣中,座椅骨架是連接駕乘者與車輛的核心紐帶。智能座艙座椅骨架承重物理測試(極限載荷下結(jié)構(gòu)變形量與耐久性驗證),正以科學(xué)量化的方式,為這一紐帶劃定不可逾越的安全紅線。
2025-08-13 09:15:36
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超浸潤表面因在液滴運輸、防污染等領(lǐng)域的巨大潛力成為研究熱點,不銹鋼作為常用工程材料,其表面潤濕性調(diào)控對拓展應(yīng)用至關(guān)重要。納秒激光技術(shù)為不銹鋼表面超浸潤改性提供了有效途徑,而機械耐久性是其實
2025-08-12 18:03:13
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Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器, S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:06
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在電子設(shè)備中,端子作為關(guān)鍵連接部件,其可靠性直接影響產(chǎn)品的整體性能和使用壽命。要全面評估端子的壽命和可靠性,需要從電氣性能、機械耐久性和環(huán)境適應(yīng)性三個維度進(jìn)行系統(tǒng)性測試,確保其在各種嚴(yán)苛條件下都能穩(wěn)定工作。?
2025-08-06 14:40:44
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接口機械結(jié)構(gòu)耐久性測試對設(shè)備的要求,本質(zhì)是通過 “被測對象合規(guī)、工裝模擬精準(zhǔn)、監(jiān)測數(shù)據(jù)可靠”,實現(xiàn)對接口真實使用場景的有效復(fù)現(xiàn)。只有設(shè)備滿足精度、兼容性和穩(wěn)定性要求,才能準(zhǔn)確暴露接口在長期使用中的機械缺陷(如材料疲勞、結(jié)構(gòu)松動),為車載智能終端的可靠性設(shè)計提供有效依據(jù)。
2025-08-01 08:00:00
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車載智能終端的可靠性檢測是一個多維度、嚴(yán)苛的過程,需結(jié)合環(huán)境模擬、性能驗證、長期耐久性測試等手段,并依據(jù)國際車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。通過全面檢測,可提前暴露設(shè)計、材料或工藝缺陷,確保設(shè)備在車輛全生命周期內(nèi)穩(wěn)定運行,為智能駕駛、車聯(lián)網(wǎng)等功能提供安全保障。
2025-07-31 09:29:27
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在航天航空領(lǐng)域,極端空間環(huán)境考驗裝備性能,作為能夠精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)太陽光譜和輻照條件的高科技設(shè)備,太陽能模擬器已成為突破航天航空技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵工具,在航天器設(shè)計優(yōu)化、材料耐久性驗證及空間科學(xué)實驗中發(fā)
2025-07-24 11:28:38
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類金剛石碳(DLC)薄膜因高硬度、耐磨損特性,廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域,其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期,日本研究團隊通過等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),將DLC薄膜厚度控制在20-80納米范圍內(nèi),首次實現(xiàn)對其結(jié)構(gòu)色的精確調(diào)控。這一發(fā)現(xiàn)為材料的光學(xué)功能化提供了新方向。等離子體CVD裝置示意圖1結(jié)構(gòu)色產(chǎn)生的物理機制flexfilm結(jié)構(gòu)色由光的干涉效應(yīng)主導(dǎo)
2025-07-22 09:54:36
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科技)高性能控制器的深度整合,華芯星推出新一代eMMC 5.1存儲解決方案,以工業(yè)級耐久性、車規(guī)級穩(wěn)定性、消費級能效比,重新定義嵌入式存儲的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
2025-07-22 09:11:08
2025 HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。其核心設(shè)計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2951 在當(dāng)今競爭激烈的市場中,產(chǎn)品的
耐久性和可靠
性成為了消費者選擇的重要因素。無論是汽車、建筑材料,還是電子設(shè)備,都需要在極端環(huán)境下保持性能穩(wěn)定。那么,如何確保產(chǎn)品在各種氣候條件下都能經(jīng)得起考驗?zāi)兀看鸢?/div>
2025-07-09 18:17:52
369 
,是信息時代的基石。
2. 核心分類:斷電后數(shù)據(jù)還在嗎?
這是最根本的分類依據(jù):
易失性存儲器:斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點:速度快,通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。
代表:DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器
2025-06-24 09:09:39
在高海拔地區(qū)使用控制變壓器,您是否擔(dān)心其散熱和絕緣性能會大打折扣?是否憂慮設(shè)備頻繁故障,影響正常的生產(chǎn)運營,甚至帶來安全隱患?今天,就讓我們深入探究控制變壓器廠家BK產(chǎn)品的耐久性測試與壽命預(yù)測方法
2025-06-23 10:03:57
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單片機實例項目:AT24C02EEPROM存儲器,推薦下載!
2025-06-03 20:50:02
在產(chǎn)品研發(fā)與質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)中,疲勞耐久測試占據(jù)著舉足輕重的地位。它是評估產(chǎn)品在生命周期內(nèi)性能表現(xiàn)的核心手段,通過模擬產(chǎn)品在實際使用中承受的各種復(fù)雜工況,如交變載荷、振動、沖擊等,精準(zhǔn)預(yù)測產(chǎn)品的可靠性與使用壽命,確保產(chǎn)品在長期使用過程中能夠穩(wěn)定運行,避免因疲勞、磨損、老化等因素導(dǎo)致的故障與失效。
2025-05-19 09:38:22
566 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運算
2025-05-09 10:21:09
618 在工業(yè)制造中,噴涂工藝是產(chǎn)品表面處理的核心環(huán)節(jié),其技術(shù)水平直接決定了產(chǎn)品的耐久性、美觀度甚至影響其市場競爭力。
2025-05-08 14:46:15
809 在半導(dǎo)體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:37
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在物聯(lián)網(wǎng)和智能化應(yīng)用飛速發(fā)展的今天,RFID技術(shù)作為數(shù)據(jù)采集與身份識別的核心手段,其性能、安全性與可靠性愈發(fā)受到重視。然而,傳統(tǒng)基于EEPROM或Flash存儲的RFID標(biāo)簽在寫入速度、耐久性和功耗
2025-04-30 13:51:59
925 在電動車輛及新型動力系統(tǒng)的耐久性測試中,精確測量車輪與路面之間的相互作用力、扭矩及振動響應(yīng)至關(guān)重要。DaimlerTruck在其位于德國W?rth的EVZ研發(fā)測試中心,針對eActros進(jìn)行了全面的耐久性測試,以確保電動卡車在復(fù)雜路況下的可靠性。整個測試過程中,需要采集作用于車輪
2025-04-23 10:03:11
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UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時候,我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:09
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光頡科技(Viking)作為行業(yè)領(lǐng)先的電子元器件制造商,憑借其先進(jìn)的制造技術(shù)和嚴(yán)格的質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn),推出了高性能的晶圓電阻。這些電阻不僅在精度和穩(wěn)定性上表現(xiàn)出色,還在可靠性和耐久性方面展現(xiàn)出卓越的性能
2025-04-10 17:52:32
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非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 單片機與存儲器的關(guān)系像什么?單片機里的存儲都是一樣的嗎?為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:01
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內(nèi)部的離子會發(fā)生遷移,從而導(dǎo)致材料的電阻狀態(tài)發(fā)生改變,一般可分為高阻態(tài)和低阻態(tài),分別對應(yīng)邏輯 “0” 和 “1”。通過檢測存儲單元的電阻值來讀取存儲的數(shù)據(jù)。 ? RRAM具有讀寫速度較快、低功耗、高密度、耐久性等特點,能夠滿足
2025-04-10 00:07:00
2089 人工智能與高性能計算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:41
1711 的電氣性能,展現(xiàn)出極強的適應(yīng)性。在實際應(yīng)用中,D-602-46有利于檢查和維修,且具備高耐久性。這些顯著優(yōu)勢使得D-602-46在多個領(lǐng)域內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用,為各類設(shè)備的連接和信號傳輸提供了堅實的質(zhì)量保障
2025-03-26 09:48:22
特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計和成熟的制程技術(shù),具備內(nèi)置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制,為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具,直接實現(xiàn)MRAM的編程接口,支持多種存儲容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件,用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:00
1803 本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-03-07 10:52:47
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:58
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在電動車輛及新型動力系統(tǒng)的耐久性測試中,精確測量車輪與路面之間的相互作用力、扭矩及振動響應(yīng)至關(guān)重要。Daimler Truck在其位于德國W?rth的EVZ研發(fā)測試中心,針對eActros進(jìn)行了全面的耐久性測試,以確保電動卡車在復(fù)雜路況下的可靠性。
2025-03-04 14:30:07
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智能化的決策支持,不僅提升了施工效率,還有效提高了道路的質(zhì)量和耐久性。 ???????1、施工設(shè)備監(jiān)測保障施工精度 ???????智能攤鋪壓實監(jiān)測管理系統(tǒng)的核心功能之一是對施工設(shè)備進(jìn)行實時監(jiān)測。通過對攤鋪機、壓實機等設(shè)備的精
2025-03-03 14:03:49
532 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons(以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體,充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫,易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06
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命令將數(shù)據(jù)傳送到存儲器。該過程確保了修改存儲器時的數(shù)據(jù)完整性。每個DS1996都有一個48位的工廠激光序列號,以提供一個有保證的唯一標(biāo)識,從而實現(xiàn)絕對的可追溯性。耐用的MicroCan封裝具有很強的抗
2025-02-26 10:17:41
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未來發(fā)展趨勢。 DRAM 介紹 動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,縮寫為 DRAM)是一種易失性存儲設(shè)備。這意味著,一旦停止供電,它所存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷,以此記錄數(shù)據(jù)。然而,電容器中的電荷會
2025-02-14 10:24:40
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MT53E1G32D2FW-046 WT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場
2025-02-14 07:46:46
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? ? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置(存儲器),在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計算機中央處理器(CPU:Central Processing Unit)中,直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲器中(
2025-02-13 12:42:14
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:09
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數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 閃速存儲器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)在擦除數(shù)據(jù)時,往往需要較長的時間,且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1452 高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計算機存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:00
3398 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展,特別是大規(guī)模語言模型(如ChatGPT和Sora)的出現(xiàn),對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計算效率上的限制,逐漸成為瓶頸。如何實現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:31
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29
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近日,據(jù)韓媒最新報道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場供求關(guān)系,進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:55
1095 。 據(jù)悉,此次訂單中的固態(tài)硬盤采用了綠芯行業(yè)領(lǐng)先的EnduroSLC?技術(shù)設(shè)計,具有極高的耐久性和可靠性。其中,GLS85LS SATA NANDrive固態(tài)硬盤作為客戶加固計算機中的固態(tài)存儲解決方案,將用于嚴(yán)苛環(huán)境下的關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用。 綠芯的SATA NANDrive? EX系列BGA固態(tài)硬盤以其出色
2025-01-20 11:35:32
903 特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次(1014)讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期(請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:06
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”“11”,其它如TLC、QLC、PLC也按照相應(yīng)位數(shù)進(jìn)行以此類推。
不同的閃存類似,其性能、耐久性和價格是不同的。
在性能和耐久性方面,SLC>MLC>TLC>QLC>PLC。
在成本價格上,SLC>MLC>TLC>QLC>PLC。
2025-01-15 18:15:53
綠芯憑借其高耐久性NANDrive EX系列BGA固態(tài)硬盤贏得了一項為期多年、價值數(shù)百萬美元的訂單,該產(chǎn)品采用綠芯行業(yè)領(lǐng)先的EnduroSLC技術(shù)設(shè)計。
2025-01-14 16:14:54
856 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲器編程.pdf》資料免費下載
2025-01-14 16:12:44
0 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?
2025-01-10 09:12:15
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:18:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132:使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲器中.pdf》資料免費下載
2025-01-07 13:55:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286:SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:01
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