一般描述

FP6298 是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)換器，脈波寬度調(diào)變，內(nèi)置 80mΩ, 4.5A, 12V MOSFET，能做最大功率高轉(zhuǎn)換效率，周邊元件少可節(jié)省空間，適合用在行動(dòng)裝置上，精準(zhǔn)反饋電壓 0.6V (±2%)，內(nèi)建軟啟動(dòng)功能可降低開機(jī)時(shí)涌浪電流，過流保護(hù)透過外部電阻調(diào)整，電流控制模式讓暫態(tài)響應(yīng)與系統(tǒng)穩(wěn)定性佳，輕載進(jìn)入省電模式(Skip Mode)，達(dá)到輕載高效率，封裝為 SOP8-8L(EP)。

產(chǎn)品特色

1.可調(diào)式輸出電壓：最高可達(dá) 10V ? 輸入電壓范圍：2.6V~5.5V
2.精準(zhǔn)參考電壓：0.6V (±2%)
3.內(nèi)部固定工作頻率 500kHz
4.內(nèi)置 80mΩ, 4.5A, 12V MOSFET
5.關(guān)機(jī)耗電流：0.1uA
6.內(nèi)置軟啟動(dòng)
7.可調(diào)整過流保護(hù)：0.5A~4.5A
8.輸出過壓保護(hù)：12V ? 過溫保護(hù)：150°C
9.封裝 SOP8-8L(EP)

應(yīng)用范圍

移動(dòng)電源、手持式產(chǎn)品、充電器、 LCD 顯示應(yīng)用、電子菸。

IC內(nèi)部方塊圖

封裝腳位

應(yīng)用電路圖

應(yīng)用元件
C1、C2、C3、C4：輸入與輸出穩(wěn)壓濾波電容。 ? RE1、CE1：可吸收切換時(shí)產(chǎn)生的突波電壓，可改善 EMI，通常設(shè)定在 RE1=1.5Ω、CE1=2.2nF，
這兩元件盡可能靠近 LX，以達(dá)最佳效果。
R1：EN Pull High 電阻。 ? R2：OC 設(shè)定電阻，改變阻值調(diào)整過流保護(hù)點(diǎn)。 ? R3、R4：可用來調(diào)整輸出電壓。
L1：電感具有儲(chǔ)能與濾波功用。選用電感需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流
值。
D1：當(dāng) LX 截止時(shí)，D1 蕭特基管導(dǎo)通，提供電感放電迴路

功能說明

a. 軟啟動(dòng)
IC 內(nèi)置軟啟動(dòng)功能，開機(jī)利用軟啟動(dòng)限制 PWM 佔(zhàn)空比，讓佔(zhàn)空比慢慢打開，避免瞬間輸入涌浪
電流過大。

b. EN 開關(guān)控制
EN 電壓小于 0.4V 將 IC 關(guān)閉，關(guān)機(jī)耗電約 0.1uA，EN 電壓大于 1.2V 啟動(dòng) IC，若不做開關(guān)控制
可接上 10kΩ 到輸入端，EN 電壓不可超過輸入電壓。

c. 過電流保護(hù)
檢測通過 LX 與 GND 之間 MOS 電流，也就是電感峰值電流，觸發(fā)過電流保護(hù)會(huì)將佔(zhàn)空比縮小，
限制電感電流，輸出電壓也會(huì)降低，透過外部電阻 R2 調(diào)整過流保護(hù)點(diǎn)，電阻值建議 26kΩ~500kΩ，過流保護(hù)點(diǎn)為 4.5A~0.5A，可參考下面公式計(jì)算。

d. 過溫保護(hù)
IC 內(nèi)部晶片達(dá)到 150°C，將內(nèi)部 MOS 關(guān)閉保護(hù)晶片，等溫度降到 120°C 才會(huì)再度打開。

e. 輸出過壓保護(hù)
當(dāng) R3 電阻不接時(shí)，會(huì)造成 NMOS 開最大佔(zhàn)空比，輸出電壓將會(huì)一直衝高，當(dāng)輸出電壓超過 16V
時(shí) IC 將會(huì)將內(nèi)部 MOS 關(guān)閉，必須重置電源才可恢復(fù)正常轉(zhuǎn)壓

審核編輯：符乾江